这份研报主要分析了2026年存储行业正处于AI驱动的高景气周期,供需格局持续偏紧是全年主线。从需求端看,AI大模型训练与推理需求爆发,叠加CSP厂商资本开支大幅扩张,服务器已成为存储第一大下游应用。供给端,全球存储产能扩张节奏审慎,新建厂房投产周期长达2-3年,2026年全年供需缺口将持续支撑产品价格高位运行。利基存储供给端“永久收缩”与需求端“结构上移”。海外大厂三星、海力士、美光、铠侠持续把产能转向HBM与3D NAND等高价值产品,利基DRAM、MLC NAND、NOR Flash的成熟产能被系统性挤出;而AI服务器、边缘计算、工业与车规的刚性需求仍在增长,价格上具备持续性。供需冲突长期难以调和。
存储行业未来发展趋势显示,AI驱动将使行业持续高景气。需求端,AI大模型训练与推理需求将持续爆发,服务器作为主要应用场景其重要性不断提升。供给端,全球存储产能扩张节奏将保持审慎,新建厂房投产周期长达2-3年,这导致2026年全年供需缺口将持续存在,支撑产品价格高位运行。利基存储供给端将“永久收缩”,主要因为海外大厂如三星、海力士、美光、铠侠持续将产能转向HBM与3D NAND等高价值产品,利基DRAM、MLC NAND、NOR Flash的成熟产能被系统性挤出。同时,AI服务器、边缘计算、工业与车规等领域的刚性需求仍在增长,为价格提供持续性支撑。这种供需结构变化将长期影响市场格局。
研报重点分析了存储行业在AI驱动下的供需格局变化。需求端重点关注AI大模型训练与推理需求爆发,以及CSP厂商资本开支大幅扩张对服务器存储需求的影响。供给端则分析了全球存储产能扩张的审慎节奏和新建厂房投产周期,指出2026年全年供需缺口将持续支撑产品价格高位运行。此外,研报还深入探讨了利基存储供给端的“永久收缩”趋势,即海外大厂持续将产能转向HBM与3D NAND等高价值产品,导致利基DRAM、MLC NAND、NOR Flash的成熟产能被系统性挤出。同时,报告强调了AI服务器、边缘计算、工业与车规等领域的刚性需求增长,为价格提供持续性支撑。这些分析共同揭示了供需冲突长期难以调和的市场现状。
当前存储市场现状判断为高景气周期与供需偏紧格局。需求端,AI大模型训练与推理需求爆发,叠加CSP厂商资本开支大幅扩张,推动服务器成为存储第一大下游应用。供给端,全球存储产能扩张节奏审慎,新建厂房投产周期长达2-3年,导致2026年全年供需缺口持续存在,支撑产品价格高位运行。利基存储供给端出现“永久收缩”,海外大厂如三星、海力士、美光、铠侠持续将产能转向HBM与3D NAND等高价值产品,利基DRAM、MLC NAND、NOR Flash的成熟产能被系统性挤出。同时,AI服务器、边缘计算、工业与车规等领域的刚性需求仍在增长,为价格提供持续性支撑。这种供需结构变化将长期影响市场格局,供需冲突难以调和。
研报提示的主要风险在于存储行业供需格局的长期变化可能导致的市场波动。供给端,海外大厂持续将产能转向HBM与3D NAND等高价值产品,可能导致利基存储产品如DRAM、MLC NAND、NOR Flash的供给进一步收缩,推高其价格。需求端,虽然AI服务器、边缘计算、工业与车规等领域的刚性需求增长为价格提供支撑,但若这些领域发展不及预期,可能导致需求端压力减弱。此外,全球存储产能扩张的审慎节奏虽然支撑了价格高位,但也意味着市场对新增产能较为敏感,任何意外的新增产能释放都可能引发价格回调。这些因素共同构成了存储行业的长期风险,投资者需密切关注供需变化和市场动态。