2026年中国存储芯片行业概览：AI服务器驱动需求爆发，全球资本开支结构性偏紧，长鑫、长江存储国产替代窗口期已至

研究目的&摘要 摘要 研究目的 •全球供需共振推升存储芯片价格，行业高位格局或将持续至2027年。本轮存储芯片价格大幅上涨，核心是AI算力需求爆发与全球头部厂商产能结构性收缩形成共振，叠加行业低库存、扩产周期长等因素共同推动。需求端，AI服务器、数据中心对DRAM、NAND以及高端HBM存储的需求呈指数级增长，单台AI服务器存储用量远高于传统服务器，大幅挤占通用存储供给；供给端，三星、SK海力士、美光等国际巨头将大量先进产能转向高附加值的AI专用HBM、DDR5产品，主动削减消费级与常规存储产能；2026年一季度存储芯片合约价格出现数倍涨幅，二季度价格可能仍将延续上涨态势。中长期来看，2026-2027年上半年价格大概率维持高位、涨势逐步放缓，2027年底-2028年全球新增产能集中落地后，供需关系逐步缓和，存储芯片价格将逐步企稳并小幅回落，但受AI长期需求支撑，价格难以回到此前低谷区间。 本报告为2026年中国存储芯片行业概览报告，将梳理中国存储芯片行业的相关生产及发展情况，对该行业的产业链，竞争格局做出具体分析。 本报告关键问题： •市场规模波动较大，中国存储行业迎来结构升级与机遇挑战。2020-2025年，中国存储芯片行业市场规模从1,453.6亿元增至3,284.4亿元，主要依托国产替代提速，以及AI、云计算、智能汽车等新兴产业带来的存储需求扩张；行业规模后续整体先升后降，预计2028年达到19,614.3亿元的峰值，2030年回落至14,422.5亿元。短期受全球存储供应紧张影响，国内下游企业被倒逼加大国产芯片采购，同时行业产品逐步转向高附加值的服务器级存储，本土存储芯片厂商营收与盈利有望持续向好；中长期来看，手机、PC等传统消费电子需求增长疲软，叠加2028年前后全球产能面临集中释放，市场竞争可能会进一步加剧，行业整体增速或将放缓。 1.存储芯片价格此轮暴涨的原因是什么？未来会如何变化？2.中国存储芯片行业市场规模如何？未来行业将如何发展？3.目前中国在全球存储芯片产业中处于什么地位？ •国产存储市场地位提升，技术发展呈现明显结构性差异。市场层面，长江存储3DNAND全球市场份额突破13%，长鑫存储也成为了全球第四大DRAM厂商，二者打破了海外企业在主流存储领域的长期垄断；技术层面，国内常规DRAM工艺上已达到国际先进水平，3DNAND架构具备独特技术优势，但在上游核心设备方面仍依赖海外。 中国存储芯片行业背景——存储芯片定义与分类 存储芯片也称作半导体存储器，是各类数字化电子设备中实现数据存储的关键元器件；按数据存储特性划分，产品主要分为易失性与非易失性两大类，DRAM、Flash是目前市场上最主流的存储品类 存储芯片行业定义与分类 ➢存储芯片（SemiconductorMemory Chip）又称半导体存储器，是各类数字化电子设备的核心存储元器件，在集成电路产业中占据关键地位；该品类既可寄存设备运行所需的程序代码以实现数据运算，也能临时存放运算环节生成的中间数据与最终运算结果；目前，存储芯片被广泛应用于各种电子设备和系统中，例如个人电脑、智能手机、数码相机、游戏机、汽车电子、物联网设备等，是应用场景覆盖面最广的基础型通用集成电路。 ➢按照功能、读取数据方式与数据存储原理，存储芯片可划分为RAM（易失性存储）与ROM（非易失性存储）。RAM是与CPU（中央处理器）直接交换数据的内部存储器，可随时读写且速度快，但任何RAM中存储的信息在断电后，所存数据将丢失；ROM是一种只能读取事先存储的固态半导体存储器，断电后留存数据不受影响、存储稳定性突出，生产成本低廉，多用于固化程序与固定数据的长期存放。 ➢根据存储原理的不同，RAM又可进一步细分为DRAM（动态易失性存储）和SRAM（静态易失性存储）两种类型：DRAM依托MOS管栅极电容储存电荷实现数据留存，单元架构简易、存取效率出色，但电容存在漏电问题，断电后数据随即清零；SRAM多用于CPU和主存之间充当高速缓存，读写速率为现有存储品类顶尖，缺点是集成度有限、功耗高于DRAM。ROM可分为MaskROM/PROM和Flash（闪存），现阶段Flash为市场主流产品，融合ROM与RAM二者优势，既可电擦写改写数据、高速随机读取，又能在断电后完好保留存储信息。 中国存储芯片行业背景——国际市场动态 2026年初以来，AI与云计算需求推升存储涨价、韩系存储大厂盈利大增，带动三星、SK海力士股价大幅飙升，拉动KOSPI指数近乎翻倍并领跑全球股市，机构仍看好大盘后续上行空间 ➢2026年1月2日至今，SK海力士股价已经由677,000.0韩元上涨至2,263,000.0韩元，累计涨幅高达234.3%；与此同时，三星电子股价也由2026年1月2日的128,500.0韩元暴涨至6月1日的349,000韩元，累计涨幅高达171.6%；受SK海力士与三星电子两大韩国半导体存储器巨头驱动，首尔综合指数（KOSPI）在今年6月1日触及8,788.38点，再次创造新高，并且相较于年初的4,309.63点已经上涨了约103.9%，这也使韩国股市成为了今年在全球表现最优秀的资本市场之一；另外，有权威机构认为KOSPI指数尚有约37%的上涨空间，尽管存在短期回调的可能性，但投资吸引力依然强劲；此轮暴涨的原因主要来自全球对超大规模云计算投资以及与人工智能相关计算需求的不断增长，使得存储芯片价格大幅上涨，并且由于存储生产商拥有较高的运营杠杆，存储芯片价格的上涨正转化为显著的利润增长。 存储芯片行业产业链分析 存储芯片产业链分为上游核心原材料与半导体设备、中游芯片设计与制造、下游终端应用；上游技术壁垒高，中游国产厂商正在加速替代，应用场景多元分散，AI算力正在成为核心增长引擎 产业链价值量占比：15%-25% 核心价值体现：根据市场消费与算力建设需求反向传递产品规格、产能规划等信息，引导存储厂商调整生产结构，同时完成产品价值变现。 核心价值体现：串联上游原辅材料与下游终端市场，经设计、制造、封测、模组加工产出存储成品，根据服务器、PC、车载等下游需求灵活调整产品结构。 ❑特征：应用场景多元分散，涵盖算力服务器、PC、车载电子等领域，需求变化直接反向传导影响上游存储产销与定价，行业市场化竞争充分。 特征：工艺壁垒较高，全球高端市场主要由韩系厂商主导，国内厂商目前在中低端领域已基本实现国产替代，行业盈利目前受AI产业需求影响较大。 www.leadleo.com400-072-5588 存储芯片行业产业链——上游：核心原材料 半导体硅片在晶圆耗材中成本占比最高、价格变动深刻影响存储生产成本；近年来，全球硅片市场总量在波动中扩容，短期价格呈现下行趋势，利好国内存储原厂原料采购 存储芯片上游——核心原材料：硅片 ➢硅片是由高纯结晶硅为材料制造的圆片，一般作为集成电路和半导体器件的载体。与其他材料相比，结晶硅的分子结构非常稳定，很少有自由电子产生，因此其导电性极低。硅基半导体材料产量大、易获取、应用广，其应用覆盖了90%以上的半导体产品。硅是除了氧元素之外第二丰富的元素，以多样的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中，相较于其他半导体材料更加易于获取。 ❑数据统计表明，晶圆制造核心原材料包含半导体硅片、光阻、化学品、特种气体、研磨液、研磨垫、研磨盘及靶材等品类。从成本构成来看，半导体硅片以40.8%的占比位居首位，是晶圆核心原材料中成本占比最高的品类；光阻与化学品分别以14.4%、12.8%的占比位列第二、第三位。因此可以看出，半导体硅片的价格波动能够对存储芯片成本具备显著影响。目前，全球半导体硅片厂商积极扩产，国际头部厂商纷纷宣布扩产计划，以沪硅产业、立昂微为代表的中国半导体硅片企业同样积极推进新增产能生产线的建设。 ❑出货量维度，全球半导体硅片行业规模已经由2016年的107.0亿平方英寸扩张至2025年的129.7亿平方英寸，区间年复合增长率（CAGR）为2.2%，其中2023-2024年受终端需求变化影响，行业进入去库存周期，出货量阶段性回落至122.7亿平方英寸，后续逐步触底回升；价格维度，尽管全球半导体硅片均价从2016年的0.68美元/平方英寸提升至2025年的0.88美元/平方英寸，但相较于去年依然下跌6.4%，意味着全球半导体硅片行业目前依然处于下行周期内，可能为为国内长鑫、长江存储采购原材料带来成本利好。 来源：国际半导体产业协会（SEMI）、中芯国际招股书、头豹研究院 存储芯片行业产业链——上游：半导体设备 高端先进制程AI存储依赖EUV光刻机，中国当前光刻机进口激增、对外依存突出，虽已落地EUV原型机但暂无法量产芯片，国内力争2028至2030年实现国产EUV芯片量产以突破瓶颈 ➢高性能AI用存储芯片必须依托14nm及以下先进制程工艺，而高端光刻机又是实现先进制程工艺的核心设备。近年来，尽管中国正在持续加大加快技术攻关步伐，但在高端光刻机领域仍面临较高的对外依存度。2019-2025年，中国光刻机进口规模快速扩张，2025年进口额达105.7亿美元，同比增长12.7%，2019-2025年年复合增长率高达49.7%。与此同时，自2023年起，ASML来自中国大陆市场的营收呈现高速增长态势，收入占比显著提升。2023年ASML在中国大陆实现收入73亿欧元，同比大幅增长149%，占总营收比重达26%；2024年其来自中国大陆的收入继续保持高增，收入占比进一步提升至42%。随着进口规模与增速持续攀升，国产光刻技术与产业链的显著差距愈发凸显，自主可控迫在眉睫。 ➢据相关消息披露，2025年初，中国科研团队于深圳某保密实验室成功研制出一台EUV原型机，目前该设备处于功能测试阶段。据悉，这款原型机由ASML的前工程师团队主导，采用逆向工程技术路线完成开发；现阶段，设备已实现稳定运行并可成功生成极紫外光束，但尚未具备量产合格芯片的能力。中国政府计划在2028-2030年前依托国产极紫外（EUV）光刻机产出可用芯片，这一时间表较行业分析师此前预估的10年周期显著提前。 存储芯片行业产业链——中游：芯片设计与制造（1/2） NANDFlash价格自2022年长期低迷后于2026年迎来大幅暴涨，机构预判二季度价格续升、行业产值年内高增而后增速放缓，受新产能投产滞后、MLC产能缩减影响供需偏紧 ➢NAND Flash以快速的数据传输速度、耐用性和低功耗著称，其模组主要应用于大容量存储场景如固态硬盘，电子移动终端低功耗场景如嵌入式存储，以及便携式存储场景如U盘、移动硬盘等。2026年前，全球NAND Flash合约价格长期在低位震荡。以NANDFlash512GB合约为例，其价格从2022年10月的4.5美元开始缓慢下行，期间内一度跌至2美元左右的成本线附近；2026年起，该合约价格出现了近乎垂直的暴涨，截至2026年3月已飙升至约22.4美元，相比起点涨幅高达397.8%。 ➢有机构预测，全球NAND Flash合约价格预计在2026年第二季度将会继续环比上涨约70%-75%，届时其价格将会接近40美元；与此同时，全球NAND Flash产值在2026年预计将达到约1.5亿美元，同比上涨111.3%，2027年将会达到1.8亿美元，同比增速回落至19.3%。NAND Flash合约价格的持续上涨与未来产值增幅的收窄，主要是来源于NAND Flash端新增产能预计要到2027年底或2028年才能大规模开出，期间内大部分厂商还将加速收缩或淘汰早年应用于旗舰SSD或U盘的MLC NAND Flash产能，这意味着供应紧张态势仍将持续。在此背景下资金雄厚、价格承受能力强的企业级客户更得供应商青睐，客户端产品的供给则在持续缩减。 ➢在全球NAND Flash市场中，国产替代进程正在显著加快，并且已经取得阶段性成效。市场认为，长江存储在高堆叠层数3D NAND等关键技术上的大规模量产能力正在快速爬坡，目前已经具备了和国际巨头正面竞