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东北计算机 AI加速器与HBM内存发展失衡
2026-08-24
未知机构
Yàng
SK海力士指出,AI时代HBM竞争正转向封装技术,公司正研发相关封装及区域冷却技术,并呼吁产业链协同优化。
美光HBM设计架构研究员警告,AI加速器计算性能每两年增长3倍,而HBM发展速度不足每两年2倍,可能加剧内存短缺。
SemiAnalysis发文称,NAND闪存制造将从钨转向钼,因300层以上制程需钼作为关键材料。
受内存芯片成本上涨影响,明年年初交付、搭载英伟达部分旗舰AI芯片的服务器价格将上涨。
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