NAND制造转向钼字线技术
3DNAND在十年前就停止了侧向缩小，它通过堆叠层来扩展。️"但是当层数超过～300层时，连接每个存储单元的钨字线遇到了瓶颈：电阻太高，基于氟的化学反应导致泄漏，而且在超深孔中填充失败。️解决方案是钼。️更低的电阻（更快的读/写速度），无需氟化物，而且它能更好地填充高深宽比特征。️钼不是一种优化，它对于300+层NAND是必需的。️（1/4）【为何3DNAND存储在300层节点发生技术转向】小于300层：采用钨（W），技术已达极限1.性能受损，信号传输缓慢2.存在漏电风险，制程构建不稳定3.制程构建失败，孔洞深度
你可能感兴趣
有色金属行业点评报告：三星NAND材料引入新元素，钼下游或迎增量
有色金属开源证券2024-07-05
中泰电子拓荆科技全球nand路线转向长存架构混合键合是关键工艺设备
未知机构2025-02-25
刻蚀设备7nm/5nm逻辑、128层NAND技术突破
机械设备华西证券2020-04-16
20260709今日段子汇总1天山电子公司基NAND技术的
未知机构2026-07-10
【财联社早知道】英伟达、AMD等巨头将齐聚这个AI大会，有望成为行业催化，它正在打造AI智能通信技术，且与华为面向AIGC领域展开深度合作;三星即将量产下一代NAND内存，存储芯片市场持续复苏
财联社2023-10-17
【财联社早知道】国资委重磅!优化央企资产评估管理 央企投资价值再次凸显 这家公司是央企旗下唯一A股地产上市公司;三星将展示新型NAND闪存技术，这家公司已形成闪存主控芯片固件方案两大核心技术平台-20240131
未知机构2024-01-31
电子周跟踪：NAND价格Q2看涨，国产设备技术突破密集落地
电子设备山西证券2025-04-02
全球存储技术周报：新加坡投资者乐观，DRAM现货与NAND对比，SK Square，Wonik
电子设备美银证券2026-02-27
电子元器件行业周报：3D NAND技术加速存储国产化进程
电子设备东兴证券2016-08-28
2025存储技术趋势与展望报告：聚焦DRAM和NAND技术
电子设备TechInsights2025-07-15