这份研报分析了兆易创新2026年半年报,指出公司AI驱动存储需求下业绩爆发式增长,上半年营收同比增长178.67%,归母净利润同比增长1091.5%。Q2单季度营收同比增长229.18%,归母净利润同比增长1482.99%。业绩增长主要得益于AI算力需求带动DRAM量价齐升,利基型DRAM、SLC NAND Flash受益海外大厂产能收缩,供需偏紧推动毛利率上行。
AI对半导体行业的发展趋势显著,AI算力需求重构行业逻辑,推动存储芯片需求量价齐升。兆易创新利基型DRAM、SLC NAND Flash业务受益于此,上半年存储芯片营收同比大增245.44%。AI驱动下,公司多线业务齐发力,预计未来三年收入将保持高速增长,为行业带来新的增长空间。
研报重点分析了兆易创新的多元产品线布局与竞争优势。公司深耕利基存储赛道,构建了多品类存储产品矩阵,包括利基型DRAM、SLC NAND Flash、NOR Flash、MCU和传感器业务。公司扩充产品容量与品类,推进LPDDR4X量产,并布局2D MLCNAND,强化综合竞争优势。
当前半导体市场呈现AI需求驱动的量价齐升态势。兆易创新上半年存储芯片营收同比大增245.44%,利基型DRAM、SLC NAND Flash受益海外大厂产能收缩,供需偏紧推动毛利率显著上行。MCU与模拟芯片业务延续向好态势,营收同比增长49.07%。但传感器业务受手机市场拖累下滑,车规级产品出货规模持续突破,汽车市场客户合作不断深化。
研报提示了产能供给及扩张不及预期、上游晶圆成本上行、半导体行业周期性波动、市场竞争加剧等风险。兆易创新虽然多线业务齐发力,但需关注产能扩张是否顺利,以及上游晶圆成本波动对其盈利能力的影响。此外,半导体行业竞争激烈,公司需持续强化技术优势以应对市场竞争。