东芯股份：2026年半年度报告

公司代码：688110 东芯半导体股份有限公司2026年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 五、公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人孙馨及会计机构负责人（会计主管人员）刘海萍声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2026年中期利润分配方案： 1、公司拟向全体股东每10股派发现金红利6.00元（含税）。截至本公告披露日，公司总股本为442,377,391股，扣除公司股份回购专户2,506,895股后的股数为439,870,496股，以此计算拟派发现金红利263,922,297.60元（含税），占公司2026年半年度合并报表归属于上市公司股东的净利润的比例为40.03%。 2、公司拟以资本公积向全体股东每10股转增4.9股，截至本公告披露日，公司总股本为442,377,391股，扣除公司股份回购专户2,506,895股后的股数为439,870,496股，以此计算合计拟转增股本215,536,543股，转增后公司总股本增加至657,913,934股（具体以中国证券登记结算有限责任公司上海分公司最终登记结果为准，如有尾差，系取整所致）。 公司通过回购专用账户所持有本公司股份2,506,895股，不参与本次利润分配及资本公积金转增股本。 自本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，若因可转债转股/回购股份/股权激励授予股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动，公司拟维持每股分配或转增比例不变，调整拟分配的利润总额或拟转增的公积金总额，并将另行公告具体调整情况。 上述利润分配方案已经公司第三届董事会第十五次会议审议通过，尚需提交股东会审议。 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否 十二、其他□适用√不适用 目录 第一节释义..........................................................................................................................................5第二节公司简介和主要财务指标......................................................................................................7第三节管理层讨论与分析................................................................................................................11第四节公司治理、环境和社会........................................................................................................31第五节重要事项................................................................................................................................36第六节股份变动及股东情况............................................................................................................64第七节债券相关情况........................................................................................................................70第八节财务报告................................................................................................................................70 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 二、联系人和联系方式 三、信息披露及备置地点变更情况简介 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他有关资料 □适用√不适用 六、公司主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 √适用□不适用 本报告期，公司实现营业收入14.97亿元，同比增长336.44%；毛利率67.66%，同比增加48.90个百分点。主要系受益于AI算力需求持续爆发，海外存储原厂加速退出利基型市场，供给端收缩态势明显；与此同时，网络通信、工业控制、汽车电子等下游应用需求稳步复苏，利基型存储芯片供需缺口持续扩大，公司所面对的存储芯片市场的供需关系呈现结构性紧缺态势，产品市场价格大幅攀升。公司持续深耕网络通信、监控安防、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等关键应用领域，加速客户拓展与份额提升，有效拉动了业绩增长。 本报告期，公司利润总额75,108.17万元，同比增加88,013.30万元；归属于上市公司股东的净利润65,925.87万元，同比增加77,022.72万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润63,640.20万元，同比增加76,312.60万元；均实现扭亏为盈。净利润显著增长，主要系存储主业景气度持续向好，业绩弹性充分释放所致。在聚焦存储主业的同时，公司围绕“存、算、联”一体化战略持续投入，包括Wi-Fi7芯片的研发推进，以及对GPU芯片的战略投资（本报告期对上海砺算确认的投资亏损约4,159万元）。上述“联接”与“计算”业务板块因产业化进程尚处于初期阶段，对当期利润构成了一定压力，但主业“存储”板块盈利水平的显著提升，足以支撑并覆盖上述战略投入对短期利润的影响。 本报告期，公司经营活动产生的现金流量净额57,248.91万元，较上年同期增加62,888.16万元，大幅增长主要系销售收入增长，销售收款较上年同期增加。 本报告期，公司基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增加1.76元/股、1.76元/股、1.74元/股，主要系本报告期归属于上市公司股东的净利润同比明显增加所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 □适用√不适用 八、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因□适用√不适用 九、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 √适用□不适用 十、非企业会计准则业绩指标说明 □适用√不适用 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。 2、主要产品及服务 存储芯片通过控制存储单元的电荷状态来实现数据的存储与读取，根据断电后数据是否留存，可分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司主要产品涵盖非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash，易失性存储芯片DRAM及衍生产品MCP。（1）NANDFlash NANDFlash即数据型闪存芯片，主要分为两大类：一类是大容量NANDFlash，包括MLC、TLC及3DNANDFlash等，可擦写次数在数百次至数千次，主要应用于大容量数据存储场景；另一类是小容量NANDFlash，以SLCNANDFlash为主，具备高可靠性，可擦写次数高达到数万次以上。公司NANDFlash产品种类丰富，兼具低功耗与高可靠性优势，已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，广泛应用于通讯设备（如5G模块、光猫、企业级网关）、安防设备（智能监控、数字录像机）、便携式智能终端（AI录音卡）、智能穿戴（手表、手环、AI眼镜）、汽车电子及机器人等终端产品。 公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，制程工艺持续演进至1xnm先进水平。产品存储容量覆盖512Mb至16Gb，支持SPI或PPI类型接口，并可选配3.3V/1.8V电压规格，能够灵活满足不同应用领域的差异化需求。在核心技术方面，公司SPINANDFlash采用业内领先的单芯片集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块高度集成，有效缩减芯片面积、降低产品成本，并通过合理的冗余管理策略提升了产品可靠性。在功能及性能表现上，公司产品支持更高的时钟频率与DTR访问模式，具备高数据吞吐率；深睡眠模式的引入则降低了待机功耗，充分契合移动互联与人工智能领域的新需求。在可靠性方面公司产品表现稳 定，单颗芯片可擦写次数超过10万次，并能在-40℃～125℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。 （2）NORFlash NORFlash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列采用并联结构，支持按位随机读取与芯片内执行，具备读取速度快、启动时间短等特点，能够满足应用系统对快速启动与及时响应的需求。 公司专注大容量、低功耗SPINORFlash的设计与研发，采用成熟的ETOX工艺架构。产品存储容量覆盖64Mb至2Gb，支持多种数据传输模式，广泛应用于网络通信、消费电子及汽车电子等领域。在性能与成本控制方面，公司产品时钟频率可高达166Mhz，支持DTR访问模式，配合优化的裸片面积，在数据访问速率、功耗及成本效益上具备了较强的竞争力。此外，ECC、CRC及高级扇区保护模式，有效提升了数据可靠性与访问安全性。目前，公司NORFlash产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。 （3）DRAM DRAM是市场主流的易失性存储芯片，利用电容充放电状态实现数据存储。凭借高存取速度与大带宽优势，常作为系统主存、运行内存，用于临时存放运算数据与指令。 公司布局了利基型DRAM产品，涵盖标准型与低功耗型两大系列。其中，公司研发的DDR3(