
公司代码:688110 东芯半导体股份有限公司2024年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险,敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分,请投资者注意投资风险。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人蒋雨舟及会计机构负责人(会计主管人员)刘海萍声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否 十二、其他□适用√不适用 目录 第一节释义.........................................................................................................................................4第二节公司简介和主要财务指标.....................................................................................................6第三节管理层讨论与分析.................................................................................................................9第四节公司治理...............................................................................................................................28第五节环境与社会责任...................................................................................................................31第六节重要事项...............................................................................................................................32第七节股份变动及股东情况...........................................................................................................63第八节优先股相关情况...................................................................................................................68第九节债券相关情况.......................................................................................................................68第十节财务报告...............................................................................................................................69 第一节释义 在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义: 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 二、联系人和联系方式 三、信息披露及备置地点变更情况简介 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他有关资料 □适用√不适用 六、公司主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 随着网络通信、消费电子等市场的逐步回暖,公司积极把握市场机遇,加大市场拓展力度,有效推动了产品销售。公司持续布局网络通信、监控安防、可穿戴、工业等关键应用和头部客户,并逐步向汽车电子领域不断拓展,2024年上半年公司营业额呈现出上升趋势,销售数量与去年同期相比实现大幅增长。 2024年上半年,公司存储产品市场价格与周期性低点相比有所回升,但仍未完全恢复到去年同期水平,公司仍面临一定的价格压力和挑战。公司正持续优化产品结构和市场策略,以期在竞争激烈的半导体市场中进一步提升市场份额和盈利能力。在此情况下,公司营业收入逐季向好,第二季度营业收入环比第一季度增长50.64%,2024年上半年实现营业收入26,628.36万元,同比增长11.12%。 公司坚持以存储为核心,向“存、算、联”一体化领域进行技术探索,拓展行业应用领域,优化业务布局。公司一方面坚持独立自主研发,在中小容量存储芯片领域继续保持高水平研发投入,不断丰富产品线,推进产品制程迭代,提高产品可靠性水平。另一方面积极扩充研发团队从事Wi-Fi 7芯片的研发设计。报告期内公司研发投入合计10,576.55万元,同比增加26.31%。 本报告期公司经营活动产生的现金流量净额-17,305.00万元,较上年同期有所减少,主要系研发团队的扩充使得支付职工薪酬现金流出增加,以及收到的所得税返还同比减少。 此外,本报告期公司实现归属于上市公司股东的净利润-9,112.11万元,归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-9,914.12万元,较上年同期有所下降,主要系:(1)研发费用增长:公司持续加大研发投入,强化基础技术的研发,不断提升技术创新能力,增强技术领先性,积累核心技术优势,研发人员数量及研发项目有所增加;(2)财务费用增长:存款利率下降和汇兑收益减少;(3)所得税费用增加,上年同期包含企业所得税退税。 七、境内外会计准则下会计数据差异 □适用√不适用 八、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因□适用√不适用 九、非企业会计准则业绩指标说明 □适用√不适用 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 (一)主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 东芯股份是一家聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的存储芯片设计企业,是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司,产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命,以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景,致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及解决方案。公司以存储为核心,同时向“存、算、联”一体化领域进行技术探索,拓展行业应用领域,优化业务布局,以期为客户提供更多样化的芯片解决方案。 2、主要产品或服务 存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储,根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash,易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP: (1)NAND Flash NAND Flash即数据型闪存芯片,分为两大类:大容量NAND Flash主要为MLC、TLC NANDFlash或3D NAND Flash,擦写次数从几百次至数千次,多应用于大容量数据存储;小容量NANDFlash主要是SLC NAND Flash,可靠性更高,擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富,功耗低,具备高可靠性,在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可,主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。公司聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发,主要产品采用浮栅型工艺结构,存储容量 覆盖512Mb至32Gb,可灵活选择SPI或PPI类型接口,搭配3.3V/1.8V两种电压,可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NAND Flash产品核心技术优势明显,尤其是SPINAND Flash,公司采用了业内领先的单颗集成技术,将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内,有效节约了芯片面积,降低了产品成本,提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定,不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次,同时可在-40℃~105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年,产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。 (2)NOR Flash NOR Flash即代码型闪存芯片,主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成,在实现按位快速随机读取数据的同时,允许系统直接从存储单元中读取代码执行,因此具有芯片内执行、读取速度快等特点,通常被用于存储相关数据和代码程序,来满足快速启动应用系统的需求。 公司SPI NOR Flash存储容量覆盖64Mb至1Gb,支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。 (3)DRAM DRAM即动态随机存取存储器,是市场上主要的易失性存储产品之一,通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特(bit)来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点,常被用于系统硬件的运行内存,对系统中的指令和数据进行处理。 公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品,具有高带宽、低延时等特 点,在通讯设备、移动终端等领域应用广泛;公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求,自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点,最大时钟频率可达2133MHz,适用于智能终端、可穿戴设备等产品。 (4)MCP MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用,以共同实现存储与数据处理功能。 公司MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合,Flash和DDR均为低电压的设计,核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中,DDR包含LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x等不同规格,为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和NAND Flash进行合封,简化走线设计,节省组装空间,降低整体系统成本,提高整体集成度和可靠性,适用于PCB布板空间狭小的应用。公司产品凭借设计优势已在紫光展锐、