东芯股份：2025年半年度报告

公司简称：东芯股份 东芯半导体股份有限公司2025年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人孙馨及会计机构负责人（会计主管人员）刘海萍声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义..........................................................................................................................................4第二节公司简介和主要财务指标......................................................................................................6第三节管理层讨论与分析................................................................................................................10第四节公司治理、环境和社会........................................................................................................28第五节重要事项................................................................................................................................32第六节股份变动及股东情况............................................................................................................59第七节债券相关情况........................................................................................................................64第八节财务报告................................................................................................................................65 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 二、联系人和联系方式 三、信息披露及备置地点变更情况简介 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他有关资料 □适用√不适用 六、公司主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用□不适用 本报告期公司实现营业收入34,299.17万元，同比增加28.81%，第二季度营业收入环比第一季度增长41.11%；主要系受益于半导体设计行业景气度回升，网络通信、消费电子等下游市场需求有所回暖，公司积极把握市场机遇，加大市场拓展力度，有效推动了产品销售。公司持续布局网络通信、监控安防、消费电子、工业控制等关键应用，并逐步向汽车电子领域不断拓展，立足头部客户并不断开拓新的客户。报告期内公司产品销售数量与上年同期实现较大增长。随着市场回暖，产品销售价格有所上升，同时公司持续优化产品结构和市场策略、提升运营效率、降低产品成本，报告期内毛利率与上年同期相比有所提升。 本报告期公司利润总额-12,905.13万元，同比亏损金额增加3,577.71万元，归属于上市公司股东的净利润-11,096.85万元，同比亏损金额增加1,984.74万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-12,672.40万元，同比亏损金额增加2,739.98万元。报告期内公司仍面临一定的盈利压力，主要因素如下：（1）持续保持高水平研发投入，推动存储芯片制程升级及可靠性水平提升，并以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域布局，其中Wi-Fi板块仍需一定的研发持续投入；（2）为支撑业务拓展和市场深耕，公司升级战略布局体系、拓展销售渠道，同时注重品牌建设和市场推广，管销费用随之上升；（3）由于银行存款利率的下降导致的利息收入下降以及汇兑损失增加，公司财务费用大幅增加；（4）公司对外投资上海砺算，确认的投资亏损5,231.11万元。 本报告期经营活动产生的现金流量净额-5,639.25万元，上年同期-17,305.00万元，增加11,665.75万元。主要系销售回款增加所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 □适用√不适用 八、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因□适用√不适用 九、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 √适用□不适用 十、非企业会计准则业绩指标说明 □适用√不适用 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 公司主营业务围绕利基型存储芯片设计领域，是目前大陆为数不多能同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。公司产品主要应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域。公司秉持“提供高可靠的存储产品设计及方案”为使命，并以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，努力通过自主研发的知识产权、稳定的供应链体系以及高可靠性的产品为客户提供优质的存储产品及解决方案。目前公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。 2、主要产品及服务 存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP： （1）NANDFlash NANDFlash即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量NANDFlash主要为MLC、TLCNANDFlash或3DNANDFlash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量NANDFlash主要是SLCNANDFlash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。 公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NANDFlash产品核心技术优势明显，尤其是SPINANDFlash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，合理分布冗余提升了产品可靠性，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性、可靠性等方面表现稳定，不仅在工业温 控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。 （2）NORFlash NORFlash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。 公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX工艺的SPINORFlash，自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至2Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。 （3）DRAM DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。 公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。 （4）MCP MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。 公司的NANDMCP产品集成了自主研发的低功耗1.8vSLCNANDFlash闪存芯片与低功耗设计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。其中，DDR规格包括LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和基于NAND的技术优化结合在一起简化了走线设计，节省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定性。客户在使用NANDMCP产品时可以减小PCB的布板空间,降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。 （5）技术服务 公司拥有自主完整的知识产权，拥有完整的设计团队、测试团队和应用环境分析团队，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本、加速产品分析速度，提高产品开发效率和成功率。 (二)主要经营模式 公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户