长电科技 封测景气业绩兑现 先进封装扩产加速

#HBM#紧缺背景下，公司核心卡位国产HBM先进封装 #核心逻辑：周期向上+先进封装+国产AI三重共振，业绩底与成长弹性双强化 AI算力、存储复苏及国产替代共同拉动封测需求，传统封测稼动率抬升、中高端占比改善，行业从“景气预期”步入“利润兑现”阶段；国产AI芯片加速向Chiplet+HBM演进，先进封装从工程验证迈向规模量产。长电作为国内头部封测平台，是本轮“传统盈利修复+先进封装价值提升”核心受益标的。 #业绩兑现：Q2盈利显著改善，传统封测进入加速释放期 公司Q2利润端明显修复，与同行共同验证行业景气向上。AI、存储需求回暖叠加国产化释放，头部厂商稼动率与产品结构持续优化；海外龙头先进封装最高涨价20%，印证环节供需趋紧、议价能力提升。26H2迎电子传统旺季，公司具备稼动率提升、结构升级、价格改善三重盈利弹性，传统业务筑牢全年业绩底部。 #成长弹性：CoWoS-L打开国产AI先进封装长期成长空间 下一代AI芯片向多Die+多HBM架构演进，封装面积与互联复杂度大幅提升，CoWoS-L凭借大封装面积与扩展能力，成为高性能AI芯片核心技术方向。其核心壁垒在SiBridge、细线宽RDL、整包良率等系统工艺能力，当前国内处于验证向量产过渡阶段，经客户认证的有效产能稀缺。长电作为头部OSAT，平台能力与客户资源优势将随国产AI放量持续兑现。 #价值量提升：Chiplet+HBM同步放大封装与先进测试价值 先进制程受限背景下，国产算力性能提升依赖“制程+架构+先进封装+先进测试”系统创 新。单颗AI芯片集成多颗高价值Die及HBM后，单点失效代价显著提升，KGD、ATE/SLT、可靠性测试等环节重要性快速抬升。封测从单纯加工升级为决定芯片性能、良率、成本的核心环节，单颗价值量持续上行，公司同时受益封装复杂度提升与测试需求增长。 #扩产兑现：先进封装资本开支加速，进入产能与订单共振阶段 国内头部封测厂持续加码先进封装资本开支，CoWoS-L扩产带动RDL、Bump、TCB及先进测试等环节需求增长。行业稀缺资源已从“规划产能”转向“客户验证后可稳定量产的有效产能”。伴随国产AI芯片进入规模出货期，头部客户对技术、良率、交付能力要求提升，产业份额将持续向长电等头部平台集中。 #结论：传统业务筑业绩底，先进封装定成长上限，戴维斯双击 封测行业已进入“传统业务业绩兑现+先进封装成长加速”双重验证阶段。短期看，26H2传统旺季、存储景气与稼动率改善推动盈利持续释放；中长期看，国产AI芯片向Chiplet+HBM演进，CoWoS-L及先进测试将成为26-27年算力产业链核心增量。长电科技兼具传统业务修复确定性与先进封装长期成长弹性！