一、薄膜铌酸锂:定义高端光模块的性能上限,公司卡位高壁垒环节布局量产
(1)硅光带宽上限60-70GHz,高频失真严重;薄膜铌酸锂调制器商用带宽达110-170GHz,是800G向1.6T/3.2T跨越的几乎唯一确定性路径,决定高端光模块的性能上限。未来三年CAGR接近300%,供需缺口持续扩大。3.2T预计2027年出货。
(2)薄膜铌酸锂晶圆制备五大工艺流程中硅异质键合是最难的环节。公司大股东韦豪创芯孵化的青禾晶元,为国内唯一高端键合设备制造企业,并开发出全套面向量产的工艺方案。依托股东赋能,成品键合片直接对接全球头部光通信Fab厂。