2026年第二季度财报优于预期·EML激光及NPO/CPO均有布局

2Q26財報優於預期，EMLLaser及NPO/CPO均佈局 收盤價(2026/08/12)：NT$2725.0隱含漲幅：17.4% 目標價(12個月)：NT$3200.0 買進(維持評等) 營收組成(2Q26) 元大觀點 Datacom 80-85%、Telecom 5-10%、Others 5%。 2Q26 EPS4.62元，獲利優於預期10%，因產品組合優化及新產能量產順利使毛利率優於預期3.1百分點達57.5%。 CW Laser於1.6T應用已開始出貨；公司亦佈局EML Laser及NPO/CPO之插拔式模組，持續優化產品組合。 估2026/2027年EPS為19.3元/47.1元，年增316%/145%，獲利上修12%/27%；以2027年估計EPS及68倍PE得出目標價。 2Q26獲利優於本中心預期10%，3Q26上修獲利23% 2Q26營收12.2億元，季增35%且年增121%，毛利率57.5%優於原估計3.1百分點，故獲利優於本中心/市場預期10%/21%，EPS 4.62元，年增384%；優於預期主因毛利率受到下列因素影響；1)產品組合中的高端產品比重拉升；2)新建置產能包含MOCVD及奈米壓印(E-Beam之外的第二種微 影 設 備)量 產順 暢。3Q26營 收估 計 為14.4億 元 ， 季 增18%且 年 增160%，毛利率上修2.4百分點至56.8%，獲利上修23%至EPS 5.44元；上修獲利的原因與2Q營運優於預期相同，營收上修因7月營收達5億元。 佈局EMLLaser及NPO/CPO之插拔模組，持續優化產品組合 聯亞CWLaser以主流的400G及800G光收發模組應用為主，惟1.6T應用已開始出貨；其亦佈局EML Laser產品，二者具不同的特色及優勢故有不同應 用 。 此 外 ， 近 年 成 長 動 能 來 自 光 收 發 模 組 需 求 ， 而 未 來 具 機 會 的NPO/CPO之ELS(External Laser Source；外置光源)插拔式模組已與客戶共同開發，為300mW以上產品，較主流的70-100mW為高，惟估計2028年之前貢獻不顯著。聯亞生產CWLaser主要為多波長產品，較單波長產品的製程及產品線路設計較更複雜。公司在過去三季已有60億元的資本支出，估計2027年底產能增加150%，後續再佈局2028-2030年新增產能。 產品組合與良率提升併進，看好產業及公司營運展望 聯亞在的雷射技術位於全球前段班，設備佈局早於市場同業而跟上市場趨勢成長，由於2027年產能將增加150%且2Q26的毛利率已升至57.5%。基於 上 述 因 素 ， 本 中 心估 計2026/2027年 營 收 年 增134%/104%， 上 修6%/19%；EPS為19.3元/47.1元，年增316%/145%，上修12%/27%。今年股價本益比為40-85倍，且估計2028年-2030年營運持續大幅成長；本中心採2027年估計EPS以68倍目標本益比(前次採65倍本益比)給予目標價3,200元，評等為買進。 陳玫芬合格證券投資分析人員& CFPLisa.mf.chen@yuanta.com 葉建伸jasperyeh@yuanta.com 營運分析 2Q26獲利優於預期10%，3Q26上修獲利23%；因產品組合新產能順暢 2Q26獲利優於本中心/市場預期10%/21% EPS 4.62元，年增384%；優於預期主因毛利率57.5%優於原估計3.1百分點，毛利率正面影響因素為：1)產品組合中的高端產品比重拉升，1.6T產品開始放量出貨；2)新建置產能包含MOCVD及奈米壓印(E-Beam之外的第二種微影設備)量產順暢。3Q26因為相同的原因而本中心上修毛利率上修2.4百分點至56.8%；故獲利上修23%至EPS5.44元；營收上修則因7月營收已達5.01億元，8月及9月營收預期與7月相距不遠。 TrendForce於2026年5月估計全球九大CSP的資本支出8,300億美元，年增率79%，九大CSP包含美系Google、AWS、Meta、Microsoft、Oracle以及中系的ByteDance、Tencent、Alibaba、Baidu。其中Microsoft及Google年增率超過1倍，因應AI雲端服務需求；至2025年底為止，上述北美五大CSP已於全球部署800-900座資料中心。 聯亞生產CW Laser主要為多波長產品，較單波長產品的製程更複雜 多波長與單波長連續波雷射（CW Laser）的核心差異在於發射的光波頻率（顏色/波長）數量，單波長僅有一個固定波長；多波長包含兩個或以上的相異波長。單波長技術成熟、市面供應商多；多波長涉及多頻率控制，設計與製造難度較高，可透過分波多工(WDM)技術大幅提升資料傳輸率(如支援1.6T、3.2T等高階光模組）。在光柵結構與微影製程部份(Grating & Lithography)，單波長產品只需一次標準的磊晶生長，故微影設備使用Stepper即可量產；多波長產品一顆晶圓或晶粒(Die)上產生不同的波長，磊晶時必須使用不對稱量子井，或透過選擇性區域磊晶(SAE,Selective AreaEpitaxy)技術，故多採用高成本、速度慢的電子束（E-beam）直接寫入。 資料來源：公司資料、元大投顧整理 資料來源：公司資料、元大投顧整理 產業概況 光收發模組中的光傳輸元件供應鏈含磊晶、晶圓製造、封裝及終端模組 光傳輸元件係利用半導體光能及電能可相互轉換之特性，光纖是目前已知傳輸介質中速度最快的，具備通信容量大、傳輸距離遠、抗電磁干擾、傳輸損耗低、信號串擾小、重量輕、保密性佳等優點，是光傳輸的最佳選擇。三五族半導體磊晶相較於技術成熟的矽製程半導體特性不同，GaAs(砷化鎵)及InP(磷化銦)均為高電子遷移率的化合物半導體，InP適用於更高頻率的高速光纖通訊，VCSEL適用於短距光通訊傳輸，為GaAs製程。 光收發模組將於800G及1.6T高速成長且再向更高速邁進，產品升級且難度提升 AI推動全球資料使用量正急遽增長，對高速網路傳輸速率的需求持續攀升。光收發模組(OpticalTransceiver)扮演關鍵角色，負責完成光信號與電信號之間的轉換與傳輸。隨著資料中心規模持續擴張，未來對光收發模組的需求預計將與日俱增；由早期的100G，逐步發展至當前的400G、800G，並邁向未來的1.6T乃至3.2T。預期400G於2025年為主流出貨量估3,200萬個，800G估計2025/2026年為1,800萬/3,500萬個，1.6T為270萬/1,300萬個。估計800G以上的光收發模組而言，2026年5500萬個，2027年為1.05億個；此外，估計全球NPO/CPO交換機的Port數於2026年為100萬個，2027年為500萬個，2028年為1000萬個，亦需搭配插拔式的模組。 資料傳輸朝更高速增長使PIC設計更重要；LPO及CPO亦需插拔式光模組 AI交換機(Switch)單埠（Port）的傳輸資料量主要取決於交換機的世代技術，2026年主流為單Port800G的傳輸速率採8通道且單埠每秒可傳輸約100 GB的資料；1.6T（1.6 Tbps）採8通道且單埠每秒可傳輸達200 GB的資料；未來若發展3.2T將採8通道且單埠每秒可傳輸達400 GB的資料。CWLaser由PIC(Photonic Integrated Circuit)處理調變，故PIC的設計至關重要。此外，LPO（Linear-drive Pluggable Optics，線性驅動可插拔光學）透過移除傳統光模組中的數位訊號處理器（DSP），降低50%功耗且降低延遲，並保有模組可插拔的靈活性，800G/1.6T高速網路世代的熱門解決方案。CPO（Co-Packaged Optics；共同封裝光學）光子積體電路（PIC）與電子積體電路（EIC）共同封裝在同一個載板上，Nvidia已推出CPO之AI交換機(Switch)，採ELSFP（External Laser Small Form Pluggable，外接雷射光源模組），調變晶片靠近ASIC位置以縮短傳輸距離及降低功耗；ELSFP將容易受温度影響且壽命較短的雷射光源獨立出來，放在主機板邊緣作為標準化插拔模組，不僅提升散熱效率，也解決CPO系統的維護難題。 獲利調整與股票評價 技術領先市場且佈局完整，預期產品組合優化持續且營運展望正向 聯亞新產能建置使2027年底產能提升150%，且因產品組合及新產能良率優於預期而使2Q26毛利率升至57.5%，由於產品組合優化及新產能運作順暢優於預期，本中心上修2026/2027年營收6%/19%，毛利率上修2.0/2.5百分點，獲利上修12%/27%，EPS為19.3元/47.1元。本中心採2027年估計EPS以68倍目標本益比(前次採65倍本益比)給予目標價3,200元。 資料來源：公司資料、元大投顧、CMoney 資料來源：公司資料、元大投顧、CMoney 公司簡介 以MOCVD磊晶為核心技術的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體廠，矽光應用為成長動能 聯亞營運總部位於台灣南科，為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體MOCVD磊晶廠，產品包含磷化銦(INP)、砷化鎵(GaAs)磊晶及晶粒，應用以矽光(Datacom)及通訊(Telecom)為主，屬於光主動元件。成長動能來自矽光應用的光收發模組(Optical Transceivers)之上游PD(Photodetector)及LD(Laser Diode)，聯亞積極與國際大廠合作開發資料數據中心使用的100G、400G、800G、1.6T之高速模組的雷射磊晶片。 資料來源：公司資料、元大投顧整理 資料來源：TrendForce、元大投顧整理 資料來源：CMoney、公司資料 資料來源：CMoney、公司資料 資料來源：CMoney、公司資料 資料來源：CMoney、公司資料 ESG分析 分別藉由「在ESG議題上的曝險」和「個別公司在ESG議題上的執行力」兩個面向來衡量公司於ESG上的表現。 ►ESG總分：聯亞整體的ESG風險評級屬於高風險，於Sustainalytics資料庫所覆蓋的公司中排名亦排行於略為落後的位置，在半導體行業中的公司中排名亦略為落後同業。 ►在ESG議題上的曝險：聯亞的整體曝險屬於中等水準，約等於半導體行業的平均水準。公司較需要改善的ESG議題包含人力資本、商業道德和資源利用。 ►個別公司在ESG議題上的執行力：聯亞採取了一些舉措來管理與重大ESG問題相關的風險，但是，公司缺乏關鍵領域的政策和計劃。儘管如此，該公司尚未捲入任何重大ESG相關爭議。 附錄：重要揭露事項 分析師聲明 主要負責撰寫本研究報告全文或部分內容之分析師，茲針對本報告所載證券或證券發行機構，於此聲明：(1)文中所述觀點皆準確反映其個人對各證券或證券發行機構之看法；(2)研究部分析師於本研究報告中所提出之特定投資建議或觀點，與其過去、現在、未來薪酬的任何部份皆無直接或間接關聯。 投資評等說明 買進：根據本中心對該檔個股投資期間絕對或相對報酬率之預測，我們對該股持正面觀點。此一觀點係基於本中心對該股之發展前景、財務表現、利多題材、評價資訊以及風險概況之分析。建議投資人於投資部位中增持該股。 持有-超越同業：本中心認為根據目前股價，該檔個股基本面吸引力高於同業。此一觀點係基於本中心對該股發展前景、財務表現、利多題材、評價資訊以及風險概況之分析。 持有-落後同業：本中心認為根據目前股價，該檔個股基本面吸引力低於同業。此一觀點係基於本中心對該股發展前景、財務表現、利多題材、評價資訊以及風險概況之分析。 賣出：根據本中心對該檔個股投資期間絕對或相對報酬率之預測，我們對該股持負面觀點。此一觀點係基於本中心對該股之發展前景、財務表現、利多題材、評價資訊以及風險概況之分析。建議投資