半导体行业周报：寒武纪上半年营收高增，SK海力士投资新建DRAM/NAND晶圆厂

半导体行业周报 投资评级：（）报告日期：推荐维持2026年08月10日 ◼分析师：庄宇◼SAC编号：S1050525120003◼联系人：石俊烨◼SAC编号：S1050125060011 投 资 要 点 寒武纪上半年营收高增，国产AI芯片龙头持续兑现业绩 8月7日晚间，国产AI芯片龙头寒武纪发布2026年半年度报告，业绩持续高增。上半年实现营业收入59.96亿元，同比增长108.13%；归属于上市公司股东的净利润23.11亿元，同比增长122.61%；扣非净利润约21.66亿元，同比增长137.30%；基本每股收益3.68元，同比提升119.05%。公司表示，营收增长主要系持续拓展市场、积极助力人工智能应用落地所致。截至2026H1，公司总资产达181.99亿元，较上年末增长35.43%；净资产135.55亿元，增长14.53%。 SK海力士投资约54.3万亿韩元新建龙仁Y2及清州M17晶圆厂 8月7日消息，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布，公司董事会决议通过，将投资54.3万亿韩元（约合人民币2600亿元）分别在韩国龙仁和清州新建晶圆厂。其中龙仁"Y2"晶圆厂投资35.2万亿韩元，清州"M17"晶圆厂投资19.1万亿韩元。该计划是落实公司2026年6月公布的中长期投资策略的关键进展。龙仁Y2晶圆厂总建筑面积约113万平方米，计划2026年7月开工，2029年6月启用首个无尘室，主要生产HBM等新一代 DRAM产品。清州M17晶圆厂总建筑面积约68万平方米，计划2027年2月动工，2028年12月启用首座无尘室。SK海力士此前已将龙仁半导体集群的整体竣工时间由原定的2045年大幅提前至2033年，完成四座晶圆厂的全部建设。根据市场调查机构Omdia预测，从2025年至2030年，DRAM和NAND Flash市场需求年平均增长率将达19%。SK海力士表示，存储芯片已从普通零部件升级为决定AI性能的核心基础设施，进入结构性增长阶段。 建议关注：长鑫科技、华虹宏力、兴森科技、寒武纪。 诚信、专业、稳健、高效 风 险 提 示 半导体出口管制及制裁加码风险晶圆厂扩产进度不及预期风险核心技术研发进展不及预期风险地缘政治环境不稳定风险重点覆盖公司业绩不及预期风险 3.行业动态4.公司公告1.半导体板块周度行情分析2.行业高频数据 目录 CONTENTS 0 1半导体板块周度行情分析 1.1、周涨幅排行 8月3日-8月7日当周，海外龙头总体呈震荡分化态势。其中，稳懋领涨，涨幅为24.28%，艾睿电子领跌，跌幅为6.03%。 1.2、申万一级行业估值水平 8月3日-8月7日当周，申万半导体指数整体呈现反弹态势。8月7日，申万半导体指数为10186.81，周涨幅为9.99%。 1.3、半导体细分板块周度行情梳理 半导体细分板块比较，8月3日-8月7日当周，半导体细分板块全部上涨。其中，半导体材料板块涨幅最大，达到20.22%；数字芯片设计板块涨幅最小，达到7.30%。估值方面，半导体材料、模拟芯片设计、分立器件板块估值水平位列前三。 1.4、申万二级行业板块资金流向 上周申万行业资金流向情况：其他电源设备Ⅱ板块主力净流入19.08亿元，主力净流入率为2.21%，在9个二级子行业中排第1名；航天装备 Ⅱ板块主力净流出2.71亿元，主力净流入率为-0.86%，在9个子行业中排第9名。 1.5、半导体板块公司周涨幅前十股票 8月3日-8月7日当周，半导体板块公司周涨幅前十个股：科翔股份，方邦股份，腾景科技，沃格光电，富信科技，天孚通信，和林微纳，芯碁微装，菲沃泰，汇成股份，周涨幅分别为：54.62%，41.53%，38.95%，38.18%，36.85%，34.89%，33.58%，31.29%，30.21%，27.72%。 0 2行业高频数据 2.1、半导体：费城半导体指数 海外方面，8月3日-8月7日当周，费城半导体指数总体呈现震荡反弹态势，2026年8月7日下跌至12356.79。更长时间维度上来看，2023年年底开始持续上涨。2024年上半年整体处于上升态势，7月出现大幅回调，8月处于震荡下行行情，9月出现探底回升，四季度总体处于震荡的态势。2025年一季度呈现先涨后跌的走势，4月后逐渐回升，二季度三季度均呈现震荡上行的态势。2026年七月以来，指数在6月达到阶段高点后持续回落，7月下旬触底后呈现震荡回升态势。 2.2、半导体：台湾半导体行业 此外，我们选取台湾半导体行业指数来观察行业整体景气。近两周来看，7月27日-8月7日两周，台湾半导体行业指数呈现震荡态势。近两年来看，2024年二季度台湾半导体指数呈现上涨的态势，随后进入震荡行情。2025年一季度台湾半导体指数进入下跌的行情，随后进入上行的趋势。2026年七月以来，指数在月初达到阶段高点后持续回落，呈现震荡下跌态势。 2.3、半导体：中国台湾IC产值同比增速 中国台湾IC各板块产值同比增速自2021年以来持续下降，从2023年Q2开始陆续有所反弹，各板块产值降幅均有所收窄。IC板块整体表现不佳，主要因为消费电子需求差，导致IC设计下滑，加之2021年缺货、涨价导致的2022年库存水位上升。但随着AI、5G、汽车智能化等应用领域的推动，2024年需求开始逐步回升。2025年，中国台湾IC设计、IC制造以及晶圆代工产值同比增速小幅下滑；中国台湾IC封装、测试业产值同比增速为维持平稳的增速；中国台湾存储器制造业进入下半年来，产值同比大幅提升。2026年一季度，中国台湾IC各板块产值同比增速全面上行。在AI算力需求持续旺盛及存储器行业周期复苏的推动下，2026年Q1中国台湾IC产业景气度显著上行。图表11：中国台湾IC各板块产值当季同比变化（%） 2.4、半导体：全球半导体销售额 全球半导体销售额自2024年年底出现小幅下降。2025年4月以来，全球半导体销售额呈现逐月攀升的态势，半导体行业景气度提升显著，2025年6月增速开始放缓，7-10月增速开始回升。2026年6月，全球半导体当月销售额为1344.5亿美元，同比增长123.60%。其中，中国销售额为361.10亿美元，环比增长10.39%，占比达26.86%。 2.5、半导体：全球主要地区的半导体设备当季销售额 2005年以来，全球主要地区的半导体设备当季销售额呈现上升的趋势。2008~2009年，受全球金融危机等因素影响，各地区半导体设备销售额大多出现下滑。2020~2025年，随着5G、人工智能等技术发展带来的半导体需求增加，全球半导体整体呈现增长态势，中国大陆和中国台湾增长较为显著。2026年一季度，中国大陆半导体设备销售额达到109.9亿美元，同比增长7.12%，环比下降16.30%，占全球主要地区比重达34.56%。 图表14：全球半导体设备销售额（十亿美元） 2.6、半导体：中国进口半导体设备数量 从中国进口半导体设备数量的维度来看，2023年以来，中国的半导体设备进口数量整体呈现平稳的态势。2026年1-2月进口数量阶段性回落，3月起持续回升，6月达7583台，4-5月连续两月维持在较高水平，显示国内晶圆厂扩产需求旺盛。 2.7、半导体：海外市场半导体设备出口额 从海外市场半导体设备出口额的维度来看，2019年以来，韩国和中国台湾的半导体设备出口金额整体维持平稳的态势，日本半导体设备出口额整体呈现上升趋势。2026年以来，日本半导体设备出口额持续攀升并创阶段新高；韩国出口额近期大幅回升，中国台湾出口额高位有所回落。 2.8、半导体：晶圆制造 晶圆制造方面，2018年至2025年9月，国产晶圆代工厂商中芯国际8英寸晶圆月产能从约45万片稳步提升至约102.3万片，实现翻倍以上增长，并历经稳步爬升、加速扩张及快速扩产三个阶段，尤其在行业调整期间中芯仍坚持逆周期布局，为后续复苏储备了充足产能。 产能利用率清晰地映射行业周期，从2020-2022年高景气期多次超过100%，到2023年下行期下滑至68.1%，随后自2023年第三季度起强劲反弹，至2025年第三季度已恢复至95.8%的高位，接近满产状态。在产能大幅扩张与利用率快速回升的共同推动下，季度出货量规模显著跃升，2025年第三季度达到近250万片，创历史新高，即便利用率未及上轮峰值，实际产出总量已远超以往。2026年一季度8英寸晶圆出货量达到约250.9万片，维持历史高位。整体来看，国产晶圆代工厂通过逆周期扩产把握了复苏机遇，出货规模的突破体现规模效应增强，也印证了汽车电子、工业控制、物联网等领域对成熟制程芯片需求的持续性与增长潜力。 2.9、半导体：存储芯片 存储芯片方面，由于AI存力需求提升以及海外大厂产能切换HBM等缘故，导致传统DRAM以及NAND类存储芯片价格大幅攀升。NAND方面：Wafer:512GbTLC现货平均价从2024年3月底进入小幅回升，10月出现小幅下跌后变化趋于平缓，2025年3月以来小幅上涨，4月后价格略有下滑，7月后价格进入加速上涨阶段。2026年8月3日价格为20.13美元。DRAM方面：DDR5(16Gb,4800/5600Mbps)现货平均价自2025年以来呈现大幅上涨态势，2026年3月初约 39.67美 元，此 后 延 续 上 涨，截 至8月7日 价 格 已 达51.60美 元。DDR4各 规 格 产 品 分 化 运 行，16Gb(2Gx8)3200Mbps现 货 价 由6月18日 的69.13美 元 进 一 步 升 至8月7日 的86.27美 元，16Gb(1Gx16)3200Mbps现货价由6月18日的66.00美元回落至8月7日的60.17美元。整体来看，在AI需求拉动及供给端产能转向HBM的背景下，DRAM价格整体延续分化上涨态势，主流规格持续走高，部分规格高位震荡回调。图表18：DRAM价格（单位：美元） 2.9、半导体：存储芯片 0 3行业动态 3.1、行业动态整理 三星：年底前建泰勒二厂，存储芯片产能优先供应长约客户 三星电子在不久前的第二季财报电话会议上宣布，将于2026年底前，开始在美国德克萨斯州泰勒市（Taylor）建造第二座晶圆厂。同时，面对日益成长的AI客户需求，三星还计划将60%至70%的记忆体产能分配给长期供应合约（LTA）。 三星电子晶圆代工事业部副社长（副总裁）兼晶圆代工战略营销团队负责人Kang Seok-chae表示，泰勒一厂（Taylor Fab 1）预计于2026年内正式投产。在一厂投产后，三星将逐步扩大2nm制程产能，并预计于2027年达成全面量产的目标。至于，泰勒二厂的商业化量产目标则设定在2030年。此外，由于客户对1.4nm制程技术的询问度提高，三星正积极评估追加制造空间的可能性。 在制程资源配置上，三星正持续将产能从成熟制程转移至高毛利的先进制程。目前，8nm与17nm制程、CMOS图像传感器（CIS）以及嵌入式非易失性存储（eNVM）需求持续强劲，且8nm以下制程的产能利用率已接近满载。 KangSeok-chae指出，随着产能利用率提高、良率改善及价格回升，晶圆代工业务的获利能力将较2025年大幅改善，并有望在近期实现转亏为盈。针对存储芯片业务，随着AI基础建设投资加速，长期供应合约（LTA）的重要性显著提升。三星存储战略营 销负责人Kim Jae-jun指出，三星已与全球五大数据中心客户签署LTA，并正与另外五家大型AI相关客户进行最后谈判。由于长约需求已超过三星目前的供应能力，三星决定将高达60%至70%的长期产能用于履行LTA承诺。 据了解，三星的LTA合约通常为期5年，并设有年度延展的滚动式更新机制。针对标准型存储产品，合约中包含最低价格条款，以降低市场低迷时的风险。此外，为加强合约约束力，合约规定了高额的前期预付款，目前三星已收到已签署合约中约四分之一的预付款。 3.2、行业动态整理 TeraFab将制造DRAM，特斯拉已开始招聘相关