核心观点与关键数据
AI发展带动HBM需求爆发，DRAM供需持续偏紧，全球存储进入新一轮扩产周期
- AI训练及推理需求持续增长，推动GPU、ASIC等AI芯片出货量快速提升，单芯片HBM容量、堆叠层数及带宽持续升级，HBM需求呈现量价齐升趋势。
- 全球HBM wafer需求将由2024年的2.9万片/月增长至2028年的44.2万片/月，年均复合增速超过90%。
- AI对存储的挤出效应未来两年内仍难缓解，全球DRAM供需仍将维持紧平衡，国内外存储厂商扩产需求具备较强持续性。
HBM带动存储制程升级，设备投资额与资本开支同步提升
- 随着HBM向HBM4、HBM4E持续演进，DRAM制程不断升级，3D NAND同步向更高层数发展，先进存储单位产能对应设备投资额持续提升。
- 刻蚀、薄膜沉积、量检测等关键工艺的重要性进一步提高，设备数量及工艺复杂度同步增加。
- 薄膜、刻蚀及量测设备合计占存储设备资本开支超过50%，将充分受益于本轮存储扩产周期。
国内外存储同步扩产，平台化设备龙头及核心环节有望持续受益
- 海外三星、SK海力士、美光持续加大HBM及先进DRAM产能投入，国内长鑫存储、长江存储扩产节奏同步加快，国产存储市占率有望持续提升。
- 平台化设备商将凭借产品覆盖度持续提升率先受益，同时薄膜沉积、刻蚀、量检测等高价值量环节也将迎来更大的成长空间。
投资建议
- 看好前后道半导体设备+零部件厂商，重点推荐前道设备【北方华创】【中微公司】【迈为股份】【芯源微】【屹唐股份】【中科飞测】【精测电子】【天准科技】【拓荆科技】【微导纳米】【先导基电】【华海清科】【盛美上海】【晶盛机电】。
- 后道设备【长川科技】【华峰测控】。
- 材料和零部件环节【富创精密】【新莱应材】【英杰电气】【汉钟精机】【晶盛机电】。
- 建议关注后道设备【联讯仪器】【精智达】【联动科技】。
风险提示
- 半导体行业投资不及预期，设备国产化进程不及预期，技术迭代及工艺路线变化风险。
研究结论
- AI算力需求持续扩张，驱动芯片出货量保持高增长，英伟达仍占据市场主导地位，但市场供给结构有望逐步多元化。
- AI芯片迭代驱动HBM容量与带宽持续升级，HBM需求增长趋势明确，AI算力需求推动下，存储产能向HBM倾斜。
- 全球模型数量及能力不断提升，带动算力需求增长，AI在下游应用的渗透率不断提升，驱动推理token调用量高增长。
- AI芯片出货持续高增，英伟达占据市场主导地位，市场供给结构有望逐步多元化。
- AI芯片迭代驱动HBM容量与带宽持续升级，HBM需求增长趋势明确。
- AI算力需求推动下，存储产能向HBM倾斜，AIHBM对存储产能的挤占在未来两年内仍难缓解。
- 国内消费电子和汽车电子作为存储下游第一大终端，对存储芯片的需求正不断提升，但存储涨价潮致2026年全球智能手机出货量/出货预期大幅下降。
- 国内低端机型对存储成本敏感，存储涨价大幅压缩了该类型手机利润空间，中端定位新能源车受存储涨价影响同样严重，月销量自2026年以来严重下滑。
- 整车存储成本占比进一步提高，新能源汽车行业的利润空间在本轮存储涨价潮中被严重压缩。
- 海外存储成本上涨已传导至下游C端，AI服务器存储成本占比快速提升，存储价格或将影响整体CAPEX。
- 存储高价或反噬终端需求，海外玩家加快扩产缓解供需错配，AI需求持续增长，中韩存储龙头加速扩产。
- 全球存储龙头产能领先，国内厂商扩产空间广阔，长江存储&长鑫存储全球市占率稳步提升，后续空间非常广阔。
- 存储制程节点演进，带动设备投资额持续增长，存储扩产将显著利好薄膜、刻蚀、量测等高占比核心设备。
- 北方华创积极推进平台化布局，产品矩阵与存储扩产设备需求高度吻合，中微公司刻蚀+薄膜构建基本盘，平台化布局量检测、电镀、清洗&CMP设备，拓荆科技为薄膜沉积设备龙头，产品卡位存储扩产重要环节，微导纳米存储&逻辑市场开拓顺利，迈为股份前道设备加速突破，积极布局刻蚀、薄膜设备。
