这份研报主要分析了存储行业的市场现状和未来发展趋势。报告指出,AI技术对HBM、DRAM及NAND的需求持续处于高位,虽然海外厂商积极扩产,但整体供不应求的趋势可能持续到2027年第四季度。HBM价格可能随HBM4/HBM4E上市而攀升,技术门槛高导致价格快速上升,毛利率倒挂或收窄。DRAM加速扩产,供需缺口使价格波动相对温和,长协签订或使之后价格变化更加温和。NAND厂商扩产策略更积极,但短期供不应求或持续,NAND单价上涨趋势或持续。
存储行业未来发展趋势向好,AI技术驱动下对HBM、DRAM及NAND的需求持续处于高位。虽然海外厂商积极扩产,但整体供不应求的趋势可能持续到2027年第四季度。HBM价格可能随HBM4/HBM4E上市而攀升,技术门槛高导致价格快速上升,毛利率倒挂或收窄。DRAM加速扩产,供需缺口使价格波动相对温和,长协签订或使之后价格变化更加温和。NAND厂商扩产策略更积极,但短期供不应求或持续,NAND单价上涨趋势或持续。中国内地存储厂商前景被看好,存储器在AI基础设施中关键,大厂扩产仍无法满足需求,周期属性没有改变。
研报重点分析了AI对存储器需求的影响、各存储器类型的价格趋势和供需关系。报告指出,AI技术对HBM、DRAM及NAND的需求持续处于高位,HBM价格可能随HBM4/HBM4E上市而攀升,DRAM加速扩产使价格波动相对温和,NAND厂商扩产策略更积极但短期供不应求或持续。报告还分析了各存储器类型的技术门槛、单位容量所需晶圆数、供需缺口等因素对价格的影响。
当前存储器市场整体供不应求,AI技术对HBM、DRAM及NAND的需求持续处于高位。海外厂商积极扩产,但扩产速度仍无法满足市场需求,导致整体供不应求趋势可能持续到2027年第四季度。HBM价格可能随HBM4/HBM4E上市而攀升,DRAM加速扩产使价格波动相对温和,NAND厂商扩产策略更积极但短期供不应求或持续,NAND单价上涨趋势或持续。
研报提示周期下行时股价回调风险。虽然存储行业整体向好,但周期属性没有改变,大厂扩产仍无法满足需求,可能导致股价在周期下行时出现回调。此外,AI技术发展快速,存储器需求变化也可能带来市场波动。投资者需关注行业供需关系变化、技术发展趋势等因素,谨慎评估投资风险。