三星与英伟达扩大 NAND 存储合作联盟 V10 闪存正式启动供货

📝三星电子（005930）此前已经和英伟达在DRAM内存、HBM高带宽存储、半导体晶圆代工三大板块达成深度合作，如今双方合作范围进一步拓展至NAND闪存供应领域。三星依托自身顶尖的闪存制造产能，一方面提升主力第九代V-NAND（V9）产品对英伟达的供货规模，另一方面已经启动第十代V10闪存的量产交付；层数达到500层的第十一代V11闪存，研发落地节奏也在持续提速。 📊根据7月20日行业披露信息，三星当前V-NAND晶圆月产能已经突破10万张，第十代V10闪存已实现量产，开始向英伟达稳定供货。 ⚙️
三星将自身60%的V-NAND产能倾斜给主力产品V9；回溯一年前，V-NAND产出中第八代V8占比很高，如今V8产能占比已经下滑至40%以内。受英伟达等全球科技公司AI服务器NAND采购需求激增带动，三星快速完成产线切换，将生产重心全面转向V9产品。 💡三星加速扩张V9闪存产能，核心动因是英伟达将于下半年推出全新存储架构CMX上下文内存存储。当前数据中心AI推理运算生成的KV键值缓存数据规模快速攀升，早期KV缓存由服务器GPU负责处理，伴随数据体量增长，搭载TB级大容量SSD固态硬盘的独立存储设备，已经成为AI算力集群的刚需配置。 📦英伟达CMX单套设备搭载576块SSD，整体存储总容量达到9600TB；行业测算CMX对应的NAND采购需求，会从今年3500万TB大幅提升至明年1亿TB以上。三星全年NAND总产量约2.5亿TB，计划凭借全球领先的制造能力，拿下英伟达CMX项目核心供应商席位。 ✅目前三星V9闪存生产良率已经突破80%，量产状态趋于稳定，为长期向英伟达稳定供货打下基础；三星平泽第四工厂（P4）仍留存超半数NAND无尘车间空间，后续可跟随下游需求增量，持续新增V9量产产线。 🚀三星同步推进下一代V-NAND产品落地，今年上半年V10正式投产，现阶段V10产量 占整体V-NAND总产出比重不足5%；V10堆叠层数达到400层，对比286层的V9，单位存储密度提升超50%。 🔬层数规划400至500层的V11闪存已进入试产环节，属于三星高端高堆叠V-NAND路线产品；年初启动试生产，计划下半年将试产规模翻倍，通过扩大试样采集良率数据，快速搭建正式量产体系。 🔧闪存材料端同步迭代升级，V10将首次在行业内规模化商用钼材质布线，钼材质布线厚度相较传统钨布线可降低30%-40%；三星此前仅在V9产品小范围试用钼材料，V10阶段会大幅扩大该新材料的应用范围。 🤝三星电子会长李在镕计划近期前往旧金山，和英伟达首席执行官黄仁勋举行会晤；距离上一次双方高管会面间隔约9个月，本次会谈除敲定HBM、新一代NAND闪存的长期供货协议外，还会探讨两国布局数据中心的配套合作方案。 📌行业分析观点：英伟达推进CMX存储方案落地前，集中锁定上游NAND供给，意味着三星与英伟达的合作已经覆盖存储、代工两大核心赛道，本次高管会晤会推动双方全链条合作进一步深化。