三星电子SK海力士今年将削减NAND闪存产量旨在超景气周期实现利

行业背景：占据全球NAND闪存市场份额60%以上的三星电子和SK海力士，预计将在今年削减NAND 闪存产量。 在以英伟达为首的推理型人工智能（AI）竞争白热化的背景下，核心部件NAND闪存的供需趋于紧张，服务器、PC、移动设备等全领域的NAND价格很有可能持续上涨。 【三星电子・SK海力士今年将削减NAND闪存产量……“旨在超景气周期实现利润最大化”】 行业背景：占据全球NAND闪存市场份额60%以上的三星电子和SK海力士，预计将在今年削减NAND 闪存产量。 在以英伟达为首的推理型人工智能（AI）竞争白热化的背景下，核心部件NAND闪存的供需趋于紧张，服务器、PC、移动设备等全领域的NAND价格很有可能持续上涨。 分析认为，这对三星电子和SK海力士营业利润率的改善，将是丝毫不亚于DRAM的重大利好。 减产具体数据：据《朝鲜日报》20日获取的市场调研机构Omdia 资料显示：三星电子将NAND晶圆产量从去年的490万片小幅下调至今年的468万片，这比2024年因NAND收益性骤降而实施减产的去年产量还要低。 SK海力士的NAND产量预计也将采取类似举措，从去年的190万片水平降至今年的170万片。 减产与需求的关联：考虑到今年NAND市场正面临AI带来的需求激增，主要供应商三星电子和SK 海力士的供应调节，极有可能加剧AI服务器以及移动、PC等全领域的供应短缺。 据花旗证券称，英伟达将于今年下半年量产的下一代AI加速器“Vera Rubin”所搭载的固态硬盘（SSD）容量为1152TB，比现有产品“Blackwell”高出10倍以上。 预计Vera Rubin今年的出货量为3万台，明年为10万台，这意味着2026年将产生3460万TB、2027年将产生1亿1520万TB的新增需求。 减产原因分析：主流分析认为，三星电子和SK海力士NAND产量减少的原因是：与收益性指标最高的DRAM 相比，其设备投资优先级靠后。 此外，随着AI数据中心用大容量SSD需求增长，在将生产线转换为QLC（四层单元）的过程中，不可避免地会产生自然减产——从现有的TLC（三层单元）技术转向更适合AI数据中心的QLC过程中，设备调试、稳定期、初期良率等多种因素都会产生影响。 企业高层考量：据了解，三星电子和SK海力士的高层也认为没有理由过度增加NAND 闪存的产量。 原因在于：在NAND领域，三星电子和SK海力士的盈利能力长期恶化，甚至到了必须专注于价格防御的程度；而利用此次存储芯片的超繁荣周期，可以尽可能实现利润最大化。 半导体行业相关人士解释称：“虽然还尚不清楚三星电子和SK海力士的NAND减产是刻意为之还是自然形成的，但无论哪种情况，减产带来的收益在今年都将是最大的。 ” 其他影响因素：也有分析认为，这是意识到了中国通用NAND 供应量正在增加。 事实上，与三星电子和SK海力士不同，中国长江存储（YMTC）自去年以来在NAND市场表现活跃，出货量呈逐渐增加趋势。 这被解读为：为了应对来自中国的低价攻势，韩系厂商意在通过减少移动端和PC领域的NAND供应量来维护盈利能力，并增加服务器及企业级产品的供应，从而优化生产组合。 价格走势预测：主要市场调研机构预测，从今年第一季度开始，NAND 价格将正式进入上升通道，并正密切关注主要供应商的产量调节情况。 TrendForce预测，今年第一季度NAND闪存合约价将环比上涨33%~39%，并指出三星电子、SK海力士等正表现出保守的NAND生产基调。 DC也观测到，今年NAND供应增长率约为17%，低于近几年的平均水平。