会议时间:2026年7月15日 参会管理层: Christophe Fouquet(首席执行官)Roger Dassen(首席财务官)Jim Kavanagh(投资者关系负责人)一、2026年第二季度财务回顾与业绩指引 Q2财务核心数据 运营费用:高于指引,因确认了技术和IT转型预估成本。研发费用13亿欧元,销售及管理费用3亿欧元。 净利润:29亿欧元(占总净销售额31.3%),每股收益7.59欧元。有效税率17.5%。现金流与股东回报:季末现金及短期投资76亿欧元;自由现金流13亿欧元。Q2支付2025年最终股息每股2.70欧元(2025年普通股总股息7.50欧元/股)。Q2回购股份约11亿欧元。2026年Q1中期股息1.88欧元/股将于8月5日支付。 Q3及全年业绩指引 2026年Q3指引:总净销售额110亿至120亿欧元;安装基数管理销售额约29亿欧元;毛利率55%-57%;研发费用约12亿欧元,销售及管理费用约4亿欧元。2026年全年指引(上调):总净销售额430亿至450亿欧元;毛利率54%-56%;年化有效税率约17%。 二、需求驱动与各业务板块展望 客户需求强劲,ASML产能提升能力(供应链、制造及现场安装)满足客户扩充先进制程节点产能的需求。多家客户上调年度资本支出。 逻辑芯片领域 支持AI加速器的3纳米、5纳米、4纳米节点持续投入;2纳米产能快速提升,1.4纳米 节点研发投资启动。 预计今年先进逻辑晶圆代工相关的系统净销售额增长超25%。 供应紧张推高DDR和HBM价格,客户大幅投资晶圆厂扩建,DRAM光刻强度持续提升(EUV和DUV浸没式技术,单次曝光EUV替代多重曝光)。预计今年存储相关的系统净销售额增长75%以上。 系统交付与装机基数 EUV业务:预计今年交付约65台低数值孔径EUV系统,EUV系统净销售额同比增长45%以上。 DUV业务:预计今年交付约130台浸没式DUV系统;干式DUV出货显著增长。非EUV系统净销售额预计增长约25%。安装基数管理:今年预计增长超30%(受EUV装机量扩大服务收入及生产力升级驱动)。中国业务:预计全年净销售额占比约20%,与整体业务同步增长。 三、产能规划与技术路线图 2027-2028年产能规划 2027年:低数值孔径EUV光刻机订单已近完全覆盖,计划产能提高约30%(隐含约85台,供需平衡点)。浸没式系统产能亦计划提高30%。2028年:已收到大量Low-NA EUV订单,正研究产能再扩大30%(隐含约110台)的方案。浸没式系统同样研究扩产30%。产能实现途径:扩产目标基于现有场地布局,无需新建洁净室,可通过合理优化现有空间和缩短生产周期实现(新园区建设2028年后才投入使用)。效率提升:设备数量增30%带来的晶圆产能提升实际约为45%(产品组合向E和F型号转移及设备升级)。High-NA极紫外技术路线High-NA技术持续取得进展,平台成熟度向大规模量产要求提升。里程碑:英特尔晶圆厂采用ASML High-NA EUV技术在Intel 18A节点生产Intel Core Ultra系列3处理器。2026年High-NA设备交付预期维持45台不变。随着平台成熟度提升,High-NA未来将成为产能补充的潜在选项。 四、问答环节核心要点 定价策略与ASP(平均售价) Low-NA定价:目前无讨论降价。ASML遵循价值定价,Low-NA设备生产效率提升为未来潜在价格优化提供空间。当前客户获得的价值显著高于以往,赋予ASML更大定价灵活性,但因订单交付周期长,不会立即反映在价格上。 产品组合与ASP提升:今年下半年起,EUV产品组合中E型号占比增加,下半年将推出230配置机型;浸没式光刻机下半年出货量显著高于上半年,这些因素将推高ASP。2027年产品组合(E和F系列)将优于2026年。 设备型号过渡(D至E/F)与毛利率驱动 D机型停产:因蔡司特定QOB组件耗尽,D机型预计于今年内基本售罄停产,2027年将生产E和F机型。F系列将匹配1.4纳米工艺研发,2纳米工艺可E/F混搭。 毛利率提升驱动(下半年优于上半年): 浸没式和Low-NA EUV设备占比提升; 高定价EUV设备占比增加; 装机业务保持强劲; 下半年产量大幅提升带来规模效应(固定成本覆盖)。 2027年毛利率虽不提供指引,但若市场延续乐观态势,产品组合优化、设备销量增长30%及升级需求旺盛等驱动因素将保持强劲。 产能扩张与供应链可见度 ASML无需等待正式订单确认即提前布局产能(如研究2028年110台方案),因客户需求信号强烈且提前两年提供。供需匹配存在张力但持续推进。 High-NA与Low-NA光学元件(蔡司设备)完全不通用,无法互换生产。 装机量升级与客户需求 客户受限于现有洁净室,迫切需要提升现有晶圆厂产能,为系统升级创造了极有利条件。ASML提供覆盖所有版本EUV和浸没式系统的升级产品,市场接受度高,客户甚至要求加快交付并开发新产品(计划2027-2028年推出)。 存储业务增长构成 75%的内存增长主要来自HBM和DDR量能提升。HBM需要更多晶圆带来额外量能效应,同时1C和1B等节点使用了更多EUV层,推高了光刻强度。运营杠杆与成本控制 营收大幅增长而运营支出增长温和(重组后研发团队效率提升)。公司将继续良好管理研发和销售及管理费用,运营杠杆在未来几个季度、几年内将进一步改善。 下一次资本市场日定于2027年6月10日举行。