艾森股份机构调研纪要

调研日期: 2026-06-30 江苏艾森半导体材料股份有限公司是一家专注于高端电子化学品研发、制造和销售的高新技术企业，产品包括电镀液、光刻胶以及相关配套试剂。公司在国内半导体材料行业领域中处于领先地位，与上海交通大学、苏州大学、北京理工大学等建立产学研合作，进行半导体领域光刻胶、树脂等卡脖子原材料的技术攻关。公司现有员工178人，由海归博士、博士后领衔组建的精英研发团队，以及原陶氏化学、安美特、乐思化学等国际知名公司高管组成的销售、技术、管理团队，兼具国际化、专业化及本土化的优势。公司客户包括中芯国际、京东方、华虹半导体、长电科技、通富微电、华天科技、日月新、奥特斯等行业知名企业。 以往机构调研中重复问答,本次活动披露文件中未做介绍。 问题一:公司今年上半年经营情况? 答:2026 年上半年公司整体经营情况保持良好态势,国际国内各项业务有序推进中。公司始终坚持国产替代核心战略,依托自主核心技术持续深耕细分赛道,加速拓展市场份额,核心产品的市场渗透率与行业认可度提升。具体经营业绩情况请关注公司相关公告。 问题二:先进封装光刻胶和晶圆制造光刻胶有什么差异,以及公司相关产品布局情况? 答:光刻胶是芯片制造必不可少的图形转移过程材料。其中晶圆制造光刻胶主要针对芯片前道制程,其核心作用是在硅片上刻出微米、亚微米级到纳米级的互联电路和晶体管电路,追求高分辨率与低缺陷,以薄膜体系为主,同时要求金属离子杂质控制在 ppb级,具备高灵敏度、高刻蚀抗性。先进封装光刻胶针对芯片后道制程,其核心作用是做出1微米至几百微米厚膜图形,然后通过电镀,去胶,刻蚀,制作 RDL重 布线、铜柱凸点、TSV硅通孔等物理结构,所有技术设计都围绕"厚膜成型、工艺兼容"展开,是HBM、Chiplet 等先进封装技术落地的核心材料基础。 目前国产化中的难点也有所不同,晶圆制造光刻胶主要需要完成全链条原材料自主可控,包括 I-line、KrF、ArF、EUV 级光刻胶的功能单体、树脂、感光剂等,对金属杂质的控制要求均需达到ppb级别。先进封装光刻胶的难点主要体现于两方面,其一是要在高厚膜、高粘度体系下平衡感光度、附着力、抗电镀性、去胶特性、无气泡等多个互相矛盾的性能参数,对性能稳定性要求极高;其二是应对国内封装工艺的快速发展,正向开发出符合客户需求的产品。 公司聚焦光刻胶产品的竞争力构建。在先进封装领域的核心任务是推动产品在2.5D/3D先进封装中的规模化应用,着力提升国产光刻胶在该领域的市场份额。在晶圆制造方面,公司面向存储、逻辑、功率器件等不同应用场景的光刻胶产品,逐步进入研发或验证阶段。 问题三:公司的电镀铜在封装、晶圆以及 IC 载板领域各有什么不同和相通之处? 答:相通之处:封装、晶圆以及 IC 载板虽属于不同的制造环节,但电镀铜的核心原理是一致的。三者均采用电化学沉积技术,以硫酸铜体系为基础电解液,配合抑制剂、加速剂、整平剂三类核心有机添加剂,通过调控界面吸附与局部沉积速率,实现铜的可控沉积;三者都追求无空洞填充、优异的镀层均匀性、低缺陷,最终实现低电阻、高可靠性的电气互连,保障半导体器件的导电与导热性能。 不同之处:在晶圆制造领域,晶圆制造中的电镀铜属于 BEOL 互连工艺的重要组成部分,是大马士革铜互连工艺的核心步骤,主要用于填充芯片内部纳米级的金属互连沟槽与通孔。特征尺寸最小(约 10–100nm),适配先进制程节点,对超填充要求最高,更关注线阻、电迁移和CMP 后的表面平坦度。下游客户为前道晶圆制造厂商。 先进封装领域,电镀铜是2.5D/3D堆叠封装的核心金属化工艺,用于填充 TSV 硅通孔、制备 RDL 重布线层、铜柱凸点与 HybridBonding 铜互连等,适配 1μm-10μm 的微米级结构,深宽比最高可达 20:1,核心要求是实现高深宽比深孔的无空洞快速填充,实现芯片与芯片之间的垂直互连,下游客户以封测厂商、晶圆厂商先进封装产线为主;IC 载板领域,电镀铜主要采用 SAP/mSAP 工艺,用于填充有机基板的盲孔和X-Via填充、制备2μm-50μm的高密度线路,作为芯片 与外部PCB板之间的电气连接桥梁,核心管控重点是保障整板镀层均匀性,要求镀层可耐受高温多次热冲击不断孔,下游客户为专业 IC载板制造厂商。