艾森股份机构调研纪要

调研日期: 2024-01-10 江苏艾森半导体材料股份有限公司是一家专注于高端电子化学品研发、制造和销售的高新技术企业，产品包括电镀液、光刻胶以及相关配套试剂。公司在国内半导体材料行业领域中处于领先地位，与上海交通大学、苏州大学、北京理工大学等建立产学研合作，进行半导体领域光刻胶、树脂等卡脖子原材料的技术攻关。公司现有员工178人，由海归博士、博士后领衔组建的精英研发团队，以及原陶氏化学、安美特、乐思化学等国际知名公司高管组成的销售、技术、管理团队，兼具国际化、专业化及本土化的优势。公司客户包括中芯国际、京东方、华虹半导体、长电科技、通富微电、华天科技、日月新、奥特斯等行业知名企业。 说明:对于已发布的重复问题,本表不再重复记录。 问题一:在先进封装与传统封装领域,公司产品要求有什么差异? 回答:以电镀液产品为例: 在传统封装领域,主要产品配方为电镀锡,以表面活性剂为主。需要适应多种封装形式(QFN、DFN、SOP等)和基材(铜、镍、铁镍合金等),适应较宽的工艺窗口,电镀电流密度范围达到0.5ASD-60ASD,适应不同电镀形式,包括连续电镀、滚镀和挂镀等; 在先进封装领域,主要产品配方为电镀铜,以光亮剂、整平剂、载运剂为主,需要同时满足于Bumping(凸块)、RDL(线路重排层)的电镀,电镀 的均匀性要求高,差异小于10%,纯度要求高,金属杂质和颗粒物含量控制达到ppm以上级别。 问题二:g/i线光刻胶、OLED光刻胶、PSPI光刻胶的技术难度? 回答:在先进封装、OLED显示面板领域,g/i线光刻胶的分辨率能够满足目前加工工艺的需求,且该领域特有的功能要求带来差异化的技术要求和技术难点,并非单独依靠更高分辨率的光刻胶就能解决。 比如,先进封装领域用通过光刻工艺制作铜凸块和RDL线路,其中单个凸块高度达到50~100μm,是一般集成电路电路厚度的50~100倍。因此,相较于晶圆制造所用光刻胶,先进封装中的光刻胶要求更大的涂布厚度、更高的宽深比、更高的显影后垂直度,且需要耐受电镀工艺不变形。 OLED阵列制造用光刻胶与晶圆制造i线光刻胶一样需要满足1.5μm的分辨率。其特殊要求主要体现在大尺寸涂布均匀性、多种底材适应性和低感度等。OLED阵列制造用光刻胶主要用于在大面积的玻璃基板上完成像素阵列的制造,其涂布面积远大于集成电路的晶圆,是12寸晶圆的32倍大小。在大尺寸涂布的情况下,OLED阵列制造用光刻胶的均匀性差异要求低于3%,要求高于一般晶圆制造中5%以下的差异要求。此外,OLED阵列制造过程使用一款光刻胶完成多层结构制造,因此需要光刻胶对玻璃、钛、ITO、PI等多种底材具有良好的结合力。 此外,同样采用g/i线曝光光源的PSPI(光敏聚酰亚胺)主要用于部分芯片结构的绝缘层,作为直接材料保留在器件里,对可靠性要求更高,技术难度甚至高于光刻胶。