SK海力士加速建设龙仁Y1工厂开始设备订单 20260

SK海力士已开始全面准备在龙仁建设新的存储生产基地。据悉，该公司最近已开始向主要供应商下达先进DRAM制造设备的订单。目前讨论的初始投资将用于每月约2万片晶圆的生产能力。 根据7月14日半导体和设备行业消息人士的说法，SK海力士目前正在为其龙仁Y1工厂下达设备订单。 明年2月建立试产线，设备供应商加快准备 Y1是SK海力士在京畿道龙仁市处仁区元三面开发的大型半导体集群的首个工厂。 首个工厂将由两座结构建筑和六个洁净室组成。目前第一洁净室(即第一阶段)的建设正在进行中。SK海力士原本计划明年5月启用Y1第一阶段，但已决定将时间表略微提前至2月。 根据修订的时间表，SK海力士据称已开始向多家主要供应商下达Y1第一阶段所需设备的订单。该公司计划明年2月开始建立试产线，或称“单次通过’台左将生产能力护日月的今店几久宝壮收三E2日元王公4月立即跟进。 目标产品是第六代10纳米级，或称1CDRAM。1cDRAM是目前商业生产中最先进的DRAM一代，用于AI应用的高附加值DDR和LPDDR产品。 SK海力士还计划将1c DRAM用于第七代高带宽存储器HBM4E，该产品最早可能于明年进入全面商业化。 尚未收到设备订单的公司也在加快准备。这是因为SK海力士正在提前推进设备销售价格谈判，以配合安装进度。 半导体设备行业一位官员表示:“SK海力士通常在年底进行销售价格谈判，但已决定从第三季度初开始这一进程。”“这是为了尽快将设备引入Y1第一阶段的初步工作。” 与此同时，据报道，SK海力士正在根据当前的半导体供需状况制定加速开发大型龙仁半导体集群的战略。 龙仁半导体集群总投资将达600万亿韩元，包括四个工厂。第四个工厂的完工原本目标定在2045年，但公司已将时间表提前12年至2033年。 另一位设备行业官员表示:“SK海力士预计将于今年下半年开始建设Y1第二和第三阶段的洁净室。总体而言，工厂建设时间表极其紧张。”