中信前瞻 Tower半导体扩产计划落地速评
【事件概要】1）Tower半导体于7月14日宣布，在日本政府支持下，将同步推进其位于日本的300mm硅光、硅锗、先进封装产能扩张的双轨战略。2）第一轨为对原Fab6进行改造，使其具备300mm硅光产能和先进封装能力，预计2027Q4全面投产，公司据此上调指引至2028年36亿美元营收和12亿美元净利润，高于此前彭博一致预期的32亿美元营收和9.3亿美元净利润。3）第二轨为扩建Fab7，使硅光和硅锗产能成倍增长，新设施将于2029年开始带来巨大收益，并推动下一代
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