长鑫科技计划于7月16日启动新股申购,拟募资295亿元,主要用于DRAM存储器技术升级、前瞻技术研发及晶圆制造量产线技术升级改造。募投项目将提升先进工艺产能、优化产品结构、巩固技术研发优势,加速DDR5、LPDDR5X等高端产品的量产迭代,缩小与国际头部厂商的技术差距。产能方面,长鑫存储当前月产能约20万片,根据SemiAnalysis预测,2026/2027/2028年月产能将分别提升至35/42/50万片。公司作为上游核心材料供应商,景气度与存储芯片产业高度相关,随长鑫存储产能爬坡与订单放量,公司有望显著受益。公司已启动工业化装置建设,预计2027年二季度建成投产,通过自主研发全新合成路线,绕开巴斯夫高风险、高能耗的传统工艺,实现更优经济性,综合生产成本较巴斯夫具备显著优势,在两长扩产规划的催化下,国产替代进程有望加速。风险提示包括下游需求不及预期、项目建设不及预期、市场竞争风险。
#公司景气度与存储芯片产业挂钩,随长鑫存储产能爬坡与订单放量,公司作为上游核心材料供应商,有望显著受益于下游需求释放。产能方面,公司已启动工业化装置建设,预计2027年二季度建成投产。公司通过自主研发全新合成路线,绕开巴斯夫高风险、高能耗的传统工艺,在降低安全风险的同时,实现了更优的经济性。叠加本土化生产节省物流成本,综合生产成本较巴斯夫具备显著优势,在两长扩产规划的催化下,国产替代进程有望加速。
风险提示:下游需求不及预期,项目建设不及预期,市场竞争风险
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