中国CXMT测试键合DRAM生产线技术或领先韩国
键合式DRAM是一种将存储单元阵列和外围电路分别制造在不同的晶圆上，然后再键合在一起的技术。这种方法仅使用多重曝光的深紫外（DUV）光刻技术即可生产超高密度DRAM，无需使用极紫外（EUV）光刻设备。 三星电子正在「B1b」项目下开发其自主研发的键合DRAM，而SK海力士也在研发类似技术。然而，韩国媒体警告称，有评估表明，CXMT目前在技术本身和研发速度方面可能都领先于其韩国竞争对手。
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