电子 8 月周报（8.26—8.30）：混合键合封装技术大有可为

混合键合封装技术大有可为

混合键合或将成为堆叠封装的关键技术

• 键合方式演进： 从引线键合到倒装，再到混合键合，代表了封装技术的迭代升级。混合键合通过直接压合芯片金属层实现连接，无需凸点和焊料，可实现极细微间距（0.5-0.1μm），连接密度达10K-1MM/mm²，远超传统键合技术。
• 混合键合方法： 主要包括直接键合互联（DBI）、等离子体活化键合、热压键合等，材料组合涵盖金/氧化硅、铝/氧化硅、铜/氧化硅等。主流方案包括铜/氧化硅、铜/聚合物胶及微凸点/聚合物胶混合键合。
• 混合键合设备市场： D2W混合键合设备市场规模预计从2020年的600万美元增长至2027年的2.32亿美元（CAGR 69%），W2W永久键合设备市场规模同期增长约16%。

HBM4或将引入混合键合技术提升堆叠层数

• 现有技术： HBM3/HBM3E采用凸点互连的MR-MUF封装技术，限制堆叠层数。
• 未来趋势： SK海力士计划在HBM4中引入混合键合技术，以实现12Hi/16Hi更高层数堆叠。三星电子已成功制造基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存样品，并计划用于HBM4量产。

投资建议

• 关注算力产业链： AI大模型发展带动算力需求，进而推动HBM需求增长，建议关注雅克科技、华海诚科等。
• 关注消费电子复苏及AI终端落地： AI PC、AI手机等新产品推出叠加换机周期，有望促进消费电子销量增长，建议关注维信诺等。
• 关注半导体复苏周期： 下游库存去化及AI需求增量推动半导体行业复苏，建议关注中芯国际、长电科技、芯源微等。

风险提示

• 混合键合技术研发不及预期。
• 混合键合技术成本难以降低。