半导体设备 HBM测试需求较传统DRAM大幅增长 国产存储测试机替代空间广阔 东吴机械

HBM测试重心由传统封装后测试前移至3D堆叠完成后的KGSD测试环节。HBM在存储IDM厂商完成DRAM Die、LogicBase Die制造、晶圆级测试（CP）及3D堆叠后，以KGSD形式完成高速功能、电性能及接口等关键测试，并作为堆叠裸芯片交付下游先进封装厂，而非以独立封装产品出货。因此，存储厂的测试工作主要集中于晶圆级测试（CP）和KGSD测试两个环节；下游封测厂再将HBM与GPU/AI SoC等逻辑芯片完成异构集成，并进行SiP封装测试（PackageTest），部分高端产品还将进一步进行系统级测试（SLT）后最终出货。

HBM测试包括晶圆级测试和KGSD测试，晶圆级测试增加了逻辑芯片测试，KGSD测试替代了常规的封装级测试。晶圆级测试针对DRAM芯片和逻辑芯片，其中DRAM晶圆测试与常规DRAM测试相同，而逻辑晶圆需要进行逻辑测试。对测试合格的HBM晶圆进行切片和多层堆叠工艺处理，即可形成KGSD产品。HBM KGSD测试包括老化应力测试、高低温条件下的功能、电性能、电参数测试等。HBM CP测试道数由3-4道提升至15道以上，根据韩国厂商量产经验，HBM的CP测试机需求约为传统DRAM的5-6倍。

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风险提示：下游扩产不及预期，技术研发不及预期。