计算机行业研究：电Ram和功率半导体开启涨价潮

行业观点 电容与功率半导体正从结构性短缺走向系统性涨价，全产业链调价周期已开启。涨价已从MLCC向铝电解电容、薄膜电容、超级电容及功率器件全面扩散，日系、台系及大陆厂商先后发函调涨，形成全品类涨价浪潮。具体而言，日本尼吉康于6月宣布全面涨价10%-15%，佳美工同步跟进，国内江海股份于6月20日将调价范围扩大 至三大品类。驱动逻辑可从两个维度理解：成本侧，地缘冲突推高铝箔、化工原料及电力等核心生产要素价格；需求侧，AI服务器电容用量为传统服务器的3至10倍，功率订单呈现爆满状态。成本推动与需求拉动形成合力，行业加速低端产能出清，电力电子产业链价格传导机制已全面激活，市场份额向具备全链条能力的头部企业集中。 电容是算力系统的“电RAM”，这一比喻正在从叙事走向工程现实。我们在电容系列第一篇即提出“电容是新的电RAM”——HBM是数据的缓冲、电容是能量的缓冲。电RAM与DRAM在系统角色上存在三重高度同构：DRAM的“刷新—缓存层级—容量墙”，分别对应电容在AI供电系统中的“充放电响应—多级时间常数—容量配置”。二者在物理层面共享电荷存储与释放的器件原理，在系统层面共同承担“为高速运算提供够快、够近的即时缓冲”的核心角色。算力越强，对电能缓冲的依赖越深，正如算力越强对数据缓冲的依赖越深——这是电容需求脱离“按GPU颗数线性外推”的根本原因。此外，市场对电容需求的认知长期停留在电源模块（PSU）内部的“白区”，而真正的增量大量发生在从电网接入到机柜之间多级降压、配电的“灰区”环节，系统级需求爆发正被市场系统性低估。 电容体系是一张“按时间常数分层”的缓冲网络，每一类电容对应一个供电时间尺度。沿着从芯片到电网的方向，硅电容在封装内承担亚纳秒级瞬态去耦，MLCC在板级承担纳秒级高频去耦，MLPC（多层聚合物电容）在板级承担微秒级中高频滤波与储能并在高容值区间替代多颗MLCC，牛角铝电解电容在电源模块承担微秒至毫秒级的稳压削峰，超级电容与锂离子电容在机柜侧承担毫秒至秒级的备电与功率缓冲，薄膜电容则在高压直流母线承担纹波吸收。这套“时间常数阶梯”与存储系统的“访问延迟层级”在结构上高度对应：越靠近运算核心，响应越快、单位价值越高、技术壁垒越陡。AI供电升级不是某一类电容的单点放量，而是整张缓冲网络的同步加密。 相关标的 1）电容：江海股份、火炬电子、东阳光、海星股份、艾华集团、祥和实业、法拉电子、万裕科技、思源电气等。2）MLCC：三环集团、风华高科、博纤新材、洁美科技、信维通信、国瓷材料、力源信息、火炬电子、利和兴、商络电子等。3）功率半导体：士兰微、扬杰科技、斯达半导、宏微科技、时代电气等。4）SST：四方股份、金盘科技、阳光电源、京泉华、可立克等。5）SiC：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电等。 风险提示 上游高端材料保供风险；客户验证与导入不及预期风险；产能指标与审批风险；价格回落风险；海外厂商扩产与同业竞争风险；需求测算偏乐观风险。 内容目录 一、电Ram和功率半导体开启涨价潮，打响周期底部第一枪.........................................3 1.1电容器：从铝电解到薄膜超级电容，全品类调价态势明朗....................................31.2功率半导体：年内多轮阶梯式调价，AI电源订单成为最大结构性亮点..........................3 2.1同构一：DRAM要"刷新"，电容要"充放电"，都是为运算提供即时缓冲.........................42.2同构二：DRAM有"缓存层级"，电容有"时间常数阶梯"，越近核心越贵越快.....................42.3同构三：DRAM有"容量墙"，电容有"功率墙"，需求都脱离线性外推...........................4 3.1硅电容：封装内的亚纳秒级去耦，最靠近运算核心..........................................53.2 MLCC：板级的纳秒级高频去耦，数量最庞大的一层.........................................53.3 MLPC：板级微秒级中高频滤波与储能，高容值区间替代多颗MLCC...........................53.4牛角铝电解电容：电源模块的微秒至毫秒级稳压削峰，AI电源高压化的直接受益者..............63.5超级电容与锂离子电容：机柜侧的毫秒至秒级备电与功率缓冲，从选配走向必配................63.6薄膜电容：高压直流母线的纹波吸收，800V架构下的承接环节...............................7 五、风险提示..................................................................................8 图表目录 图表1：电容器厂商涨价时间线..................................................................3图表2：电容器厂商涨价时间线..................................................................4图表3：硅电容的厚度可以减薄至100㎛或更小，便于封装.........................................5图表4：硅电容在封装芯片内部的位置............................................................5图表5：硅电容与MLCC的体积对比.............................................................5图表6：封装后的30μf Nanolam电容器在850V/125℃、670V/160℃下关键性能均保持稳定.............6图表7：铝电解电容器各层物质内容..............................................................6图表8：铝电解电容器的缠绕结构................................................................6图表9：超级电容与传统电池的储能效果对比......................................................7图表10：超级电容构造........................................................................7图表11：电容时间常数分层与存储层级对照图.....................................................7图表12：电容储能用于平抑负荷需求.............................................................7 一、电Ram和功率半导体开启涨价潮，打响周期底部第一枪 近期，电容器与功率半导体行业同步进入涨价通道，日系、台系及中国大陆厂商先后发布调价函，涨价品类从MLCC向铝电解电容、薄膜电容器、超级电容器及功率器件全面扩散。本轮涨价行情是上游原材料成本持续攀升与下游AI算力需求爆发性增长双重共振的结果，涨价周期有望延续至下半年，行业竞争格局迎来加速分化。 1.1电容器：从铝电解到薄膜超级电容，全品类调价态势明朗 电容器涨价潮已从MLCC蔓延至铝电解电容、薄膜电容器及超级电容器，三大日系厂商与国内龙头接连发函，涨幅持续扩大。2026年6月，日本铝电解电容龙头尼吉康（Nichicon）宣布对旗下所有铝电解电容产品实施全面涨价，涨幅由原先的9%-12%进一步扩大至10%-15%。紧随其后，另一日系大厂佳美工（Nippon Chemicon）同步跟进调涨，两大日系厂商的联合提价进一步强化了市场对铝电解电容供应趋紧、价格走升的预期。国内方面，铝电解电容龙头江海股份于6月20日发布涨价函，调整范围明确涵盖铝电解电容器、薄膜电容器、超级电容器三大品类。电容器行业的涨价已从单一品类扩展至全产品线，形成系统性价格上行趋势。 本轮电容器涨价的根本驱动力来自上游原材料成本持续攀升与AI服务器需求倍增的双重共振。成本端方面，中东地缘冲突持续动荡推高铝箔、化工原料、电力等核心生产要素价格，铝、铜、锡等金属材料价格自去年以来持续上行。江海股份亦在通知中表示，电容器核心原材料（铝箔、化工原料、碳粉等）及电力成本持续大幅攀升，涨势至今未见回落。需求端方面，AI服务器成为最大的增量来源。H100机柜功耗约为40kW，GB300 NVL72整机柜功耗升至130-140kW区间（提升达3.5倍），待交付的Rubin平台单柜功耗将突破600kW。单台AI服务器所用铝电解电容数量约为传统服务器的3至5倍，MLCC用量更是突破3万颗，是传统服务器的10倍。仅AI服务器带来的铝电解电容需求增量，在2025至2027年间将贡献超过30%的边际增量。 1.2功率半导体：年内多轮阶梯式调价，AI电源订单成为最大结构性亮点 功率半导体方面，年内已呈现多批次阶梯式调价特征，海外龙头普遍两轮、国内厂商分2-3批次阶梯调价。据《科创板日报》报道，扬杰科技、宏微科技两家功率半导体公司近日发布价格调整通知函，且这已是两家公司年内第二轮调价。除宏微科技、扬杰科技外，华润微、士兰微、新洁能、捷捷微电、立昂微等国内功率半导体厂商亦在今年释出不同幅度的调价信息。行业呈现分批次调价的节奏，核心原因是成本压力的分阶段显现——年初首轮调价主要受封装端金、铜等大宗金属价格上涨驱动，一季度末第二轮调价则来自晶圆制造端特种气体供给阶段性紧缺带来的成本上行。 AI算力集群功耗激增带来功率器件需求的爆发式增长，与成本压力形成共振，构成本轮涨价的核心逻辑。业内人士判断，本轮成本驱动的涨价周期仍将持续，行业将加速低端产能出清，市场份额将向具备IDM全链条能力或与上游深度绑定、且涉足高景气赛道的头部芯片企业集中。从投资角度而言，功率半导体与电容器同步进入涨价通道，意味着整个电力电子产业链的价格传导机制已被全面激活，具备产能优势、客户壁垒及成本传导能力的龙头厂商有望在本轮涨价周期中实现盈利弹性释放。 二、电RAM不是比喻：电容与DRAM在系统角色上高度同构 我们把电容比作"电RAM"，主要系电RAM与DRAM高度相似的逻辑同构，即HBM是算力的数据缓冲，电容是算力的能量缓冲。 2.1同构一：DRAM要"刷新"，电容要"充放电"，都是为运算提供即时缓冲 DRAM的物理本质是用电容存储电荷来表示数据，电荷会泄漏，因此必须周期性"刷新"。AI供电系统中的电容，物理本质是充放电——在GPU瞬时拉载时放电补能、在负载回落时充电储能，周期性地为运算核心平电压波动。二者在物理层面共享同一个器件原理（电荷的存储与释放），在系统层面承担同一个角色：为高速运算提供"够快、够近"的即时缓冲，弥补主供给（DRAM之于硬盘、电容之于电源）响应不够快的短板。 这一同构决定了一个关键推论：运算越快、功率密度越高，对缓冲的"快"和"近"要求越苛刻。AI服务器实际运行功率与标称功率之间存在较大差异，高负载下的功率波动、电压波动若得不到即时缓冲，可能直接导致系统不稳定甚至宕机。这与"内存带宽不足会拖累算力释放"是同一类问题——能量质量环节必须与算力同步补强。产业界对此有一个贴切的类比：算力系统中存储不够时必须先扩存储，AI服务器要稳定释放算力，电能质量环节也必须同步补强；若原有方案存在"欠配"，新一代平台还会出现补课式的需求增长