计算机行业研究：电RAM与DRAM对比分析

电容行业观点总结

一、电RAM不是比喻：电容与DRAM在系统角色上高度同构

• 电容被视为算力系统的"电RAM"，与DRAM在系统角色、层级结构、量价驱动上高度同构。
• DRAM的"刷新—缓存层级—容量墙"分别对应电容的"充放电响应—多级时间常数—容量配置"。
• 算力越强，对"电能缓冲"的依赖越深，需求脱离按GPU颗数线性外推。

二、按时间常数分层：六类电容各就各位，构成完整的"电能缓冲网络"

• 电容按响应时间常数分层排布，形成"电能缓冲网络"：
  • 硅电容（亚纳秒）：封装内瞬态去耦
  • MLCC（纳秒）：板级高频去耦
  • MLPC（微秒）：板级中高频滤波与储能，替代多颗MLCC
  • 牛角铝电解电容（微秒至毫秒）：电源模块稳压削峰
  • 超级电容与锂离子电容（毫秒至秒）：机柜侧备电与功率缓冲
  • 薄膜电容：高压直流母线纹波吸收
• 各层级在结构上对应存储层级的"访问延迟阶梯"，越近核心越贵越快。

三、白区与灰区：被市场忽视的系统级增量

• 市场认知停留在"白区"（PSU内部），忽视"灰区"（电网接入到机柜之间的多级降压、配电等环节）。
• 灰区同样需要大量电容承担稳压与缓冲，系统级扩张包括白区加密和灰区铺开。
• AI供电架构变化（兆瓦级功率、800V HVDC、SST）进一步推动灰区需求显性化。

四、量价齐升的兑现逻辑：材料约束、扩产门槛与国产替代窗口

• 需求端：GPU出货高增长，单卡功率与供电复杂度提升，需求弹性高于GPU颗数增速。
• 价格端：
  • 传统铝电解电容下半年涨价
  • AI高端新品按"重定价"逻辑兑现更陡价值量提升
• 供给约束：
  • 高端铝箔、活性炭等关键材料受限
  • 扩产受电耗能源、扩产决心、环保指标等多重门槛制约
• 国产替代：海外厂商扩产保守，国产厂商高自供率、强工程能力获得份额与定价权。

五、相关标的

• 电容：江海股份、东阳光、海星股份等
• MLCC及材料：三环集团、风华高科、国瓷材料等
• 固态变压器/电源（SST/HVDC）：四方股份、阳光电源等
• 碳化硅（SiC）：天岳先进、晶升股份等

六、风险提示

• 上游高端材料保供风险
• 客户验证与导入不及预期风险
• 产能指标与审批风险
• 价格回落风险
• 海外厂商扩产与同业竞争风险
• 需求测算偏乐观风险