AI算力爆发驱动被动元器件代际跃迁，电容成为继HBM之后的算力新瓶颈
1. AI功耗爆发触发被动元器件量价齐升
- AI服务器单机柜功耗突破百千瓦门槛，GB300 NVL72平台整机柜典型工作功耗约132-140kW，较风冷H100机柜约40kW实现约3.5倍跃迁。
- 功耗倍增直接传导至被动元器件用量倍增，GB300单台AI服务器需搭载约3万颗MLCC，整机柜消耗高达44万颗；VR200单机柜将使用约60万颗MLCC，较GB300高出30%以上。
- 从H100到Rubin Ultra的演进路径中，单机柜GPU数量从8颗跃升至576颗，对应单机柜MLCC用量预计从约4.8万颗抬升至约430万颗。
- MLCC高端市场约77%由日韩厂商占据，国产替代空间巨大但短期供给突破有限。
2. 三类电容同步进入景气区间，形成扩张矩阵
- AI服务器电容可划分为三类：MLCC板式电容（GPU/CPU周边纳秒级滤波）、电解电容（PSU电源侧中间级滤波）、超级电容（机柜电源架毫秒-秒级储能调峰）。
- 三类电容在AI服务器内并存放量，并非替代关系。
- MLCC扩张来自单台主板用量的倍增，AI服务器MLCC用量是普通服务器的5-10倍。
- 电解电容扩张来自电源路数与电源板数的倍增，每块电源板都需配套铝电解电容做滤波。
- 超级电容扩张来自从无到有的渗透，GB300开始NVIDIA在电源架集成电容性储能元件，下一代Rubin平台储能容量较前代大幅拉升。
3. 电容正成为继HBM之后的算力新瓶颈，"电RAM"叙事浮现
- HBM已验证过算力链上核心环节的"量价齐升+涨价超预期"路径，2025年Q4存储价格飙升40-50%，2026年Q1预计再涨40-50%。
- 电容正在复制HBM的传导路径，AI服务器MLCC用量较普通服务器抬升5-10倍，高端MLCC产能集中于日本厂商，供给瓶颈已形成。
- 电容在算力链中的位置与HBM高度对称，都是AI服务器从"标品采购"走向"瓶颈卡位"的关键环节，也都是被市场长期低估的高弹性细分。
- 电容的"电RAM"卡位特征正在加速显现。
4. 中国厂商在电容主场卡位显著，全产业链能力构成纵深优势
- 电容产业链的中国卡位远好于存储与板式电容，中国厂商已具备从材料到成品的全产业链能力。
- 中国厂商不仅做电容成品，还自主掌握上游核心材料，如电极箔（占成本约73.5%），在腐蚀箔、化成箔、积层箔三个细分环节均具备核心竞争力。
5. 产业链全景：从高纯铝到AIDC，电容材料的中国主场
- 电容产业链的起点是高纯铝，高纯铝与电子光箔构成电容材料底座，国内厂商深度卡位。
- 腐蚀箔/化成箔与积层箔形成代际接力，新一代电极箔打开高端电容空间，中国厂商在积层箔环节卡位全球唯一。
- 三类电容承担AIDC不同储能场景，超级电容与积层箔电容器各擅胜场。
- 服务器电源、PCS超容储能、SST固态变压器三大终端场景共振放量，SST是AIDC电源的终极方向。
6. 超级电容承担AIDC调峰备电双重职责
- AI算力负载呈阶跃式脉冲特征，传统三级备电架构难以同步匹配。
- 超级电容承担机柜级调峰与短时备电双重职责，与电池形成互补关系，三者共同构成新一代AIDC的多级备电体系。
7. 被动元器件链同步扩张，MLCC与SST承接AI算力电源升级
- VR200单机柜MLCC用量较GB300跃升30%以上，价值量增加182%。
- SST推动800V HVDC架构落地，AIDC电源路径重构进一步抬升电容用量，SST与超级电容的耦合是白皮书的核心架构设计。
8. 相关标的
- 超级电容：东阳光、江海股份、思源电气、海星股份、元力股份、艾华集团等。
- MLCC：信维电子、泰晶科技、水晶光电、三环集团等。
- SST：四方股份、金盘科技、阳光电源、京泉华、可立克等。
- SST需要用到的SiC：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电等。
9. 风险提示
- AI资本开支不及预期的风险。
- AI服务器代际推进不及预期的风险。
- 800V HVDC与SST渗透不及预期的风险。
- 海外大客户认证进度不及预期的风险。
