一、核心观点：电容成为算力的“能量缓冲”
AI服务器功耗爆发叠加脉冲负载，电容成为算力的“能量缓冲”。AI服务器单卡功耗从GB200的约1200W抬升至GB300的约1400W，整机柜满载功耗从风冷H100的约40kW跃迁至GB300 NVL72的132-140kW、Rubin Ultra Kyber机架的约600kW。数千颗GPU在锁步协同下执行相同计算，功率在微秒至亚毫秒级阶跃式突变，而传统UPS切换响应在毫秒级，两者存在两到三个数量级的错配。要在GPU瞬时拉满功率时供得上电，必须依靠从纳秒到秒级的多级电力缓存逐级接力，电容被称为“电RAM”。
二、多级缓存结构：四类电容各司其职
四类电容在多级缓存中各司其职：MLCC与MLPC承担纳秒级电压滤波；牛角型铝电解电容承担中间级滤波；超级电容承担毫秒至秒级储能调峰。电源高压化带来配比跃升，伴随单模块功率从约5.5kW向18.5kW升级、供电向800V直流演进，单机铝电解电容配比同步抬升。据村田制作所披露，GB300单台AI服务器搭载约3万颗MLCC，单一AI机柜消耗高达44万颗；据TrendForce数据，VR200单机柜MLCC用量约60万颗，较GB300高出30%以上。
三、需求爆发驱动电容全面通胀
AI需求爆发驱动电容全面通胀，复制存储量价齐升路径。据村田制作所预估，AI服务器用MLCC需求将以年均约30%的速度扩大，2030年较2025年增加约3.3倍；据Mordor Intelligence，全球MLCC市场规模将从2025年的272.5亿美元增长至2030年的611.2亿美元。需求暴增叠加日韩高端产能向AI倾斜挤占消费级供给，被动元件已进入全品类、多轮次涨价周期。AI服务器专用MLCC调价幅度达30%-35%，高端现货价上涨15%-35%，交期由8周拉长至16-24周。
四、分环节竞争格局与中国卡位
MLCC：日韩主导高端、国产承接溢出，消费级同步受益于产能挤占。铝电解电容：电极箔国产卡位深厚，积层箔对化成箔形成代际接力。超级电容：LIC与EDLC双路径并行，下游需求各有承接。中国厂商在电极箔、积层箔等环节具备核心竞争力，并掌握全球独家专利。
五、相关标的
1）电容：江海股份、东阳光、海星股份、思源电气、艾华集团、万裕科技等。
2）MLCC：三环集团、风华高科、火炬电子、洁美科技、博纤新材、商络电子、信维通信等。
3）SST：四方股份、金盘科技、阳光电源、京泉华、可立克等。
4）SST需要用到的SiC：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电等。
六、风险提示
AI资本开支不及预期的风险；AI服务器代际推进不及预期的风险；800V HVDC与SST渗透不及预期的风险；海外大客户认证进度不及预期的风险。
