核心观点
AI硬件升级推动PCB性能要求提升,mSAP工艺应用场景持续拓宽,迎来扩产放量机遇。1.6T光模块、CoWoP工艺及NPO的加速渗透,推动mSAP工艺快速向光模块、先进封装等场景拓展。
关键数据与技术突破
- 1.6T光模块:奈奎斯特频率高达56GHz,信号对插损、回波损耗、串扰及阻抗波动极度敏感,需15μm线宽/线距,传统Tenting工艺难以满足,mSAP工艺可实现陡直线路侧壁和±1-2μm线宽公差。
- CoWoP工艺:省略封装基板,要求底层PCB接近载板化布线,推动mSAP工艺应用。
- NPO工艺:带宽需求提高,带动更密集SerDes走线,需进一步缩小线宽线距,mSAP工艺满足需求。
- 设备技术升级:
- 钻孔:孔径缩小至50μm,超快激光钻孔机成为更优解决方案。
- 电镀:铜厚均匀性偏差控制在±5%以内,VCP设备、水平三合一设备价值量大幅攀升。
- 曝光:线宽线距缩小至15μm,LDI设备成像精度与对位精度要求提升。
- 成型:CCD锣机等高精度成型设备成为刚需。
国产厂商突破与技术替代
- 大族数控:覆盖钻孔、曝光、成型全流程,超快激光钻孔机实现批量化生产,CCD锣机成为1.6T光模块成型优质方案。
- 东威科技:mSAP移载式VCP及水平镀三合一设备量产领先,打破国外垄断。
- 芯碁微装:MAS6P系列LDI设备解析能力达6/6μm,生产效率领先国际同类产品。
- 洪田股份:通过收购东莞速远、控股洪镭光学,布局高端电镀与光刻环节,解决mSAP高孔径比多层板填孔工艺。
投资建议
推荐大族数控、东威科技、芯碁微装、洪田股份。
风险提示
- 宏观经济波动风险。
- PCB工艺进展不及预期风险。
- 算力服务器需求不及预期风险。