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PCB设备专题报告:mSAP工艺应用场景拓展,设备股迎成长新机遇

电子设备 2026-06-26 周尔双,陶泽 东吴证券 七个橙子一朵发🍊
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mSAP工艺应用场景拓展,设备股迎成长新机遇 首席证券分析师:周尔双执业证书编号:S0600515110002zhouersh@dwzq.com.cn 研究助理:陶泽执业证书编号:S0600125080004taoz@dwzq.com.cn 2026年6月26日 投资要点 ⚫AI硬件升级驱动PCB性能要求提升,mSAP工艺应用边界持续拓宽,迎来扩产放量。伴随1.6T光模块、CoWoP工艺及NPO的加速渗透,mSAP工艺正快速向光模块、先进封装等场景拓展。1.6T光模块量产落地促使PCB线路精度要求提升至15μm级别,布线密度大幅提升。传统Tenting工艺难以满足高密度互联需求,mSAP工艺通过超薄种子铜层、图形电镀、闪蚀等流程,可实现陡直线路侧壁与高精度线宽控制,能够适配高密度布线与低信号损耗需求,成为高阶PCB的主流升级方案。长期来看,CoWoP、NPO等下一代封装与光学技术演进,将进一步推进PCB载板化需求,持续打开mSAP工艺的市场空间。下游PCB厂商加速mSAP产能布局,鹏鼎、深南、兴森、景旺、红板、方正等头部厂商均投资规划新增多条mSAP产线,直接拉动高阶设备需求增长。 ⚫mSAP工艺驱动设备技术升级,钻孔/电镀/LDI/成型四大核心环节受益。mSAP工艺突破了传统减成法的精细线路局限,对多环节核心设备提出更高阶的技术要求,微孔加工精度、曝光对位精度、电镀铜厚均匀性等技术门槛大幅抬升:①钻孔环节:孔径缩小至50μm左右,超快激光钻孔机具备更强的小孔加工能力,成为解决CO2激光钻局限的更优解决方案;②电镀环节:要求铜厚均匀性偏差控制在±5%以内,垂直连续电镀(VCP)设备、水平三合一设备价值量大幅攀升;③曝光环节:线宽线距缩小至15μm,倒逼激光直接成像(LDI)设备成像精度与对位精度要求提升;④成型环节:针对1.6T光模块等小面积复杂结构,CCD锣机等高精度成型设备成为刚需。技术升级带动设备单价与壁垒同步提升。 ⚫国产厂商突破技术壁垒,国产替代与批量交付正加速兑现。国内厂商已实现多环节技术突破,逐步进入头部客户供应链。①大族数控:覆盖钻孔、曝光、成型全流程,超快激光钻孔机已在头部客户实现批量化生产,CCD锣机成为1.6T光模块成型的优质方案;②东威科技:mSAP移载式VCP及水平镀三合一设备量产领先,打破国外垄断。国产设备凭借产品性能、交付周期与本地化服务优势加速替代;③芯碁微装:作为PCB直写光刻龙头,MAS6P系列LDI设备解析能力达6/6μm,生产效率领先国际同类产品;④洪田股份:通过收购东莞速远、控股洪镭光学,布局高端电镀与光刻环节,解决mSAP高孔径比多层板填孔工艺,可满足HDI及IC封装基板的mSAP工艺需求。 ⚫投资建议:推荐【大族数控】【东威科技】【芯碁微装】【洪田股份】。 ⚫风险提示:宏观经济波动风险,PCB工艺进展不及预期风险,算力服务器需求不及预期风险。 1.PCB载板化,mSAP工艺带来设备价值抬升 2.设备:钻孔/电镀/LDI/成型均有受益 3.风险提示 1.1受益于AI PCB硬件升级,mSAP工艺关注度提高 过往mSAP工艺主要应用于手机主板、BT载板领域。 1.6T光模块对PCB性能要求提升,需要使用mSAP工艺。1.6T光模块采用8×224Gbps PAM4通道设计,奈奎斯特频率高达56GHz,信号对插损、回波损耗、串扰及阻抗波动极度敏感,且OSFP-XD封装尺寸受限,需在有限空间内集成16-20层线路,线宽/线距需缩小至15μm/15μm,布线密度大幅提升。传统减成法蚀刻精度低、线路侧壁不规则,无法实现细线路和高阻抗稳定性,而mSAP通过超薄种子铜层、图形电镀、闪蚀等流程,可实现陡直的线路侧壁和±1-2μm的线宽公差,有效降低信号损耗,适配高密度互联需求。 面向未来,CoWoP工艺的渗透、NPO的渗透将进一步打开mSAP工艺的使用空间。 1.1受益于AI PCB硬件升级,mSAP工艺关注度提高 ◆CoWoP工艺要求最底层的PCB达到类载板级别的线宽线距。伴随封装技术的持续推进,CoWoP工艺(Chip-On-Wafer-On-PCB)提上产业化日程。相比于CoWoS工艺(Chip-On-Wafer-On-Substrate),CoWoP工艺省略了封装基板,因此对最底层的PCB提出了接近载板化的布线要求。线宽线距的缩小倒逼PCB厂使用mSAP工艺进行布线。 ◆NPO工艺需要更精细的线路以提供更高的带宽。NPO(近封装光学)虽然将光引擎从交换机外的可插拔模块中搬到Switch ASIC旁,但实质上光引擎与ASIC仍共存于系统级PCB上,信号传输依靠PCB走线。伴随信号传输速率的不断提高,奈奎斯特频率越高/趋肤效应加剧,需要更高的铜表面质量。另外带宽需求的提高带动更密集的SerDes走线要求,需要进一步缩小线宽线距。需要使用mSAP工艺。 1.2PCB升级,从Tenting法到mSAP法再到SAP法 ⚫从Tenting法-mSAP法-SAP法,本质上是为了做出更加精密的线路。 ⚫Tenting法为传统主流工艺。以12μm底铜的覆铜板为起点,经激光钻孔+除胶→水平电镀沉铜(1-2μm)→VCP垂直电镀增厚→贴干膜→曝光显影(线路处干膜聚合)→蚀刻去铜→剥膜成型留下线路。核心逻辑为“全铜减去多余”,工艺成熟、成本低,但铜层越厚侧蚀越严重,线宽/间距(L/S)极限约35μm,难以满足高密度互联需求。 ⚫现阶段主流的HDI、高多层(高频高速)等PCB主要都使用Tenting法进行加工。 1.2PCB升级,从Tenting法到mSAP法再到SAP法 ⚫mSAP法为改良型半加成法。核心层的加工仍然为Tenting工艺,在增层上使用mSAP工艺。增层以2μm底铜的载体铜箔(种子层)为起点,经激光钻孔+除胶→闪镀沉铜增厚(3-5μm)→贴膜→曝光显影(非线路处干膜聚合)→蚀刻去铜(非线路处的铜被去除掉)→VCP电镀增厚+填孔(使得线路与激光孔铜厚增加很多)→剥膜闪蚀(把被干膜覆盖的非线路部分种子层快速刻蚀掉,而线路上的铜晶格发生变化不会被刻蚀)。核心逻辑为“种子层薄易去除+VCP加成增厚出电路”,由于种子层较薄,因此可减轻侧蚀,线宽/间距极限约15μm,初步满足高密度互联的需求。⚫mSAP工艺主要应用在SLP(类载板)领域,如苹果手机主板、BT载板(存储)、1.6T光模块 PCB,以及潜在使用的CoWoP工艺、NPO。 ⚫SAP法为半加成法,与mSAP法有较大重叠度。SAP法从绝缘材料出发,需先压合ABF膜,后在ABF膜上闪镀一层0.3-0.5μm的铜层作为种子层。后续的流程与mSAP均相同。SAP法可将线宽线距缩小到15μm以下。 ⚫SAP工艺主要应用在ABF载板与玻璃基板领域。 1.3mSAP工艺下钻孔/曝光/电镀/成型环节均有受益 mSAP工艺对设备提出了更高的要求。 ①曝光设备:线宽线距降低至15μm,LDI设备需实现±0.5μm的成像精度和±1.5μm的对位精度,确保细线路图形的精准呈现,芯碁微装LDI设备已经实现15μm线宽线距能力;另外洪镭光学也有对应设备布局(洪田股份子公司)。 ②钻孔设备:孔径缩小至50μm左右,相比于CO2激光钻,超快激光钻加工小孔能力更强,成为更优的解决方案,大族数控目前已有成功案例(超快激光钻与头部客户均有接触,实现批量化)。 ③电镀设备:需控制铜厚均匀性在±5%以内,保证线路分布均匀、无凹陷,东威科技已经实现mSAP工艺VCP电镀设备(移载式VCP-红板、沪电)量产,另外水平三合一也拿到可观订单(沪电7条线);另外东莞速远也有对应设备出货(洪田股份子公司)。 ④成型设备:1.6T光模块PCB面积小结构复杂,对于分板成型提出更高需求,CCD锣机成为1.6T光模块PCB成型的优质方案,大族数控目前已有成功案例,与兴斐合作开发CCD锣机。 1.PCB载板化,mSAP工艺带来设备价值抬升 2.设备:钻孔/电镀/LDI/成型均有受益 3.风险提示 2.1大族数控:PCB全流程设备龙头 公司2025年营收57.73亿元,同比+72.68%;归母净利润8.24亿元,同比+173.68%。主要系AI算力基础设施需求强劲,消费电子、汽车电子、工业控制等终端技术升级,高价值高多层板、高多层HDI板增长快速,PCB专用加工设备市场需求放大。2026年Q1公司实现营业收入19.55亿元,同比+103.69%,实现归母净利润3.23亿元,同比+176.53%。主要系AI算力中心需求强劲,新一代AI服务器、高速交换机及高速光模块等终端带动高附加值AI PCB市场规模增长及技术难度提升,对高技术附加值专用加工设备需求上升。mSAP工艺相关设备:主要提供钻孔、图形转移(曝光)、成型、检测等关键环节的专用设备,核心为超快激光钻孔设备和激光直接成像(LDI)设备。超快激光钻孔机采用皮秒超快激光技术,适用于微小盲孔与通孔加工(最小可达30μm),解决传统CO2激光加工质量问题及带玻纤材料微小孔加工瓶颈,满足M9、碳化硅、陶瓷等新材料的微孔加工需求。激光直接成像设备面向mSAP精细线路加工需求,最小线路解析能力可达15/15μm,可完成高解析度与高效率的数字化曝光。 风险提示:AI算力建设及PCB扩产不及预期,技术迭代与新产品研发不及预期,下游行业景气度波动风险。 2.2东威科技:全球领先的精密电镀设备制造商 公司2025年营收10.98亿元,同比+46.45%;归母净利润1.21亿元,同比+74.58%。2026年Q1公司实现营业收入3.05亿元,同比+44.47%,实现归母净利润0.44亿元,同比+160.59%,主要系公司PCB领域的电镀设备订单持续增长,带动公司整体业绩稳步提升。mSAP工艺相关设备:聚焦核心电镀工序,主要包括MSAP移载式VCP设备、水平镀三合一设备、垂直连续电镀(VCP)设备、脉冲电镀设备。MSAP移载式VCP设备是精细线路加工的主力机型,最小线宽/线距可达8/8μm,电镀均匀性偏差≤3%,适配超薄载板;水平镀三合一设备实现了水平除胶渣、化学沉铜与电镀工艺的一体化集成,打破国外在水平电镀设备领域的垄断;垂直连续电镀(VCP)设备用于mSAP中通孔和盲孔填孔电镀,解决高多层、HDI、类载板工艺中的深孔镀铜难题;脉冲电镀设备用于mSAP中高精度脉冲电镀,解决高阶PCB深孔镀铜、填孔难题,是提升MSAP产线良率的关键设备。 风险提示:PCB行业需求不及预期,电镀设备放量不及预期,行业竞争加剧及价格压力风险。 2.3芯碁微装:全球PCB直写光刻设备龙头 公司2025年营收14.08亿元,同比+ 47.61%;归母净利润2.9亿元,同比+ 80.42%,主要系公司积极布局海外市场,头部客户份额不断提升,丰富泛半导体产品矩阵。2026年Q1公司实现营业收入5.15亿元,同比+112.48%,实现归母净利润1.08亿元,同比+108.98%,主要原因是高端PCB设备量价齐升、先进封装设备放量及产能释放三重驱动,叠加AI算力与先进封装的行业高景气。 mSAP工艺相关设备:核心为直写光刻(LDI)设备和阻焊直接成像(DI)设备,主打高精度直写光刻,满足mSAP超细线路需求。主要包括MAS6P线路系列和NEX30阻焊系列产品,MAS6P系列是全球头部PCB厂开展mSAP、高阶HDI、类载板SLP生产的主力机型,线宽线距解析能力达到6/6μm水平,生产效率较国际主流同类设备提升50%以上。其高精度LDI设备能够支撑更细线路与更高层间对准精度,为CoWoP等下一代封装技术的产业化提供了关键设备基础。 风险提示:PCB客户扩产节奏低于预期,技术迭代及新产品研发进度滞后,行业竞争加剧风险。 2.4洪田股份:子公司速远/洪镭光学布局VCP与LDI 公司2025年营收10.79亿元,同比-21.46%;归母净利润0.15亿元,同比-87.58%,主要系处置全资子公司道森机械和道森材料。20