DRAM ETF聚焦全球存储芯片

DRAMETF聚焦全球存储芯片 据彭博资料，DDR5、大容量NAND等现货存储芯片价格自2025年下半年开始从5美元以下，上涨至2026年中的10-40美元，涨幅普遍在10倍左右。AI基础设施建设的巨大需求，直接重构全球内存产能的分配逻辑，内存价格进入超级周期。Roundhill提供了是跟踪这一超级周期的产品DRAMETF。 作者 刘宗武（HKSFC CENo.:BSJ488）高级策略分析师艾德金融研究部电邮地址：liuzongwu@eddid.com.hk DRAMETF简介：DRAM由RoundhillETFTrust发行，成立于2026年4月，在美股上市的主动管理型ETF，是全球首只完全聚焦于“存储芯片”主题ETF。基金将不少于80%的净资产投资于存储芯片龙头公司的股权证券，或通过互换协议、远期合约等衍生品获取非美上市公司敞口，以获得计算机内存与存储行业长期增长所带来的增值收益。 持仓与溢价：DRAMETF配置了9只来自于美国、韩国、日本、中国台湾的全球顶级存储芯片公司，包括美光、SK海力士、三星电子等，前三持仓占比达71.5%，充分体现其高度聚焦于存储芯片领域。场外净值NAV与二级市场交易收盘价格基本一致，未出现大幅偏离净值的情况。由于流动性原因，最新溢价为2.72%，属于正常偏离状态，价格公允。 行业高速增长，特别是存储器：据WSTS发布的2026年春季全球半导体报告，半导体行业增长的主要驱动力来自于AI基础设施建设、高带宽内存（HBM）和加速计算平台持续强劲的需求。（1）WSTS预测2026年全球半导体市场规模将突破1.51万亿美元，同比增长89.9%。其中，存储器（Memory）呈现爆发性增长，2026年市场规模将超过8000亿美元，同比增长250%，为增速最快的细分品类。（2）WSTS预测2027年全球半导体行业以高于历史增速的趋势持续增长，市场规模将达至1.91万亿美元，同比增长26.6%，细分品类存储器预计将以32%的增速领跑市场。 来源：Bloomberg、艾德金融研究 DRAMETF的三大亮点：（1）AI革命中，带宽决定了GPU的实际产出效率，内存已成为算力释放的关键瓶颈，数据密集型应用的长期趋势为内存产业提供了超越传统周期的增长动能。（2）DRAM精准定位全球领先内存生产商，通过创新工具SWAP实现对三星、SK海力士等非美国上市公司龙头的敞口。（3）与SMH、SOXX等泛半导体基金相比，DRAM提供100%内存聚焦，避免逻辑芯片、半导体设备等非相关业务的稀释。 目录 DRAMETF简介..........................................................................................................................................................................................................3持仓与溢价.....................................................................................................................................................................................................................3行业高速增长，特别是存储器...............................................................................................................................................................................5DRAMETF的三大亮点............................................................................................................................................................................................6风险提示.........................................................................................................................................................................................................................8分析员声明.....................................................................................................................................................................................................................9 图表目录 图表1：DRAMETF自4月2日上市以来上涨152%，大幅跑赢同期费城半导体指数、纳指100及标普500..............3图表2：DRAMETF持仓明细，重仓美光、SK海力士、三星电子等存储芯片龙头公司.......................................................4图表3：DRAMETF净值与二级市场溢价/折价率，最新溢价2.72%............................................................................................4图表4：全球半导体市场规模.....................................................................................................................................................................5图表5：全球半导体2026-2027年贸易总额预测摘要......................................................................................................................6图表6：主流DRAM和NAND供不应求，现货价格自2025年下半年至2026年爆发式上涨................................................7图表7：DRAM与半导体产业高度相关的3个ETF相比较，各自的侧重点有所不同.............................................................8 DRAMETF简介 Roundhill公司认为，计算机内存与存储行业具有长期增长潜力，这一趋势与人工智能基础设施建设的数十年发展周期密切相关。为此，Roundhill推出了名为“DRAM”的内存ETF，旨在为投资者提供对一篮子全球内存芯片企业的精准投资敞口。该ETF是全球首只专注于内存芯片股票的ETF。 RoundhillMemoryETF（代码：DRAM）是由RoundhillETFTrust发行，成立于2026年4月，在CboeBZXExchange上市的主动管理型ETF，上市至今涨幅达152%。基金追求资本增值，并非被动跟踪某一指数，而是采用Roundhill专有的证券选择与权重模型进行季度再平衡策略。 投资范围方面，DRAM是全球首只完全聚焦于「存储芯片」主题ETF。基金将不少于80%的净资产投资于存储芯片公司的股权证券，或通过互换协议（SwapAgreements）、远期合约（ForwardContracts）等衍生品获取敞口。存储芯片公司的认定标准为：至少50%的收入或利润来自HBM、DRAM、NAND/SSD、NOR、HDD或特种/嵌入式存储器的开发与制造。 持仓权重机制方面，采用修改后市值加权（Modifiedmarketcapitalization），单一公司持仓上限25%；最低准入门槛为市值不低于100亿美元、日均成交额不低于500万美元。基金透过ADR/GDR及存托凭证投资非美国公司，因此三星、SK海力士等韩国龙头可通过TRS（总收益互换）或存托凭证形式纳入投资组合。 监管定位方面，DRAM归类为非多元化基金，且投资高度集中于信息技术行业之下的细分芯片存储行业，持仓证券数量显著少于传统宽基ETF。 来源：Bloomberg、艾德金融研究（截至6月18日） 持仓与溢价 DRAMETF配置了9只来自于美国、韩国、日本、中国台湾的全球顶级存储芯片公司， 包括美光、SK海力士、三星电子等，前三持仓占比达71.5%，充分体现其高度聚焦于存储芯片领域。所持仓的9家公司，2026年第一季度全部实现盈利，无一亏损,全部实现历史最高利润率，且SK海力士、美光、南亚均已给出显著高于Q1的Q2业绩指引。如持仓个股权重突破25%，季度末将进行再平衡操作。 场外净值NAV与二级市场交易收盘价格基本一致，未出现大幅偏离净值的情况。由于流动性原因，从上市至今75%的交易日轻微溢价，最新溢价为2.72%，属于正常偏离状态，价格公允。 行业高速增长，特别是存储器 据TheWorldSemiconductorTradeStatistics(WSTS)发布的2026年春季全球半导体报告，半导体行业增长的主要驱动力来自于人工智能基础设施建设、高带宽内存（HBM）和加速计算平台持续强劲的需求，以及半导体在各类终端应用市场中渗透率和用量的不断提升。WSTS分别对2026-2027年进行了预测与展望。 WSTS预测2026年全球半导体市场规模将突破1.51万亿美元，同比增长89.9%。从细分品类角度看，（1）存储器（Memory）呈现爆发性增长，2026年市场规模将超过8000亿美元，同比增长250%。（2）逻辑芯片（Logic）预计将成为另一高增长品类，2026年将增长37%。（3）其它品类的预计增长率较为温和：微处理器增长20%，模拟芯片增长10%，分立半导体增长8%，传感器与光电子器件增长3%，反映整个半导体行业皆呈现增长态势。从区域角度看，（1）美洲地区预计增长112%，将实现翻倍以上增长，由人工智能相关半导体需求的集中释放以及云计算基础设施的大量投资所驱动。（2）亚太地区预计增长87%。（3）欧洲和日本则分别预计增长58%和28%。 WSTS预测2027年全球半导体行业以高于历史增速的趋势持续增长，市场规模将达至1.91万亿美元，同比增长26.6%。从细分品类角度看，（1）存储器（Memory）预计将以32%的增速领跑市场。（2）逻辑芯片（Logic）板块预计增长27%。从区域角度看，全球主要地区（包括美洲、亚太、欧洲、中东与非洲等）在2027年均预计实现正增长，其中美洲和亚太地区增长最为突出，位居前列。 来源：WorldSemiconductorTradeStatistics(WSTS)、艾德金融研究。（WSTS成立于1986年，由半导体产品公司组成的非营利组织，是行业内唯一提供月度行业出货统计数