电子行业研究周报：玻璃基板产业化加速，SK海力士计划三倍扩张产能

——电子行业研究周报 投资摘要： 评级增持（维持） 每周一谈：玻璃基板产业化加速SK海力士计划三倍扩张产能 2026年06月16日 玻璃基板产业化加速，台积电携手Ibiden和群创推进验证。根据华尔街见闻援引Digitimes，台积电近期首次公开披露玻璃基板技术应用进展，确认携手ABF载板公司Ibiden与面板厂群创共同验证玻璃基板导入下一代CoWoS先进封装的可行性。台积电此次测试样品采用0.8mm玻璃核心基板，封装规格为5xReticle CoW，整体封装尺寸达85×110mm，属于大型AI GPU封装等级。与有机基板相比，玻璃基板在多项关键指标上明显改善，可以做的更薄且封装性能更好。该测试的封装翘曲（COP）改善16%，有效热膨胀系数降低19%，有助于减少裂纹与焊点疲劳，有效弹性模量提升31%，电阻值降低27%、电感值降低42%，供电效率显著提升。 王伟分析师SAC执业证书编号：S1660524100001 台积电表示先进封装的竞争正逐步从CoWoS转向CoPoS，并着手提前建立完整生态系。根据半导体产业纵横和华尔街见闻，CoPoS先进封装技术已有试点生产线，预计CoPoS的产量将在两到三年内显著提升。CoPoS被定位为CoWoS的下一代继任者，采用玻璃或蓝宝石方形载具作为中介层，以矩形面板基板替代传统的圆形硅中介层，玻璃通孔技术（TGV）是玻璃基板的核心技术，通孔成形、填铜质量、长期热可靠性，被视为玻璃基板走向量产的三大核心关卡。Yole报告指出，2025年至2030年期间，半导体玻璃晶圆出货量的复合年增长率将超过10%，MarketsandMarkets数据显示全球半导体玻璃基板市场新增价值主要集中在高端倒装球栅阵列（FC-BGA）和先进封装领域。市场层面，台积电硅基CoWoS封装成本持续攀升被视为加速玻璃基板采用的重要催化剂。英特尔、三星电机、SKC、LG等加速布局正推动这一赛道竞争格局成形。 我们认为，玻璃基板是AI和高性能芯片向大尺寸、高带宽和高密度封装推进的重要技术方向。玻璃基载板有望凭借工艺优势，成为未来封装基板的重要升级方向。上下游的产业化适配或是其落地的核心要求，玻璃基材的平整性、多层堆叠等工艺，需要与芯片设计、材料、封装环节协同调试，台积电联合推动验证或加快产业化进展。其封装需TGV玻璃通孔等先进技术，这与玻璃面板厂商核心能力相契合，半导体封装领域有望迎来跨界融合新机遇。建议关注加工制造环节的京东方A等及封装测试企业，上游材料、激光加工设备企业等。 相关报告 1、《电子行业研究周报：华为发布韬定律存储景气延续》2026-06-042、《电子行业研究周报：AI算力需求中CPU配比存在提升预期》2026-05-283、《电子行业研究周报：国产代工季报景气受益涨价效应和订单外溢》2026-05-22 SK海力士计划在2034年前将晶圆产能扩大至目前的三倍，关注存储和先进制程扩产对设备出货的催化。根据芯智讯援引《日经亚洲》报道，SK集团董事长崔泰源近日接受其采访时表示，为满足AI计算对内存芯片日益增长的需求，SK海力士计划在2034年前将晶圆产能扩大至目前的三倍。根据目前的规划，SK海力士晶圆产能将在五年内（2031年内）翻倍。财联社报道，近期公司多家设备一级供应商提出涨价要求，供货价格涨幅在3%-4%。 存储龙头扩产预期乐观，资本开支有望维持较高水平，存储及先进制程扩产有望持续拉动设备投资，建议关注对存储性能起到关键作用的薄膜沉积和刻蚀设备的需求提升，国内长鑫长存的上市募资或将提振国产设备的出货预期。建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。 敬请参阅最后一页免责声明投资策略：建议关注玻璃基板加工制造环节的京东方、沃格光电等及封装测试企业，上游材料、激光加工设备企业等。建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电 科技、华海诚科等。 风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧 1.市场回顾 上周（6.8-6.12）申万电子行业指数下跌1.87%，在申万31个行业中排名第15，跑输沪深300指数1.05%。本月至今（6.1-6.12）申万电子行业指数下跌2.67%，在申万31个行业中排名第12，跑输沪深300指数0.32%。 年初至今（1.1-6.12）申万电子行业指数上涨41.95%，在申万31个行业中排名第2，跑赢沪深300指数38.77%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 上周（6.8-6.12）申万电子行业三级子行业中半导体材料、半导体设备、电子化学品Ⅲ、印制电路板、模拟芯片设计指数涨跌表现相对靠前，相对沪深300指数涨跌幅分别是13.50%、10.61%、4.00%、1.58%、1.39%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 上周（6.8-6.12）万得半导体概念指数中半导体材料指数、半导体设备指数、中芯国际产业链指数、长江存储指数、光刻机指数、先进封装指数、第三代半导体指数涨跌幅分别为9.43%、5.34%、4.34%、3.11%、2.99%、1.44%、-2.75%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 截至2026年6月12日，费城半导体指数收于13371.47点、周上涨9.42%。台湾半导体指数收于1489.55点、周下跌2.10%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 2.行业数据跟踪 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：ifind，日本半导体制造装置协会，申港证券研究所 资料来源：wind，海关总署，申港证券研究所 资料来源：ifind，日本半导体制造装置协会，申港证券研究所 资料来源：ifind，世界半导体贸易统计组织，申港证券研究所 资料来源：ifind，全球半导体观察（DRAMexchange），申港证券研究所 资料来源：ifind，全球半导体观察（DRAMexchange），申港证券研究所 3.每周一谈：玻璃基板产业化加速SK海力士计划三倍扩张产能 玻璃基板产业化加速，台积电携手Ibiden和群创推进验证。根据华尔街见闻援引Digitimes，台积电近期首次公开披露玻璃基板技术应用进展，确认携手ABF载板公司Ibiden与面板厂群创共同验证玻璃基板导入下一代CoWoS先进封装的可行性。台积电此次测试样品采用0.8mm玻璃核心基板，封装规格为5x Reticle CoW，整体封装尺寸达85×110mm，属于大型AI GPU封装等级。与有机基板相比，玻璃基板在多项关键指标上明显改善，可以做的更薄且封装性能更好。该测试的封装翘曲（COP）改善16%，有效热膨胀系数降低19%，有助于减少裂纹与焊点疲劳，有效弹性模量提升31%，电阻值降低27%、电感值降低42%，供电效率显著提升。 资料来源：先进封装材料，申港证券研究所 台积电表示先进封装的竞争正逐步从CoWoS转向CoPoS，并着手提前建立完整生态系。根据半导体产业纵横和华尔街见闻，CoPoS先进封装技术已有试点生产线，预计CoPoS的产量将在两到三年内显著提升。CoPoS被定位为CoWoS的下一代继任者，采用玻璃或蓝宝石方形载具作为中介层，以矩形面板基板替代传统的圆形硅中介层，玻璃通孔技术（TGV）是玻璃基板的核心技术，通孔成形、填铜质量、长期热可靠性，被视为玻璃基板走向量产的三大核心关卡。Yole报告指出，2025年至2030年期间，半导体玻璃晶圆出货量的复合年增长率将超过10%，MarketsandMarkets数据显示全球半导体玻璃基板市场新增价值主要集中在高端倒装球栅阵列（FC-BGA）和先进封装领域。市场层面，台积电硅基CoWoS封装成本持续攀升被视为加速玻璃基板采用的重要催化剂。英特尔、三星电机、SKC、LG等加速布局正推动这一赛道竞争格局成形。 资料来源：先进封装材料，《玻璃通孔技术的射频集成应用研究进展》，申港证券研究所 我们认为，玻璃基板是AI和高性能芯片向大尺寸、高带宽和高密度封装推进的重要技术方向。玻璃基载板有望凭借工艺优势，成为未来封装基板的重要升级方向。上下游的产业化适配或是其落地的核心要求，玻璃基材的平整性、多层堆叠等工艺，需要与芯片设计、材料、封装环节协同调试，台积电联合推动验证或加快产业化进展。其封装需TGV玻璃通孔等先进技术，这与玻璃面板厂商核心能力相契合，半导体封装领域有望迎来跨界融合新机遇。建议关注加工制造环节的京东方A等及封装测试企业，上游材料、激光加工设备企业等。 SK海力士计划在2034年前将晶圆产能扩大至目前的三倍，关注存储和先进制程扩 产对设备出货的催化。根据芯智讯援引《日经亚洲》报道，SK集团董事长崔泰源近日接受其采访时表示，为满足AI计算对内存芯片日益增长的需求，SK海力士计划在2034年前将晶圆产能扩大至目前的三倍。根据目前的规划，SK海力士晶圆产能将在五年内（2031年内）翻倍。财联社报道，近期公司多家设备一级供应商提出涨价要求，供货价格涨幅在3%-4%。 存储龙头扩产预期乐观，资本开支有望维持较高水平，存储及先进制程扩产有望持续拉动设备投资，建议关注对存储性能起到关键作用的薄膜沉积和刻蚀设备的需求提升，国内长鑫长存的上市募资或将提振国产设备的出货预期。建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。 4.行业动态 台积电3nm月产17.5万片仍不够，下半年拟涨价15% 据台媒《工商时报》6月10日报道，尽管台积电已在第二季度将3nm月产能拉升至16万至17.5万片，但仍无法满足客户排队下单的需求。据供应链消息透露，台积电计划于2026年下半年对先进制程代工价格进行适度调整，其中需求最为紧俏的3纳米制程涨幅预计约为15%，而且2027年还可能进一步上涨5%至10%。 目前，台南科学园区的Fab18厂区是台积电3nm制程的主力生产基地。数据显示，2026年初，台积电3nm月产能约为13万片晶圆，到第二季度已提升至16万至17.5万片，增速不可谓不快。（来源：芯智讯） SK集团董事长：2034年产能将扩大至目前三倍 6月11日消息，据《日经亚洲》报道，韩国SK集团董事长崔泰源近日接受其采访时表示，为满足人工智能（AI）计算对内存芯片日益增长的需求，SK海力士计划在2034年前将晶圆产能扩大至目前的三倍。 崔泰源表示，根据目前的规划，SK海力士晶圆产能将在五年内（2031年内）翻倍。但当所有设施都建成后，产能不只是翻倍，到2034年左右是会达到现在的三倍，“但即使如此，也有人认为这样仍然不够”。（来源：芯智讯） SK海力士年底量产375层NAND，将首次导入钼材料 6月11日消息，据韩国媒体The Elec引述消息人士的话报道称，SK海力士计划今年底开始量产375层3D NAND Flash，并首度在高层数NAND制程中导入钼材料，以提升产品性能与堆叠密度。SK还来已完成375层NAND的生产验证，正准备将相关技术导入量产线。虽然SK海力士并未新建晶圆厂，但是其选择在位于韩国清州M15厂进行产线转换投资。该厂目前主要生产176层、238层以及321层NAND产品。（来源：芯智讯） SK与英伟达官宣新合作 据韩联社报道，6月8日早间，在韩国首尔钟路区SK集团总