电子周观点：Rubin进入全面量产阶段，存储涨价趋势延续

周观点：Rubin进入全面量产阶段，存储涨价趋势延续 玻璃基板产业趋势明确。台积电董事长魏哲家6月4日股东会上发言，台积电已建立CoPoS先导产线，预计两至三年内实现有意义的产能提升。台积电的入场，进一步确认了玻璃基板从实验室走向量产的商业化路径正在提速。此外，英特尔宣布拟在美国新墨西哥州里奥兰乔建设首个玻璃基板量产制造基地，且印度政府宣布，英特尔与3DGS计划在印度东部奥里萨邦投资约33亿美元，建设一座基板制造工厂，聚焦先进封装玻璃基板、高密度互连基板及相关半导体技术，该工厂建成后预计年产玻璃基板约7万片、约5000万个组装单元及近1.3万个先进3D异构集成模块。相较于有机基板，玻璃基板在热性能、电气性能、物理结构方面占优，从厂商情况来看，英特尔、三星电机、SKC旗下Absolics、LG Innotek等多方加速布局，我们认为当前节点来看，玻璃基板产业趋势明确，重视供应链。 增持（维持） Rubin进入全面量产阶段。在COMPUTEX期间举办的NVIDIA GTC台北大会上，黄仁勋宣布NVIDIA Vera Rubin正在加速进入全面量产阶段，黄仁勋表示为Vera Rubin打造的供应链规模是Grace Blackwell的两倍，需要所有产能来支撑当前的需求。当前Rubin进入量产阶段，我们认为Rubin的正式量产将带动供应链需求，此外，新料号的量产出货，厂商将重新议价，有助于传导上游涨价带来的成本压力，进一步提高供应链盈利能力。此外，PC领域，黄仁勋发布了NVIDIA RTX Spark，让轻薄Windows笔记本与紧凑型桌面主机都能具备1 Petaflop的AI性能。由MediaTek联合打造，运行微软Windows系统，NVIDIA RTX Spark将为首个专为个人智能体打造的PC提供动力—始终在线、始终本地运行。物理AI领域，NVIDIACosmos 3全模态模型，Alpamayo 2 Super自动驾驶推理模型以及NVIDIAIsaac GR00T参考人形机器人等解决方案更新，帮助企业和开发者加速部署物理AI应用。 作者 分析师佘凌星执业证书编号：S0680525010004邮箱：shelingxing1@gszq.com 分析师钟琳执业证书编号：S0680525010003邮箱：zhonglin1@gszq.com 相关研究 1、《电子：周观点：华为发布韬定律，AI持续拉动存储市场增长》2026-05-302、《半导体：华为发表“τ定律”，半导体开启先进制程与成熟制程共振新周期》2026-05-253、《电子：AI浪潮下被动元器件开启超级新周期》2026-05-25 存储涨价趋势延续，预计HBM合约价格大幅上涨。根据Trend 2H25以来，一般型DRAM价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的HBM年度议价机制，导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。 海外大厂正加速扩产。据THEELEC6月5日报道，SK海力士正式披露中长期扩产规划，计划于2030~2031年将DRAM晶圆月投料产能从当前55万片提升至约100万片，新增产能全部布局韩国龙仁半导体产业园。龙仁一期工厂首间设备进场时间已由2027年5月提前至2027年2月。据财联社6月3日报道，铠侠社长太田裕雄在2日举办的业绩说明会上称，针对在北上工厂新建厂房一事，已启动相关评估工作，项目计划2029至2030年之后投产，通过扩产投资来应对旺盛的市场需求。铠侠的NAND闪存由四日市工厂与北上工厂负责生产，现阶段北上工厂已建成两座厂房。存储需求旺盛，当前节点来看，我们认为涨价或将延续，此外各家存储厂扩产将带动对设备、材料、洁净室等上游扩产必需项需求，供应链高度受益。 周观点：见相关标的。 风险提示：下游需求不及预期、研发进展不及预期、地缘政治风险。 内容目录 一、玻璃基板产业趋势明确，看好供应链发展机会.....................................................................................4二、英伟达Vera Rubin加速进入全面量产阶段..........................................................................................5三、存储涨价趋势延续，存储巨头扩产提速...............................................................................................6四、相关标的.........................................................................................................................................8风险提示...............................................................................................................................................8 图表目录 图表1：玻璃基板VS有机基板...............................................................................................................4图表2：主要晶圆代工厂/OSAT中部署2.5D封装生产线............................................................................5图表3：Rubin进入量产出货..................................................................................................................5图表4：英伟达RTX Spark产品..............................................................................................................6图表5：HBM在DRAM产业位元出货量与投片量的占比趋势......................................................................7图表6：SK海力士扩产规划...................................................................................................................7 一、玻璃基板产业趋势明确，看好供应链发展机会 台积电董事长魏哲家6月4日股东会上发言，台积电已建立CoPoS先导产线，预计两至三年内实现有意义的产能提升。台积电的入场，进一步确认了玻璃基板从实验室走向量产的商业化路径正在提速。此外，英特尔宣布拟在美国新墨西哥州里奥兰乔建设首个玻璃基板量产制造基地，且印度政府宣布，英特尔与3DGS计划在印度东部奥里萨邦投资约33亿美元，建设一座基板制造工厂，聚焦先进封装玻璃基板、高密度互连基板及相关半导体技术，该工厂建成后预计年产玻璃基板约7万片、约5000万个组装单元及近1.3万个先进3D异构集成模块。从厂商情况来看，英特尔、三星电机、SKC旗下Absolics、LG Innotek等多方加速布局，我们认为当前节点来看，玻璃基板产业趋势明确。 相较于有机基板，玻璃基板在热性能、电气性能、物理结构全面占优。1）热膨胀系数与硅匹配，有机芯基板热膨胀系数约7ppm/℃，与硅的2.6ppm/℃差距大，极易引发翘曲；玻璃热膨胀系数可控制在3–9ppm/℃，可与硅精准匹配，即便超大封装也能维持稳定良率；2）介电性能优异，玻璃是绝佳绝缘材料，10GHz频率下，介电常数Dk低至2.5–6，介电损耗Df低至0.0005–0.005，可保障高速传输下的信号完整性。3）表面极致平整：玻璃表面平整度与光洁度极高，可实现更精细的线路线宽/线距（L/S），可达2微米以下。 全球主流晶圆厂与封测厂纷纷新增玻璃基板、玻璃中介层产线。 1）台积电2025年推出310×310毫米CoPoS（（面板基板芯片）产线规划；计划2026年在景硕设立首条试产线，2027年小批量试产，2028–2029年实现量产。台积电在CoPoS中把玻璃用作中介层，厚度要求更薄（约400微米，仅为普通基板一半）、热膨胀系数匹配标准更严苛，技术难度高于玻璃基板方案。 2）三星2024年CES官宣研发玻璃中介层技术；2025年通过子公司SEMCO建成首条玻璃芯基板试产线，规划2027年量产。 3）Rapidus在2025年日本半导体展，展出目前最大尺寸600×600毫米玻璃中介层样品，目标2028年量产。 4）韩国SK集团与应用材料合资企业Absolics，早在2022年就投入约3000亿韩元，在美国佐治亚州卡温顿建成首座玻璃基板工厂。公司目标研发可直接内嵌有源/无源器件的玻璃基板，省去中介层环节，缩减封装面积、厚度与功耗；基板尺寸500×500毫米，规划2026年量产。 5）英特尔是玻璃基板研发最为激进的厂商。2023年9月，英特尔官宣先进封装导入玻璃基板，量产窗口锁定2026–2030年。2026年1月22日日本NEPCON展，英特尔展出首款EMIB+玻璃芯基板整合样品：封装尺寸78×77毫米（约1716平方毫米），支持2倍掩模版尺寸，采用10-2-10堆叠结构（10层重布线层+2层玻璃芯+10层重布线层， 共22层），总厚度800微米，凸点间距45微米。同时测试实现无微裂纹（NoSeWaRe），为量产扫清关键障碍。 二、英伟达Vera Rubin加速进入全面量产阶段 在COMPUTEX期间举办的NVIDIAGTC台北大会上，全球开发者、研究人员和行业领导者齐聚一堂，深入探讨正在影响各行各业的全新突破，涵盖AI工厂以及将基础设施扩展到代理式AI和物理AI等主题。黄仁勋宣布NVIDIA Vera Rubin正在加速进入全面量产阶段，黄仁勋表示为Vera Rubin打造的供应链规模是Grace Blackwell的两倍，需要所有产能来支撑当前的需求。当前Rubin进入量产阶段，我们认为Rubin的正式量产将带动供应链需求，高度重视当前阶段Rubin核心供应链机会。 资料来源：英伟达，国盛证券研究所 PC领域，黄仁勋发布了NVIDIARTXSpark，让轻薄Windows笔记本与紧凑型桌面主机都能具备1Petaflop的AI性能。由MediaTek联合打造，运行微软Windows系统，NVIDIARTXSpark将为首个专为个人智能体打造的PC提供动力——始终在线、始终本地运行。物理AI领域，NVIDIA Cosmos 3全模态模型，Alpamayo 2 Super自动驾驶推理模型以及NVIDIA Isaac GR00T参考人形机器人等解决方案更新，帮助企业和开发者加速部署物理AI应用。 资料来源：英伟达，国盛证券研究所 三、存储涨价趋势延续，存储巨头扩产提速 DRAM持续供不应求，预估2027年HBM合约价将倍数上涨。根据Trend 2H25以来，一般型DRAM价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂