美光科技（MU）：HBM构筑高弹性空间，技术升级叠加扩产共塑份额红利

美光科技作为全球领先的半导体存储解决方案供应商，在AI算力需求爆发下迎来发展机遇。公司凭借在HBM领域的领先地位，以及DRAM和NAND产品的全栈布局，成为AI推理周期最直接的受益者。

核心观点：

• AI重塑存储行业： 存储需求从训练侧的“一次性爆发”转向推理侧的“持续性消耗”，RAG架构和企业级SSD成为NAND第二增长极。
• 技术升级： 美光在HBM、DRAM和NAND领域持续进行技术升级，率先量产HBM4和1γ节点DRAM，并推出PCIe Gen6 SSD，巩固技术领先地位。
• 扩产计划： 美光积极扩产，新建晶圆厂并提升资本开支，以满足AI算力对存储芯片的强劲需求。

关键数据：

• FY26Q2营收： 238.6亿美元，同比增长196%，GAAP毛利率74.4%，Non-GAAP EPS 12.20美元，超市场预期。
• HBM产能： 2026年全年HBM供应已完全售罄，HBM4已量产出货，HBM4E预计2027年量产。
• DRAM市场： 2025财年DRAM收入同比增长62%，1γ节点DRAM已实现量产。
• NAND市场： 2025财年NAND单季营收达50亿美元，数据中心NAND成为关键增长驱动力，Micron 9650企业级SSD已率先量产。

研究结论：

• 供需关系紧张： AI算力需求强劲，存储芯片供需紧缺或将延续数年，美光将全面享受行业价格中枢上移带来的高额红利。
• 业绩增长可期： 美光HBM扩产或提供较大业绩弹性，有望在AI驱动的基础设施建设中持续受益，预计FY2026-FY2028年归母净利润分别为678.1/1109.1/1154.4亿美元。
• 投资建议： 首次覆盖给予“买入”评级。

风险提示：

• 存储行业周期再现风险。
• 国产产能加速冲击中低端市场。
• 云厂商资本开支不及预期风险。
• 股价短期波动风险。