【国金计算机&科技】Wolfspeed 5月至今已翻倍,AI电源架构升级与CoWoS导入尝试引爆SiC需求事件:Wolfspeed(WOLF)盘中大涨20%+,5月至今已翻倍。 ——三星晶圆代工正重启8英寸SiC产线筹建,与供应商深入磋商进入实质推进阶段,目标2028年实现量产。 ——英飞凌(IFNNY)CEO在最新财报会中表示“SiC在AI相关应用需求十分旺盛,推动公司该业务重回增长”,此前公司发函将SiC功率器件涨价15%——安森美(ON.O)CEO表示,“SiC功率半导体显著提升电能转化效率,1Q26 AI数据中心收入环比增长30%,全年有望实现翻倍增长”——Navitas(NVTS.O)CEO表示“公司已将重点转向SiC和GaN市场,在AC/DC电源单元(PSU)中,得益于PSU功率提升,SiC价值量约为每兆瓦5000-8000美元” #AI电源架构革命_SiC功率半导体是SST核心部件。 单机柜功率迈向兆瓦过程中,传统供电架构无法满足需求,800V HVDC/SST可大幅减少中间转换环节。 3月5日,Wolfspeed发布全球首款可商用10kv SiC功率MOSFET,作为SST核心器件,可将系统成本降低约30%,功率密度提升超300%,转换效率高达99%,散热需求降低高达50%。 基于上述方案,一个100MW的超大IDC每年可节省电量超1200万度,减少供电单元占地面积50%。 #SiC中介层有望导入CoWoS先进封装_打开想象空间。 SiC的热导率约为硅的3倍,同时具备高机械强度和高电阻率等特性,在多芯片芯粒组装和高带宽内存堆叠中具备系统级协同优势,WolfSpeed的CTO近日在访谈中表示,公司正与代工厂和OSAT封测厂合作,评估SiC-Si封装架构的技术可行性,与CoWoS等封装方案衔接。 若导入顺利,到2030年全球需要超过230万片12英寸SiC衬底,远超全球产能。 #建议关注:WolfSpeed、天岳先进、晶升股份、宇晶股份等。 风险提示:SiC渗透率不及预期,AI发展不及预期,产能拓展不及预期等。