美光科技（MU）FY2026Q2 业绩点评及业绩说明会纪要

证 券 研 究 报告 美光科技（MU）FY2026Q2业绩点评及业绩说明会纪要 会议时间：2026年3月19日 收入同比增长近两倍，加大资本开支以扩张产能 会议地点：线上 ❖事项： 华创证券研究所 2026年3月19日，美光科技发布FY26Q2报告，并召开业绩说明会。❖评论： 证券分析师：岳阳邮箱：yueyang@hcyjs.com执业编号：S0360521120002 1.总体业绩情况：美光FY26Q2收入、毛利率、每股收益和自由现金流均创下了优异记录，季度收入同比翻近三倍，DRAM、NAND、HBM及各业务单元 的 收 入 均 创 下 新 高 。FY26Q2实 现 营 收238.6亿 美 元 （QoQ+75%，YoY+196%），高于指引区间上限，创历史最大环比增幅，主要得益于人工智能驱动的内存需求增长、结构性供应限制。FY26Q2的Non-GAAP毛利率达到创纪录的75%（QoQ+18.1pct，YoY+37pct），超过指引区间上限，主要得益于更高的定价、有利的组合和性价比。2.数据中心市场预期及进展情况：公司预计在人工智能和传统服务器的共同推 证券分析师：吴鑫邮箱：wuxin@hcyjs.com执业编号：S0360523060001 动下，服务器销量在2026年的增长率将在10-15%。人工智能需求正在推动DRAM和NAND数据中心位TAM在2026年首次超过行业TAM的50%。预计，随着新平台的推出，服务器DRAM位元需求将在2026年继续增长。HBM方面，在NVIDIA的GTC会议上，宣布Micron已经在2026年Q1开始批量出货其为NVIDIA Vera Rubin所设计的HBM4 36GB 12-high。随着HBM4的生产提速和批量出货，预计将比HBM3E更快达到成熟产量。公司对自身HBM4 16-high产品进行了送样测试，该产品在每个HBM立方体中提供48GB的HBM容量，与HBM4 12H相比，HBM容量增加了33%。公司的下一代HBM产品HBM4E的开发工作正在顺利进行，预计在2027年实现量产。SSD方面，公司数据中心SSD市场份额在2025年连续第四年增长，创下新纪录。在FY26Q2，数据中心NAND收入环比增长了一倍以上，达到了新的记录。3.其他终端市场：（1）PC：2026年包括DRAM和NAND供应限制在内的许 联系人：卢依雯邮箱：luyiwen@hcyjs.com 相关研究报告 《Marvell Technology（MRVL）FY26Q4业绩点评及业绩说明会纪要：单季与财年收入双创记录，需求强劲上调FY27-28指引》2026-03-08《英伟达（NVIDIA）FY26Q4业绩点评及业绩说 明会纪要：业绩增长强劲，新产品顺利推进》2026-03-01《Cisco Systems（CSCO）FY26Q2业绩点评及业绩说明会纪要：AI需求旺盛，推动公司业绩快速增长》2026-02-15 多因素可能导致个人电脑和智能手机的出货量下降到低两位数的百分比范围。公司在一家大型OEM完成了LPCAMM2的资格认证。在CES上，公司推出了业界首款基于G9 NAND的第5代QLC客户端固态硬盘。公司的LPDDR5X现在被设计成领先的个人人工智能工作站，扩大了潜在市场，大量出货给关键客户。（2）手机：原始设备制造商最近发布了新的旗舰设备，如三星GalaxyS26和GooglePixel 10，其移动操作系统中集成了人工智能。在2026Q4，搭载12GB及以上内存的旗舰智能手机的比例将从一年前的不到20%上升至近80%。公司继续收到来自moem和生态系统合作伙伴对公司基于1γ的LPDDR6样 品 的 强 烈 兴 趣 和 反 馈， 并凭 借 额 外 的 资 质 和10.7 Gbps 1γLPDDR5X 16Gb产品的大规模生产建立了势头。（3）汽车&工业：AEBU部门总收入再创新高，其中汽车和工业部门的总收入超过20亿美元。在汽车行业，原始设备制造商正在加速在其车队中部署Level 2+ ADAS（高级驾驶员辅助系统）。目前，普通汽车的ADAS能力低于L2，大约包含16GB的DRAM，而具有L4级自动驾驶功能的汽车则需要超过300GB的DRAM。随着更先进的ADAS和智能座舱的采用规模扩大，预计汽车内存需求将长期强劲增长。公司已经出货了业界首个汽车级1γLPDDR5样品，在NAND领域，公司率先推出了基于G9的UFS 4.1汽车解决方案。（4）嵌入式：市场正处于机器人持续20年增长的风口浪尖，将成为科技世界最大的产品类别之一。公司凭借行业领先的技术、产品解决方案和运营能力，与客户密切合作，充分利用这一机会。4.行业供需情况预判：（1）需求：管理层预计，2026年DRAM和NAND行 业的比特需求将受到供应的限制，这种紧张状况将持续到2026年以后。（2）供给：所有终端市场的供应都非常紧张，美光目前只能满足关键客户50%至三分之二的需求。从新建晶圆厂的产能释放节奏看，公司预计2027年中期在爱达荷州的DRAM新厂开始量产出货，收购的力积电铜锣工厂将于FY28开始贡献出货；28年NAND新加坡新厂开始量产出货。5. FY26Q3业绩指引：预计FY26Q3营收为335亿美元（QoQ+40.4%， YoY+260%），上下浮动7.5亿美元，毛利率在81%左右（QoQ+6.8pct）。公司的FY2026的资本支出预计将超过250亿美元，主要是由洁净室设施相关的资本支出推动的，预计FY2027的资本支出将大幅增加，建筑支出同比增长超过100亿美元，超过FY2026和FY2027的设备支出增长。❖风险提示： 技术研发不及预期，扩产不及预期，下游需求不及预期 目录 一、FY2026Q2业绩情况 ........................................................................................................3 （一）业绩总览...............................................................................................................3（二）供给能力提升举措...............................................................................................3（三）全年需求展望.......................................................................................................4 二、营收拆分...........................................................................................................................4 （一）按产品营收拆分...................................................................................................4（二）按业务部门营收拆分...........................................................................................4（三）按终端市场营收拆分...........................................................................................5 四、Q&A环节.........................................................................................................................7 五、风险提示.........................................................................................................................10 一、FY2026Q2业绩情况 （一）业绩总览 营收：FY26Q2实现营收238.6亿美元（QoQ+75%，YoY+196%），高于指引区间上限（指引中值为187亿美元上下浮动4亿美元）102亿美元的环比增长是公司历史上最大的增幅，主要得益于人工智能驱动的内存需求增长、结构性供应限制以及公司全面执行力。 毛利率：FY26Q2的Non-GAAP毛利率达到创纪录的75%（QoQ+18.1pct，YoY+37pct），超过指引区间上限（指引为68%上下浮动1pct），主要得益于更高的定价、有利的组合和性价比。 资料来源：公司官网 （二）供给能力提升举措 ⚫DRAM：公司宣布成功完成了对力积电铜锣工厂的收购，提前完成了交易。预计该工厂将从FY2028开始支持现有晶圆厂的有意义的产品出货。除了现有的晶圆厂外，公司计划在FY2026年末开始在该工厂建造一个类似大小的第二洁净室。公司仍然预计在CY2027中期，在爱达荷州的第一家晶圆厂将实现初始晶圆产量，而在爱达荷州的第二家晶圆厂的地面准备工作已经开始。公司在纽约的第一家晶圆厂动工，初步的地面准备工作提前完成。在日本，公司正在为无尘室扩建的地面准备工作取得良好进展，以使广岛工厂能够实现未来的技术转型。 ⚫NAND：由于更高的需求前景以及公司决定在制造工厂共同设置研发洁净室的决定，公司决定在新加坡工厂动工新的NAND晶圆厂。预计该晶圆厂的初始晶圆产量将在CY2028下半年实现。在组装和测试方面，公司开始从印度的新工厂进行商业运输。这个最先进的设施将是世界上最大的单层组装和测试洁净室之一。公司的新加坡HBM先进封装工厂有望在CY2027为美光的HBM供应做出有意义的贡献。 ⚫资本支出：公司预计FY2026的资本支出将超过250亿美元。从公司上次的业绩说明会来看，大部分增长是由洁净室设施相关的资本支出驱动的——其中最大的因素 是铜锣，其次是公司美国晶圆厂项目的建设支出增加。公司预计FY2027的资本支出将大幅增加，以支持HBM和DRAM相关投资。预计FY2027建筑相关的资本支出将同比增加100亿美元以上，因为公司将建立全球制造基地，以应对长期需求机会。此外，公司预计FY2027的设备支出将同比增加。当公司进行这些投资时，公司将继续对市场环境和客户需求做出反应，以适当地调整公司的供应计划。 （三）全年需求展望 公司预计2026年的DRAM和NAND行业需求将受到供应的限制。预计DRAM和NAND的供需状况在2026年之后仍将保持紧张，2026年行业DRAM比特出货量将增长20%左右，略高于公司之前的预期。 在DRAM中，洁净室的限制和较长的生产周期、较高的HBM交易比率、较高的HBM增长率以及节点迁移导致的每晶圆比特数增长的下降，都限制了比特供应的增长。预计2026年行业NAND比特出货量将增长约20%。在NAND领域，一些行业供应商将洁净室空间转向DRAM，整体有限的洁净室空间限制了钻头供应的增长。公司预计公司的DRAM和NAND供应将在2026年大致与行业同步增长。 二、营收拆分 （一）按产品营收拆分 ⚫DRAM：FY26Q2的DRAM产品线实现营收188亿美元，占总营收的79%，营收环比增长74%，同比增长207%；位元出货量环比增长5%左右，ASP环比增长约65%左右。 ⚫NAND：FY26Q2的NAND产品线实现营收50亿美元