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NVDA昨晚业绩会上黄仁勋表示Groq将作为扩张架构在GTC上展出

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1、Groq LPUGroq现有V3芯片的单独机柜架构展出，并独立迭代，实现机柜级别的PD 分离。供应链：沪电； 2、Feynman下一代Feynman将在logic PE die上3D堆叠LPU（含SRAM），并保留HBM，实现单颗芯片的PD分离。< NVDA昨晚业绩会上，黄仁勋表示，Groq将作为扩张架构在GTC上展出。 1、Groq LPUGroq现有V3芯片的单独机柜架构展出，并独立迭代，实现机柜级别的PD分离。供应链：沪电； 2、Feynman下一代Feynman将在logic PE die上3D堆叠LPU（含SRAM），并保留HBM，实现单颗芯片的PD 分离。这也将是Feynman结构上最新的创新趋势。 CPO：天孚、罗博、环旭、晶方、广立微；3.2T薄膜铌酸锂：天通、光库；SRAM：君正；混合键合：拓荆、精测；背部供电：菲利华、明阳。

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NVDA昨晚业绩会上黄仁勋表示Groq将作为扩张架构在GTC上展出

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