大摩上调存储行业预测并强烈推荐香农芯创,预计其上涨空间至少三倍,并已调入MSCI指数。核心观点如下:
- 行业供需格局:供给短缺持续,内存产品定价显著上移,覆盖几乎所有下游应用场景。大摩上调相关企业盈利预测,认为AI需求保持强韧,HBM4不确定性、中国扰动及资本开支担忧均非主要约束,核心矛盾仍是供需缺口持续与价格上行空间。
- 价格趋势:DDR5现货价格年初至今上涨约30%,较1月合约价高出约130%,较12月水平高出约86%。大摩认为主流合约价格即便翻倍,仍可能比现货价格低超10%,且现货价格仍上行。买方侧成交结构变化,强化主流价格向高位靠拢。
- 企业指引与业绩:美光财年第二季度指引隐含收入环比增长约37%,对应DRAM与NAND平均售价环比约30%增长。闪迪一季度NAND平均售价可能环比增长约60%。大摩测算2026年第一季度传统DRAM平均售价环比上涨约48%-55%。美光或在未来约一年半时间里,每股收益持续高于一致预期。
- 估值与盈利:市场低估行业周期持续性,周期的延长有机会带来更高的估值中枢。美光2027年末每股收益约12美元可实现,但2026年第一季度定价水平可能已高出指引隐含水平约20%-25%,未来盈利或持续高于一致预期。当前估值约8倍市盈率,对周期性公司不苛刻,且毛利率水平较上一轮峰值高出约10-15个百分点。
- 风险回报:股票交易更接近约5倍峰值每股收益的定价,而非2021年周期高点附近约10倍的峰值估值。若周期延续至2027年,估值重估将显著影响股价。
- 现金流:盈利规模约每季度100亿美元时,美光一年可创造相当于当前企业价值约10%的现金,潜在大额现金预付款可能进一步推高资产负债表上的现金水平。
- 供需缺口弥合:AI需求高增速下,缩小供需缺口不易。生产端库存极低,客户无法建立库存,且在支付溢价换取提前交付。大摩预期2026年末晶圆开工量同比增幅仅约7%,美光博伊西项目及力积电合作要到2027年才带来实质改善。
- 需求端:未来12个月内存产业需为接近2000亿美元年化规模的新增AI相关收入提供配套供给,规模大于2020年整个逻辑芯片市场。DRAM供应商需更高资本开支强度追赶供给。
- 中国内存厂商:长鑫存储与长江存储扩张相对克制,技术水平落后且受限,无法购买美国资本设备,无法轻易向全球输出额外供给。
- HBM:HBM是叙事核心,但DDR5价格上行已使其更具吸引力。美光预计2026年第二季度实现HBM4规模出货,海力士将获得Rubin早期放量主要份额。即便HBM4爬坡出现意外,HBM3e仍将是市场主体。
- A股市场:香农芯创受益于海普存储放量和存储涨价周期,上调2026、2027年盈利预测。预计2025-2027年营收分别为340亿、587亿和866亿元,归母净利润分别为5.5亿、30亿和50亿元。对应市盈率分别为112/20/12倍,至少具备三倍以上上涨空间,调入MSCI指数,预计至少三倍以上空间,给予400元以上目标位。
- 研究结论:大摩将美光目标价上调至450美元,并维持超配评级,将其作为半导体板块首选。继续以跨周期指标对美光估值,最新上调跨周期每股收益至18美元,维持25倍估值倍数,因HBM带来的AI独特优势,给予溢价倍数具有合理性。