大摩上调相关企业盈利预测，主要基于内存产品定价出现、供应短缺覆盖几乎所有下游应用场景以及AI需求保持强韧。市场当前讨论的HBM4不确定性、中国相关扰动及资本开支担忧，均不构成行业发展的主要约束，核心矛盾仍是供需缺口。
核心观点与关键数据：
- 定价与行业景气度： 大摩渠道信息支持2026年Q1/Q2 DRAM与NAND价格进一步走高。DDR5现货价格年初至今上涨约15%，买方侧成交结构变化强化主流价格向高位靠拢。
- 美光业绩指引： 市场环境已足以支撑美光业绩落在甚至高于此前财年Q2指引区间的高端（隐含收入环比增长约20%）。大摩测算该收入指引对应DRAM与NAND平均售价环比约20%-25%。
- 供需缺口分析： 当前生产端库存极低，客户需支付溢价获取提前交付窗口。大摩预计2026年末晶圆开工量同比增幅仅约10%，而未来12个月AI相关新增收入约2000亿美元，需配套供给。
- 中国内存厂商影响： 长鑫存储与长江存储扩张相对克制，技术水平落后且受限，无法购买美国设备，市占率仍为个位数，且自身也处于售罄状态，无法缓冲全球供给。
- HBM进展： 大摩认为DDR5价格上行已使其更具吸引力，美光HBM4进展担忧不会转化为准时盈利负面影响，预计2026年Q2规模出货，海力士将获Rubin早期放量主要份额。
研究结论：
- 估值与目标价： 大摩将美光目标价上调至450美元（基于18美元跨周期每股收益乘以25倍），维持超配评级，并作为半导体板块首选。
- A股市场： 香农芯创受益于海普存储放量和存储涨价周期，上调2026/2027年盈利预测，目标位设定为XX元。
风险回报： 股票交易更接近约5倍峰值每股收益的定价，而非2021年周期高点附近约10倍的峰值估值，周期延续至2027年或更久，估值重估将带来显著影响。
