国盛电子存储全面上修26Q1DRAMNANDFlash涨幅重视AI存力

TrendForce集邦咨询全面上修26Q1DRAM、NANDFlash各产品价格季成长幅度，预估整体ConventionalDRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%，改为上涨90-95%，NANDFlash合约价则从季增33-38%上调至55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。 DRAM：25Q4 【国盛电子】存储：全面上修26Q1DRAM、NANDFlash涨幅，重视AI存力超级周期 TrendForce集邦咨询全面上修26Q1DRAM、NANDFlash各产品价格季成长幅度，预估整体ConventionalDRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%，改为上涨90-95%，NANDFlash合约价则从季增33-38%上调至55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。 DRAM：25Q4ConventionalDRAM价格上涨45%~50%，HBM上涨50%~55%；26Q1传统DRAM价格涨幅预计升至90%~95%，HBM混合品类预计上涨80%~85%。 ➠PCDRAM：由于25Q4PC整机出货优于预期，目前PCDRAM仍普遍缺货，DRAM库存水平下滑，预计26Q1PCDRAM价格将季增105%-110%，涨幅达历史新高。 ➠ServerDRAM：P、ServerOEM积极竞逐原厂供给，预计26Q1ServerDRAM价格上涨约88%-93%，幅度创历年之 ➠MobileDRAM：因整体DRAM市场供需差距不断扩大，各终端应用竞相提高报价以争取配额，预计26Q1LPDDR4X、LPDDR5X合约价皆大幅上调至季增88%-93%，幅度同样是历来最高。 NAND：25Q4NAND闪存整体价格上涨33%~38%；26Q1价格涨幅进一步提升，预计达到55%~60%。 目前NANDFlash仅能通过制程升级勉强提高单位产出，短期内产能瓶颈将难以缓解。 随着InferenceAI应用场景扩大，市场对高效能储存设备的需求远高于预期，北美各大P自2025年底起开始强力拉货，刺激EnterpriseSSD订单爆发。 在供给缺口持续扩大的情况下，买方激进囤货以尽早补足库存，预计26Q1EnterpriseSSD价格将季增53-58%，创下单季涨幅最高纪录。