2026年内存超级周期与股票建议的五大要点

核心观点

• 2026年内存超级周期：预计2026年全球内存销售额将创下新高，DRAM销售额同比增长51%，NAND销售额同比增长45%。ASP上涨是关键推动力，而非比特增长。
• HBM短缺：新GPU/ASIC的内存容量大幅增长将支撑HBM需求同比增长50-100%，而晶圆产能增长则低于50%。
• 供应约束：高资本支出但低生产率，SK海力的资本支出增长强劲，新HBM4/LPDDR5/SOCAAM/GDDR7/eSSD的制造周期时间也在上升。
• 价格：高位ASP可持续，尽管现货修正，传统DRAM现货和合同价格将达到10-15美元区间。
• 首选：海力士是全球内存的首选，三星电子和南亚科技也很有吸引力，上调了这三家公司的每股收益预测和目标价。

关键数据

• 全球内存销售额：预计2026年DRAM销售额1960亿美元，同比增长51%；NAND 1140亿美元，同比增长45%。
• ASP上涨：DRAM同比增长33%，NAND同比增长26%。
• HBM需求：每个GPU/ASIC的内存容量大幅增长，将支撑HBM需求同比增长50-100%。
• 资本支出：SK海力的DRAM资本支出金额已接近三星，远超美国/中国/台湾同行。
• 价格目标：SK海力士2025年第四季度/2026年第四季度OP预期分别为W16万亿/W77万亿；三星电子2025年第四季度/2026年第四季度OP预期分别为W15tn/W76tn。

研究结论

• 全球内存周期有望在2026-27年继续反弹，HBM是关键驱动力。
• 传统DRAM和NAND价格将保持高位，ASP上涨可持续。
• 海力士是全球内存的首选，三星电子和南亚科技也很有吸引力，建议买入评级。