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核心观点
- 全球存储进入超级周期,供需剪刀差有望进一步扩大。
- AI驱动DRAM/NAND需求大幅提升,25H1原厂减产去库,转向高端产品,挤压旧制程产能。
- 中国大陆存储扩产空间超十倍,自主可控逻辑叠加全球周期共振。
- A股存储设备存在低估,设备、晶圆厂、模组作为存储产业链三大核心环节,均将受益全球存储超级周期。
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关键数据
- 2025Q2全球DRAM市场规模为321亿美元,同环比分别+37%/+20%。
- 2025Q1全球NAND市场规模为130亿美元,同环比分别-14%/-25%。
- 截至2025/11/10,DDR4/DDR5价格较年初涨幅+901%/+372%。
- 预计2025年将新增DRAM/NAND需求量为9EB/200EB,2026年保守翻倍至18EB/400EB。
- 2026年全球DRAM/NAND产能为43EB/1035EB,分别同比+17%/+12%。
- 长江存储Xtacking4.0架构创新带来更高IO速率,密度提升48%。
- 长鑫存储LPDDR5X产品在容量、速率上都有显著提升,最高速率达到10667Mbps。
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研究结论
- 存储设备/晶圆厂/模组表现出色,领涨海外科技资产。
- 存储设备享受估值溢价,市值显著领先模组环节。
- A股存储设备低于海外存储设备、国内模组涨幅,存在一定低估。
- 投资建议:全面看多A股半导体设备,重点推荐拓荆科技、京仪装备、中微公司等。
- 风险提示:晶圆厂资本开支不及预期、海外制裁加剧风险、行业竞争加剧风险、技术迭代不及预期等。