电子：存储产业升级：重视HBM、3D DRAM、定制化存储机遇

存储产业升级：重视HBM、3D DRAM、定制化存储机遇 打破内存墙瓶颈，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。HBM解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题，已成为当下AI芯片的主流选择。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，CAGR达33%。2025年SK海力士已出货全球首批HBM4样品，三星计划在2025年底实现HBM4的量产，美光计划于2026年推出HBM4。关键的键合工艺流程方面，根据Market and technology Trends，2026年HBM4（12层）和HBM4e（16层）可能开始逐步采用W2W键合，从2028年的HBM5（20层）开始，W2W或将成为主流。 增持（维持） 3D DRAM：高密度DRAM架构最具潜力的长期解决方案之一。头部DRAM厂商持续升级DRAM制程，但平面形式下进一步缩小制程已接近极限，3D DRAM应运而生。实现有限面积的高效利用，存储单元布局需突破传统水平排列模式，核心路径分为两类：一是将单元结构垂直化以压缩占用空间，二是借鉴建筑堆叠逻辑实现单元阵列的立体排布。4F²结构是单元垂直化的关键技术方案，三星正在开发的垂直通道晶体管（VCT）DRAM，以及SK海力士推进的垂直栅极（VG）DRAM，均以4F²为核心技术架构。 作者 分析师郑震湘执业证书编号：S0680524120005邮箱：zhengzhenxiang@gszq.com 高深宽比蚀刻、薄膜沉积等环节有望深度受益3D DRAM趋势。在3DDRAM的工艺流程中，图形化步骤大幅精简，高难度蚀刻/沉积工序显著增加。二维NAND曾是光刻精度竞赛的主战场，其存储单元平面微缩需求远超DRAM与逻辑芯片。但转向三维架构后，NAND通过堆叠层数实现密度跃升，高深宽比蚀刻等重要性凸显。3D DRAM趋势下，产业价值正在从光刻设备向蚀刻、沉积环节迁移。 分析师佘凌星执业证书编号：S0680525010004邮箱：shelingxing1@gszq.com 分析师刘嘉元执业证书编号：S0680525010002邮箱：liujiayuan1@gszq.com 3D DRAM亦增加W2W键合需求，预计bonder市场规模2030年达3000亿日元。在4F²和3D DRAM中，有一项重要技术是将控制电路（周边电路，如感应放大器、WL驱动器、解码器等）垂直堆叠，芯片面积可以进一步缩小，就需要将绘制有DRAM单元阵列的晶圆和绘制有控制电路的晶圆分开制作，再进行W2W键合。TEL预计bonder市场规模将从2025年的1000亿日元增加到2030年的3000亿日元。 相关研究 1、《电子：消费电子进入新品发布旺季，板块估值重塑可期》2025-08-242、《电子：周观点：国内AI迈向软硬协同新纪元，重视国产算力底座》2025-08-233、《电子：周观点：鸿海AI服务器业绩强劲，关注AI产业变革机遇》2025-08-16 3D DRAM降低EUV依赖度，中国厂商或有望实现弯道超车。海外厂商中，三星VCT DRAM预计最快在未来两到三年内实物产品将正式面向市场，2024年海力士展示5层堆叠结构的3D DRAM原型产品，良率达56.1%，美光3D DRAM专利颇多，技术路径为在不放置Cell的情况下改变晶体管和电容器的形状。国内厂商中，长鑫用横向堆叠方式，把传统DRAM的电容与晶体管组合转为躺在同一层的内存单元，再逐层堆叠起来，简化了垂直整合工艺，有望先实现量产，再逐步优化，外围电路如控制单元依然放在独立芯片上，通过混合键合整合，整体思路与早期3D NAND类似。长鑫在2D工艺还落后三星、海力士、美光等大厂两三代，我们认为，目前中国大陆光刻资源受限，3D DRAM更倚重蚀刻、薄膜、键合等技术而非EUV，中国厂商或有望在3D DRAM时代实现弯道超车。 定制化存储助力端侧AI，国产厂商有望迎积极进展。从产业趋势来看，定制化存储逐渐成为端侧AI的优选方案，其中，华邦CUBE具有高带宽、低功耗、优化散热、灵活可定制等特性，预期CUBE应用首批导入的终端产品会出现在一些国外穿戴类设备客户；南亚科定制化存储目标于2025年底完成验证、2026年开始导入量产，目标应用涵盖AI服务器、AI PC、 AI手机、AI机器人与AI汽车；兆易创新控股子公司青耘科技紧贴客户需求，从容量、带宽、能耗等方面为客户提供更为定制化的解决方案，重塑端侧存储新形态。公司定制化存储在AI手机、AI PC、汽车、机器人等若干领域的客户拓展进展顺利。 投资建议：见第二章相关标的。 风险提示：技术演进不及预期、宏观经济风险、地缘政治风险。 内容目录 一、存储升级趋势显著，重视产业链机遇..........................................................................................................41.1打破内存墙瓶颈，HBM成为DRAM市场增长主要驱动力......................................................................41.2 3D DRAM：高密度DRAM架构最具潜力的长期解决方案之一，国产厂商有望实现弯道超车...................81.3定制化存储助力端侧AI，国产厂商有望迎积极进展............................................................................13二、相关标的..................................................................................................................................................15风险提示.........................................................................................................................................................15 图表目录 图表1：主流AI芯片均采用HBM且容量不断提升...........................................................................................5图表2：HBM市场规模....................................................................................................................................5图表3：HBM发布节点及性能..........................................................................................................................6图表4：HBM roadmap.....................................................................................................................................7图表5：DRAM roadmap..................................................................................................................................8图表6：3D DRAM与平面DRAM对比..............................................................................................................9图表7：2023-2035年DRAM技术演进............................................................................................................9图表8：三维DRAM非视线高深宽比蚀刻示意图............................................................................................10图表9：3D DRAM需要混合键合....................................................................................................................10图表10：VCT技术路线.................................................................................................................................11图表11：三星3D DRAM路线图.....................................................................................................................11图表12：3D TSV DRAM与HBM的对比.........................................................................................................12图表13：三家存储大厂3D DRAM进展..........................................................................................................12图表14：CUBE用于边缘计算且具备可扩展性................................................................................................13图表15：KGD 2.0演进..................................................................................................................................14图表16：CUBE 3D堆叠.................................................................................................................................14 一、存储升级趋势显著，重视产业链机遇 据美国联邦官报2025年8月29日（当地时间）报道，美国商务部表示，将废除全球半导体制造企业三星电子、SK海力士、英特尔向中国国内生产设施供应美国产半导体制造设备时，无需一一获得许可的综合许可。因此，三星电子和SK海力士今后向中国国内半导体工厂供应美国半导体生产设备时，每次需