供应趋紧带动DDR4等产品价格上涨，新兴高带宽存储方案加速迭代

供应趋紧带动DDR4等产品价格上涨，新 兴高带宽存储方案加速迭代20250620 2025年06月20日 关键词 存储市场高带宽HBM3D堆叠AI技术数据中心智能手机汽车电子云计算供需状态市场规模三星美光海力士存储容量先进封装技术半导体存储投资建议广发电子团队 综述 随着AI技术的兴起，存储技术正朝着大容量和高带宽方向加速迭代，推动了新型高带宽存储方案的快速发展。报告深入分析了主流存储市场，特别是HBM和3D堆叠技术的市场动态，强调了这些技术在数据中心和AI应用中的关键作用。同时，讨论了存储市场的供需关系，指�半导体存储市场规模的增长及存储产品价格的变化趋势。基于此，对关注半导体相关公司的投资提�了建议，强调随着AI技术的不断进步和市场需求的持续扩大，存储技术的未来发展将对企业产生深远影响，建议投资者关注具有技术创新能力和市场适应性的企业。 要点 广发电子团队：高带宽存储市场动态与投资建议电话会议 报告首先概述了当前主流存储市场的动态，指�随着技术的升级和AI应用的扩展，对高带宽存储的需求迅速增长。特别是HBM和3D对接地段的方案成为关注焦点。全球DRAM市场一季度规模达到270亿美金，数据中心成为最大的应用市场，占46%。从竞争格局来看，三星、美光和海力士等企业占据了主导 地位。近期，由于部分产品供应受限，内存条价格显著上涨，服务器和PCDRAM的价格上涨趋势明显。预计未来几个季度，服务器和PCDRAM价格将持续上行，而SSD价格也呈现企稳回升态势，企业级SSD需求有望增长。整体而言，供应商的产能调整和下游备货需求将推动存储产品价格进一步上涨。 HBM市场动态与3D堆叠技术进展 HBM市场当前以HDM3E为主流应用，美光和三星分别计划于今年下半年完成量产准备并开始商业供 应。HBM适应AI计算芯片需求，随着技术提升，市场空间加速扩容，预计2025年总市场将达到350亿美金。同时，3D堆叠技术，特别是3D对比T2B技术，通过多层堆叠实现进程计算架构，对比传统的KCB板级互联，带来更高的带宽、更低的功耗和成本优势。复旦大学等机构的研究进一步推进了3D堆叠技术在大语言模型推算中的应用。 全球半导体存储市场发展趋势及投资建议 汇报指🎧，全球半导体存储市场，特别是针对8GB及以上的存储产品，预计从2024年的596亿人民币增长到2029年的750亿人民币。中国市场方面，预计2024年市场规模达到379亿元，到2029年将增至509亿元。美光目前占据主要全球市场份额，但随着技术进步和市场多元化，中国台湾的南亚、华邦等厂商也逐渐崭露头角。同时，中国大陆的制造商正在快速发展，预计未来将逐步停止生产部分过时产品，推动市场向更高端产品转移。报告还提及，随着产品技术的提升和应用领域的扩大，存储市场的供需关系将 进一步改善。AI产业的兴起将推动存储技术向3DNAND等高容量方案发展，为相关产业链带来投资机会。 思维导图 问答 主流存储市场当前的主要动态是什么？目前存储市场的供需状态如何？ 当前主流存储市场正经历高带宽和大容量趋势，主要推动因素包括AI技术、智能手机、汽车电子和云计算等应用需求的增长。存储市场规模在持续扩张，特别是drap和line等半导体存储市场规模显著增大。今年一季度全球DM市场有所增长，但环比下降，其中数据中心应用占比最大，约为46%。从竞争格局看，三星、美光和海力士占据全球存储市场的主导地位。近期部分产品供应受限导致价格上涨，例如服务器和PCA相关内存条产品。由于供需关系的影响，内存产品价格�现明显提升，如服务器 类VR42D32GB产品价格环比增长16%，LPDDR4X产品现货价格也迅速提升至17.5美金的高点。此 外，PCOEM备货以及SSD需求增加有望再度推升服务器和PC存储价格上涨。预计2025年二季度闪存市场将呈现企稳回升态势，二级市场库存水位逐渐恢复健康状态。 3D对比级存储技术的动态如何？ 3D堆叠技术因其优势受到云测和端测应用需求引导，正在加速产业化进程。该技术通过多层堆叠实现高性能计算架构，并在带宽、功耗、尺寸、成本和定制化方面具备差异化优势。预计2024年至2029年全球立级市场规模将从596亿人民币增长至750亿人民币，中国市场的增长趋势更为显著。同时，中国厂商在3D对接软膜工艺方面取得突破，有望提升市场竞争力。 HBM市场的情况如何？ HBM作为高端存储解决方案，在数据中心应用需求强劲，如美光、三星等厂商已开始提供基 于12层HBM样品，并计划今年下半年完成量产准备。HBM市场空间加速扩容，预计2025年将达到350亿美金以上，目前市场供需紧绷，未来几年需求仍然保持强势。