聚焦氮化镓的第三代半导体领军企业

公司概况

英诺赛科是一家专注于第三代半导体硅基氮化镓（GaN-on-Si）研发与产业化的高新技术企业，采用IDM模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、封测于一体。公司产品涵盖从低压到高压（15V-1200V）的Ga N功率器件，已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 照明驱动等应用与多家行业头部企业开展深度合作并实现量产。

行业前景

GaN功率器件具有高频、低损耗和高性价比等优势，预计全球GaN功率器件市场将从2024年的32亿元增长至2028年的501亿元，CAGR=98.5%，而消费电子和电动汽车将成为两大主要应用场景。

公司核心竞争力

1. 成本优势：公司采用8英寸晶圆生产，相较于6英寸产品，成本和生产效率上更具优势。IDM模式有利于技术和工艺快速迭代，公司整体制造良率已超95%，处行业领先水平。
2. 产能优势：公司在苏州和珠海均布局有生产基地，截至2024年末，公司拥有全球最大的8英寸GaN功率晶圆生产基地，产能为每月1.3万片，规模优势明显。
3. 客户和技术优势：公司主要客户涵盖了全球知名消费电子品牌、数据中心运营商以及汽车和电动汽车制造商等。2024年，公司车规级产品出货量同比增长986.7%；AI领域48V转12V产品量产，AI及数据中心产品出货量同比+669.8%。

盈利预测

预测公司25~27年分别实现营收13.20/22.08/34.52亿元，同比+59%/+67%/+56%，25-26年分别亏损5.65/1.45亿元，25-26年分别减亏46%和74%，预计27年实现归母净利润2.38亿元（同比+265%）。

投资建议

给予2025年35xPS，目标价52.55港币，首次覆盖给予“买入”评级。

风险提示

国际出口管制和经济制裁；市场竞争加剧；产品迭代不及预期；限售股解禁。