3DDRAM技术与市场趋势分析讨论的主要议题3D

3D DRAM技术背景与产业趋势2D DRAM的局限性：当前2D DRAM面临制程微缩瓶颈，难以满足AI等高性能计算需求。 3D DRAM的发展方向：分为封装级3D DRAM（如HBM）和晶圆级3D DRAM。 封装级3D DRAM已实现商业化应用，而晶圆级3D DRAM仍处于 【3D DRAM技术与市场趋势分析讨论的主要议题】 3D DRAM技术背景与产业趋势2D DRAM的局限性：当前2D DRAM面临制程微缩瓶颈，难以满足AI等高性能计算需求。 3D DRAM的发展方向：分为封装级3D DRAM（如HBM）和晶圆级3D DRAM。 封装级3D DRAM已实现商业化应用，而晶圆级3D DRAM仍处于研发阶段。 存算一体趋势：存算一体技术分为近存计算、存内处理和存内计算三类，其中近存计算（如HBM）已广泛应用，存内计算技术难度较大，仍在探索中。 DRAM技术构成与关键参数DRAM芯片构成：由存储单元（占芯片面积50%-55% ）、外围逻辑电路（含感应放大器）和周边线路组成。 关键参数：容量、带宽和功耗。 容量由制程决定，带宽取决于IO口数量和传输速度，功耗则直接影响芯片效率。 制程微缩挑战：DRAM制程微缩难度大，当前逼近10纳米制程，进一步微缩需使用EUV光刻机。 封装级3D DRAM的分类与应用HBM （高带宽存储器）：特点：高带宽、低功耗，适用于AI 训练卡和推理卡。 结构：多层DRAM芯片通过TSV和Micro Bump连接，带宽可达1024个IO。 迭代方向：增加层数和单层容量密度，HBM3E已实现12层堆叠，单层容量达32Gb。 竞争格局：市场由海力士（55%）、三星（41%）和美光（3%）垄断。 3D堆叠DRAM：特点：定制化产品，带宽高、功耗低，适用于矿机芯片等低算力场景。 制造工艺：采用Hybrid Bonding技术，实现更高的IO密度和更低功耗。 主要玩家：紫光国芯、爱普存储、新农科技、兆易创新等。 Cube方案：特点：由华邦提出，逻辑芯片在上，存储器在下，采用Micro Bump 工艺。 应用场景：低算力、高带宽需求场景。 晶圆级3D DRAM的发展技术路径：分为将垂直电容器水平放置和无电容方案。 主要玩家：三星：预计2030年前推出晶圆级3D DRAM 。 海力士：已实现五层堆叠，但需更高层数实现商业化量产。 美光：探索无电容方案。 国内企业：长鑫存储等也在积极探索。 投资建议与风险提示投资建议：重点推荐兆易创新，其微堆叠DRAM产品已与多家客户合作，且背靠长鑫存储，具备稳定供货优势。 其他相关企业包括北京君正、瑞芯微、小米等。 风险提示：行业需求不及预期，大陆厂商技术进步不及预期等。