AI智能总结
调研日期: 2024-11-14 深圳佰维存储科技股份有限公司成立于2010年,专注于存储芯片研发与封测制造,是一家国家级高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业,并获得了国家大基金的战略投资。公司整合了存储器研发设计、固件算法开发、先进封装、测试设备研发与算法开发、品牌运营等,构建了研发封测一体化的经营模式,产品广泛应用于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等信息技术领域。公司荣获国家级“专精特新小巨人企业”、“国家高新技术企业”、“十大最佳国产芯片厂商”、“广东省复杂存储芯片研发及封装测试工程技术研究中心”、“省级重点IC项目(佰维惠州科技园区,2018年)”、“深圳知名品牌”、“海关AEO高级认证企业”等称号,并获得了“中国IC设计成就奖年度最佳存储器”、“全球电子成就奖年度存储器”等荣誉。 Q1. 公司在可穿戴领域的产品竞争力如何?公司未来在可穿戴产品领域有什么规划? A1:基于公司研发封测一体化的布局,公司存储器产品在智能可穿戴领域具有较强的竞争优势,能够在低功耗、快响应等方面进行固件算法优化设计的同时,通过先进封测工艺能力,助力产品的轻薄小巧。公司在智能穿戴领域目前已进入Google、Meta、小米、小天才等知名企业,产品应用于其智能手表、智能眼镜等。其中,在智能眼镜领域,公司为Ray-Ban Meta提供ROM+RAM存储器芯片,是国内的主力供应商;同时,公司与Meta合作稳定,订单量持续增长。未来,公司将在智能穿戴市场持续投入战略性资源,力争成为主要参与者。 Q2. 公司产品应用范围广阔,如何理解公司在产品体系方面的优势? A2:公司专精于半导体存储器领域,布局了嵌入式存储(eMMC、UFS、LPDDR、eMCP、ePOP、uMCP、BGA SSD等)、固态硬盘(SATA/PCIe)、内存模组(SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、CXL DRAM)、存储卡(SD卡、CF卡、CFast卡、CFexpress卡、NM卡)等完整的产品线矩阵,涵盖NAND Flash和DRAM存储器的各个主要类别。公司拥有完整的通用型存储器产品线,以满足终端客户对标准化、规模化存储器产品的需求; 同时,亦针对穿戴和工车规市场提供有国际竞争力的存储解决方案。公司已经形成完备的半导体存储器产品开发体系,可根据客户市场需求和下游应用的演进趋势对产品进行快速迭代升级,在支撑客户业务的同时也推动了公司核心技术的不断提升,使公司的产品体系始终满足市场和客户需求。 Q3. 公司在企业级领域有哪些产品布局? A3:公司企业级存储可分为SATA SSD、PCIe SSD、CXL内存及RDIMM内存条四大类产品,其中公司SS系列企业级SATA SSD产品采用SATA6Gbps接口规范,搭载DDR4外置缓存;公司SP系列企业级PCIe SSD产品,采用创新架构,可实现超低且一致的读写延迟,具备优秀的能效比表现,可为客户提供业界领先的KIOPS/Watt综合性能;公司CXL内存扩展模组产品,支持CXL2.0规范,内存容量高达96GB,支持PCIe5.0×8接口,理论带宽高达32GB/s,可与支持CXL规范及E3.S接口的背板和服务器主板直连,扩展服务器内存容量和带宽。公司的企业级RDIMM内存条产品,支持DDR4规范,通过了国内外主流的CPU厂商的认证,可广泛应用于数据中心、互联网、云计算、工作站等应用场景。 Q4. 公司持续发力主控芯片环节,目前公司主控芯片有什么进展?为什么选择在主控芯片环节加强投入? A4:公司推出的第一颗国产自研主控已完成批量验证,性能优异。公司自研主控支持QLC颗粒,迎合手机存储QLC替代趋势,同时也能够进一步增强公司产品在穿戴领域的竞争力。公司将持续加大芯片设计的研发投入力度,为打造服务AI时代高性能存储器奠定坚实的技术基础,提升公司在产业链的价值占比,进而提升公司盈利能力。 Q5. 泰来科技目前的自动化水平如何? A5:泰来科技(惠州封测生产制造基地)通过芯片封装设备、模组制造设备以及测试设备系统的一体化智能联机运行,实现高度自动化及制造过程的全程可追溯性。通过设备联机化改造及AGV机器人的导入,芯片封测生产模块目前可达到99%自动化生产水平,模组制造测试模块目前可达到91%自动化生产水平。 Q6. 公司在固件算法方面有什么优势?如何赋能公司的主控芯片? A6:公司自研固件算法,掌握了接口协议、FTL核心管理算法、QoS算法、数据保护、数据安全等核心固件算法,全面掌握了存储固件核心技术,有能力匹配各类客户典型应用场景,并能够为客户提供创新优质的存储解决方案。同时,公司有能力结合算法需要定义主控芯片架构,以提升算法效率和实现基于应用场景的硬件加速及效能优化,进一步提升产品在智能穿戴、企业级、工车规级等场景下的竞争优势。 Q7. 晶圆价格与公司毛利率水平存在什么关系? A7:公司核心原材料为NAND Flash晶圆和DRAM晶圆,存储晶圆的采购价格变动对公司的成本结构具有较大影响。通常来说,上游存储晶圆市场价格上行,存储器的市场价格也会同向波动。公司毛利率变动受产品结构、上游原材料供应情况、存储市场需求波动、市场竞争格局变化等因素综合影响。