半导体行业跟踪报告之十四：利基型存储市场拐点已现，关注兆易创新等存储设计公司

敬请参阅最后一页特别声明 -1- 证券研究报告 2024年4月16日 行业研究 利基型存储市场拐点已现，关注兆易创新等存储设计公司 ——半导体行业跟踪报告之十四 电子行业 买入（维持） 作者 分析师：刘凯 执业证书编号：S0930517100002 021-52523849 kailiu@ebscn.com 分析师：孙啸 执业证书编号：S0930524030002 021-52523587 sunxiao@ebscn.com 联系人：黄筱茜 021-52523813 huangxiaoqian@ebscn.com 行业与沪深300指数对比图 -36%-24%-13%-1%10%04/2306/2309/2312/23电子行业沪深300 资料来源：Wind 1、 利基型存储市场拐点已现 1.1 利基型DRAM价格领涨，SLC NAND和NOR Flash触底反弹 原厂控产效果显著，带动存储行业高速增长。据TrendForce集邦咨询研究显示，受惠于备货动能回温，以及三大原厂控产效益显现，主流产品的合约价格走扬，带动2023年第四季全球DRAM产业营收达174.6亿美元，季增29.6%。 NAND产业方面，2023年第四季NAND Flash产业营收达114.9亿美元，季增24.5%。主要受惠于终端需求因年终促销回温，加上零部件市场因追价而扩大订单动能，位元出货较去年同期旺盛；同时企业方面持续释出2024年需求表现优于2023年的看法，且启动策略备货。 利基存储市场中，DRAM价格率先反弹。受益于原厂减产、大宗存储价格增长以及原厂对HBM、DDR5产能切换，利基型DRAM价格在23Q3触底后开始持续反弹，领涨利基型存储市场。 价格方面，DDR3与利基型DDR4在23Q3已经触底，并且持续反弹。根据DRAMeXchange数据，DDR3的2Gb与4Gb现货价格均在23年7月-8月之间触底，截止2024年4月12日，其现货价格相比最低点的价格分别上涨了17.3%与11.6%，相比2024年1月1日的价格分别上涨了7.1%与3.8%。利基型DDR4方面，根据DRAMeXchange数据，DDR4的4Gb与8Gb均在2023年9月触底，截止2024年4月12日，其现货价格相比最低点的价格分别上涨了21.4%与22.7%，相比2024年1月1日的价格分别上涨了6.6%与6.3%。 图1：23年6月至24年4月DDR3典型料号现货价格走势 资料来源：DRAMeXchange，光大证券研究所整理 注：数据截至2024年4月12日 要点 敬请参阅最后一页特别声明 -2- 证券研究报告 电子行业 图2：23年6月至24年4月DDR4典型料号现货价格走势 资料来源：DRAMeXchange，光大证券研究所整理 注：数据截至2024年4月12日 产能规划方面，三星2023Q4 DRAM大幅减产，在库存压力改善后，2024Q1投片开始回升，稼动率约为80%。2024年下半年旺季，需求预期将较2024年上半年明显增温，产能会持续拉高至第四季。SK海力士则积极扩张HBM产能，投片量缓步增加，随着HBM3e量产后，相关先进制程投片亦持续上升。美光投片量有回温趋势，后续将积极增加其先进制程1beta nm比重，用于生产HBM、DDR5与LPDDR5(X)产品，因先进制程的设备增加，届时产能将较为收敛。原厂DRAM产能的减产以及HBM、DDR5等芯片占比的提升，将持续挤压利基型存储的产能，改善供需结构，为价格上涨提供支撑。 SLC NAND与NOR Flash价格触底，AI服务器、PC与手机拉动行业需求。SLC NAND方面，根据DRAMeXchange数据，以2Gb容量为例，其产品价格在23年9月触底企稳，截止2024年4月12日，其价格相比最低点增长3.9%。NOR Flash方面，中大容量产品价格已经处于底部，随着需求的拉动，价格有望提升。 生成式AI为当前电子行业带来诸多机遇，NOR flash在AI服务器中的应用大幅上升，例如GPU的增加将带动终端设备增长40-60颗NOR Flash，其搭配的网卡等周边设备也将采用NOR Flash存储。此外，边缘侧的AI应用例如AI PC与AI手机也需要额外的NOR Flash资源，将有望带动NOR Flash市场需求提升。 1.2 台湾利基型存储厂商业绩回暖 图3：华邦电子、旺宏和南亚科2019-2023年季度毛利率 资料来源：Wind，光大证券研究所 敬请参阅最后一页特别声明 -3- 证券研究报告 电子行业 华邦电子：连续四个月营收同比增长，2024年存储业务资本开支大幅度提升。华邦电子2024年一季度实现营收201.21亿元新台币，同比增长15%。华邦电子连续四个月营收同比增长，2024年1-3月分别实现营收64.03、62.07和74.11亿元新台币，同比增长31%、8%和9%，环比-2%、-3%和+21%。在资本开支方面，公司预估2024年在存储方面的资本开支为174亿元新台币，对比2023年已支出的资本开支127亿元新台币，同比增长37%。 华邦电子认为存储行业处于周期上升阶段。Flash方面，公司认为终端需求增长约为5%，单机容量（content per box）增加；其中SLC NAND有望于2024年下半年达到供需平衡，2025年可能供给紧张。DRAM方面，公司认为DRAM行业有望于2024年达到供需平衡，IoT、网络、安防和电视行业需求强劲；高阶市场会因为库存调整完成及产能控制迎来价格反弹，利基型产品价格有望提升。此外，公司认为边缘AI会是下一个关注重点。 图4：华邦电子2017-2024Q1营收及同比增速 图5：华邦电子2017-2023年归母净利润及同比增速 资料来源：Wind，光大证券研究所 资料来源：Wind，光大证券研究所 图6：华邦电子2017-2024年3月月度营收及同环比增速 资料来源：Wind，光大证券研究所 旺宏：2024年3月营收环比增长。旺宏2024Q1实现营收57.60亿元新台币；2024年1-3月分别实现营收19.14、17.33和21.13亿元新台币，环比+4%、-9%和+22%，2024年3月营收环比增长显著。 敬请参阅最后一页特别声明 -4- 证券研究报告 电子行业 图7：旺宏2017-2024Q1营收及同比增速 图8：旺宏2017-2023年归母净利润及同比增速 资料来源：Wind，光大证券研究所 资料来源：Wind，光大证券研究所 图9：旺宏2017-2024年3月月度营收及同环比增速 资料来源：Wind，光大证券研究所 南亚科：24年一季度营收同比大幅提升。公司已经公布2024年一季度业绩，单季度营业收入为95.03亿元新台币，环比增长9.2%，同比增长48%。公司毛利率改善至-2.9%。从月度营收看，南亚科2024年1-3月营收同比增长分别为35.9%、50.5%、58.0%，呈现加速趋势。公司预期2024年DRAM市场稳步复苏。 图10：南亚科2017-2024Q1营收及同比增速 图11：南亚科2017-2024Q1归母净利润及同比增速 资料来源：Wind，光大证券研究所 资料来源：Wind，光大证券研究所 敬请参阅最后一页特别声明 -5- 证券研究报告 电子行业 南亚科2024Q1资本开支为29亿元新台币，预计2024年全年资本开支会达到260亿元新台币，其中WFE领域的资本开支大约占50%。在出货量方面，南亚科2024Q1出货量环比低个位数增长，公司预计2024年全年出货量将会同比增长超过20%。 图12：南亚科2017-2024年3月月度营收及同环比增速 资料来源：Wind，光大证券研究所 2、 兆易创新：中国利基型存储龙头，积极布局利基型DRAM 兆易创新：NOR Flash国内龙头，利基型存储多赛道全面布局。公司业务是多赛道多产品线的组合布局，目前主要是存储器、微控制器和传感器三大类。在NOR Flash产品，据Web-Feet Research报告显示，公司2022年Serial NOR Flash市占率增长至20%，市场排名全球第三，前二名是华邦电子和旺宏电子；在SLC Nand Flash产品，供应商主要为海外厂商，铠侠、华邦电子、旺宏电子占据了较高的市场份额。 表1：兆易创新产品介绍 产品种类 产品类型 产品系列 产品介绍 存储产品 Nor Flash 大容量 公司推出国内首款容量高达2Gb、高性能的SPI NOR Flash产品系列，是物联网设备代码存储应用的首选。 高性能 公司首款国产超高速8通道SPI NOR Flash产品，主要应用于5G基站、汽车、工业等领域。 低功耗、低电压 该等产品能充分满足目前低功耗移动设备轻薄小、待机久的多维需求，为物联网、可穿戴、消费类以及健康监测等对电池寿命和紧凑型尺寸要求严苛的应用提供优异的选择。 小封装 公司产品采用WLCSP封装，并推出了业界最小的USON6封装，尺寸仅为1.2mmx1.2mm，为IoT设备、可穿戴应用和其他紧凑型电池应用带来优异的设计灵活性。 高安全性 随着IoT设备的推广普及，以及在一些关键应用场景的布局，对安全性的要求愈发严格，公司内置RPMC功能系列产品，提供了卓越的安全性能。 高可靠性 公司T/LT系列以及X/LX系列广泛应用于对可靠性有严格要求的车载、工业等应用领域。 汽车应用 公司GD25产品全面满足车规级AEC-Q100认证，GD55的2Gb大容量产品也通过了该认证。公司SPI NOR Flash车规级产品2Mb~2Gb容量已全线铺齐，为市场提供全国产化车规级闪存产品。目前公司55nm工艺节点全系列产品均已量产，并持续开展工艺制程迭代。 NAND Flash 38nm和24nm两种制程全面量产，容量覆盖1Gb~8Gb，其中SPI NAND Flash在消费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类的产品覆盖。公司38nm SLC NAND Flash车规级产品容量覆盖1Gb~4Gb，搭配车规级SPI NOR Flash，为进入车用市场提供更多机会。 DRAM 公司已量产DDR4、DDR3L产品，在网络通信、电视、机顶盒、工业、智慧家庭等领域广泛应用。 MCU 公司GD32 MCU产品已成功量产41个产品系列、超过500款MCU产品，实现对通用型、低成本、高性能、低功耗、无线连接等主流应用市场的全覆盖。公司产品内核覆盖ARM® Cortex®-M3、M4、M23、M33及M7，也是全球首个推出并量产基于RISC-V内核的32位通用MCU产品。 传感器 公司触控芯片支持 ITO 大阻抗、单层多点、超窄边框功能，广泛应用于OGS触摸屏；产品通道数可包含从最小26通道到最大72通道，同时实现了从1 英寸~20英寸的屏幕尺寸全面覆盖。公司指纹识别芯片多年来已在多款旗舰/高/中阶智能手机商用前置/后置/侧边电容和光学方案，成为市场主流方案商。 资料来源：兆易创新公告，光大证券研究所 敬请参阅最后一页特别声明 -6- 证券研究报告 电子行业 业绩有望随着存储行业回暖逐步复苏。根据公司2023年业绩预告，预计2023年实现营收57.66亿元，同比下降29.08%；实现归母净利润1.55亿元，同比下降92.45%；实现归母扣非净利润0.22亿元，同比下降98.85%。公司2023年计提资产减值损失，全年商誉、存货等资产减值损失预计6.12亿元左右。其中商誉减值损失预计3.8亿元左右，存货减值损失预计2.32亿元左右。公司23Q4实现营收13.71亿元，同比增长0.73%，实现归母净利润-2.79亿元。考虑存储价格已至底部位置叠加去库存接近尾声，公司业绩有望随着存储行业回暖逐步复苏。 图13：兆易创新2019-2023年季度营收及同比增速 图14：兆易创新2019