半导体行业跟踪报告之十一：存储行业投资机会梳理

存储行业投资机会梳理 ——半导体行业跟踪报告之十一 作者： 刘凯执业证书编号：S0930517100002孙啸执业证书编号：S0930524030002联系人：黄筱茜 2024年3月28日 证券研究报告 目录 1、存储行业：2024年强劲复苏，有望持续4个季度涨价 2、高频数据：2024Q1持续涨价 3、存储和AI：应用百花齐放，HBM空间广阔 4、投资建议：关注存储全产业链投资机会 5、风险提示 请务必参阅正文之后的重要声明2 图1：存储行业市场规模预测（单位：十亿美元） 请务必参阅正文之后的重要声明 资料来源：Gartner《Gartner2023年10月12日：Semiconductor&ElectronicsForecastUpdate3Q23》，光大证券研究所。备注：2017-2022年为实际数据，2023-2027年为Gartner预测数据3 表1：2023和2024年半导体行业细分领域市场份额和同比增速（单位：%） 资料来源：Gartner《Gartner2023年10月12日：Semiconductor&ElectronicsForecastUpdate3Q23》，光大证券研究所。备注：2023-2024年为Gartner预测数据 •存储行业：2023上半年存储原厂减产力度进一步加强，并尝试上调出厂价格。2022年下半年开始，在行业景气度下行的背景下，为应对市场疲软态势带来的存储价格持续走跌，大部分存储原厂采取了降低产能利用率、缩减资本开支等方式减少存储位元供给，以缓解供过于求的局面。根据CFM闪存市场，铠侠从2022年10月起减产30%，西部数据自2023年1月起减产30%，2023年4月三星宣布减产规划。2023年6月，美光表示其专注于库存管理和控制供应，将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至接近30%，预计减产将持续到2024年。 •2023年5月起，海内外原厂先后涨价3%-5%。长江存储宣布将针对企业级客户调升NAND价格3%-5%。据Digitime报道，三星计划提高NAND晶圆价格，SK海力士已寻求将NAND闪存价格提高5%-8%以试探市场反应，并表示NAND闪存的价格已降至可变成本以下。 表2：2023年存储原厂减产措施 资料来源：德明利公司公告，光大证券研究所 表3：2021-2024年DRAM和NANDFLASH价格趋势及预测（单位：%） DRAM 类别 种类 1Q21 2Q21 3Q21 4Q21 1Q22 2Q22 3Q22 4Q22 1Q23 2Q23 3Q23 4Q23(E) 1Q24(F) 2Q24(F) 3Q24(F) 4Q24(F) MobileDRAM LPDDR3 上涨0-5% LPDDR4X 基本持平 下跌8-13% 下跌10-15% 下跌18-23% 下跌13-18% 下跌13-18% 下跌0-5% 上涨18-23% 上涨18-23% LPDDR5(X) 上涨0-5% 分立 上涨8-13% 上涨5-15% 下跌3-8% 下跌0-5% eMCP/uMCP 基本持平 PCDRAM DDR4 上涨5% 上涨23-28% 上涨3-8% 下跌5-10% 下跌5-10% 下跌3-8% 下跌13-18% 下跌13-18% 下跌15-20% 下跌15-20% 下跌3-8% 上涨3-8% 上涨10-15% DDR5 下跌3-8% 下跌16-20% 下跌18-23% 下跌18%-23% 下跌13-18% 上涨0-5% 上涨10-15% BlendedASP 下跌15-20% 下跌15-20% 下跌15-20% 下跌0-5% 上涨10-15% ServerDRAM DDR4 上涨8% 上涨20-25% 上涨5-10% 下跌3-8% 下跌8-13% 下跌0-5% 下跌10-15% 下跌23-28% 下跌20%-25% 下跌18-23% 下跌3-8% 上涨5-10% 上涨10-15% DDR5 下跌30-35% 下跌23-28% 下跌13-18% 下跌0-5% 上涨0-5% BlendedASP 下跌23-28% 下跌20-25% 下跌15-20% 下跌0-5% 上涨8-13% GraphicDRAM 上涨5-10% 上涨20-25% 上涨10-15% 下跌0-5% 基本持平 上涨0-5% 下跌10-15% 下跌20-25% 下跌18-23% 下跌10-15% 下跌0-5% 上涨8-13% 上涨10-15% ConsumerDRAM DDR3 上涨10% 上涨25-30% 上涨8-13% 下跌3-8% 下跌0-5% 上涨3-8% 下跌13-18% 下跌18-23% 下跌18-23% 下跌10-15% 下跌0-5% 上涨10-15% 上涨8-13% DDR4 上涨5% 上涨20-25% 上涨3-8% 下跌5-10% 下跌3-8% 下跌0-5% 上涨10-15% BlendDRAM 上涨13-18% 上涨3-8% 上涨8-13% 上涨8-13% TotalDRAM 上涨3-8% 上涨18-23% 上涨3-8% 下跌3-8% 下跌8-13% 下跌0-5% 下跌10-15% 下跌20-25% 下跌20% 下跌13%-18% 下跌0-5% 上涨13-18% 上涨13-18% NAND 类别 种类 1Q21 2Q21 3Q21 4Q21 1Q22 2Q22 3Q22 4Q22 1Q23 2Q23 3Q23 4Q23(E) 1Q24(F) 2Q24(F) 3Q24(F) 4Q24(F) eMMC/UFS consumer 上涨0-3% 上涨10-15% 上涨0-5% 下跌5-10% 下跌3-8% 上涨3-8% 下跌13-18% 下跌13-18% 下跌10-15% 下跌8-13% 基本持平 上涨10-15% 上涨18-23% mobile 下跌5% 上涨5% 下跌0-5% 下跌5-10% 上涨5-10% 下跌15%-20% 下跌5-10% EnterpriseSSD 下跌10-15% 上涨0-5% 上涨13-18% 上涨0-5% 下跌3-8% 上涨3-8% 下跌10-15% 下跌15-20% 下跌13-18% 下跌13-18% 下跌8%-13% 上涨10-15% 上涨18-23% ClientSsD 下跌5-10% 上涨5-10% 上涨3-8% 下跌3-8% 下跌3-8% 上涨5-10% 下跌10-15% 下跌15-20% 下跌13-18% 下跌15-20% 下跌8-13% 上涨13-18% 上涨15-20% 2DNANDPackage(MLC) 持平 上涨5-10% 3DNANDWafers(TLC&QLO) 上涨0-3% 上涨5-10% 上涨3-8% 下跌10-15% 上涨10-15% 下跌8-13% 下跌30-35% 下跌20-25% 下跌3-8% 下跌8-13% 上涨3-8% 上涨35-40% 上涨8-13% BlendNANDFlash 下跌5-10% 上涨5-10% 上涨18-23% 上涨3-8% 上涨8-13% 上涨0-5% TotalNANDFlash 下降5-10% 上涨5-10% 上涨5-10% 下跌0-5% 下跌5-10% 上涨3-8% 下跌13-18% 下跌15-20% 下跌10-15% 下跌10-15% 下跌5-10% 上涨13-18% 上涨15-20% 请务必参阅正文之后的重要声明 资料来源：TrendForce统计及预测，光大证券研究所整理 6 •据TrendForce集邦咨询数据，DRAM产品合约价自2021年第四季开始下跌，连跌八季，至2023年第四季起涨。NANDFlash方面，合约价自2022年第三季开始下跌，连跌四季，至2023年第三季起涨。在24年市场需求展望仍保守的前提下，二者价格走势均取决于供应商产能利用率情况。 •2024Q1：2024年针对第一季价格趋势，TrendForce维持先前预测，DRAM合约价季涨幅约13~18%；NANDFlash合约价季涨幅约18-23%。 •2024Q2：虽然目前市场对2024Q2整体需求看法仍属保守，但DRAM与NANDFlash供应商已分别在2023Q4下旬，以及2024Q1调升产能利用率，加上NANDFlash买方也早在2024Q1将陆续完成库存回补。因此，DRAM、NANDFlash在2024Q2合约价季涨幅皆收敛至3~8%。 •2024Q3：进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务业者（CSP）的补货动能较强，在预期DRAM及NANDFlash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。其中，DRAM方面，因DDR5及HBM渗透率提升，受惠于平均单价提高，带动DRAM涨幅扩大。 •2024Q4：第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下，涨势应能延续，预估DRAM合约价季涨幅约8~13%：DRAM合约价涨幅扩大的原因是来自DDR5与HBM产品市场渗透率上升，若仅观察单一产品，例如DDR5，仍可能出现季跌，意即2024年度的DRAM合约价上涨并非所有颗粒类别全面上扬，而是产品类别逐渐转移之故。NANDFlash合约价季涨幅则预估0~5%。 表4：2024Q1~2024Q2DRAM和NANDFlash季度合约价涨幅预测 后的重要声明 请务必参阅正文之 资料来源：TrendForce预测，光大证券研究所7 •据TrendForce集邦咨询研究显示，尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势，但为避免缺货，买方持续扩大NANDFlash产品采购以建立安全库存水位，而供应商为减少亏损，对于推高价格势在必行，预估2024年第一季NANDFlash合约价季涨幅约15~20%。 •NANDFlash原厂为减少亏损而急拉价格涨幅，但由于短期内涨幅过高而需求增长相对慢于价格，后续价格上涨仍需仰赖EnterpriseSSD拉货动能恢复。2024年第一季供应商的投产步伐不一，随着部份供应商产能利用率提早拉升，新增位元产出将会自第二季发生，若后续需求位元增长未如预期，将对供应商形成压力，可能导致NANDFlash下半年价格涨幅收敛。 •ClientSSD方面，PCOEM拉货动能预估会在2024年第一季达高峰，另随着PCIe4.0SSD渗透率持续上升，部分供应商已经启动制程升级，买方为避免SSD供应青黄不接，均愿意绑定较大需求位元订单。同时，供应商为加速达到损益平衡，大举拉抬PCIe4.0产品价格，笔电客户被迫接受供应商报价可能性上升，故预估PCClientSSD在2024年第一季合约价季涨幅约15~20%。 •EnterpriseSSD方面，北美CSP采购需求仍未增长，但有来自中国CSP、Server品牌业者的订单支撑，2024年第一季EnterpriseSSD市场需求呈现淡季不淡。整体来看，为建立安全库存水位，买方持续扩大订单，第一季供应商议价态度更强硬，带动EnterpriseSSD合约季涨幅约18~23%。 •eMMC方面，如智能手机、Chromebook等主要应用的采购需求持续回稳，不论原厂或模组厂均强势拉抬eMMC价格。由于部分原厂积极减产策略延续至第一季，导致小容量产品供应吃紧。买方由于库存偏低，为避免供应短缺，被迫接受涨价。而原厂会根据Wafer价格涨幅，同步调涨eMMC报价。故不论eMMC大小容量及产品应用领域，涨价幅度均高于两成。因此预估24Q1eMMC合约价季涨幅约18~23%。 •UFS方面，受原厂限制供应UFS产品并强势抬价影响，智能手机客户库存明显偏低，其中又以采用较高制程的UFS4.0最为短缺，使2024年第一季智能手机OEM持续扩大订单，以建立安全库存水位。由于UFS4.0供应商有限，并集中采用先进制程，加上Wafer合约价在2023年第四季涨幅已超过四成，原厂都希望能快速实现损益平衡。而即便卖方仍有足够库存满足市场需求，但UFS各系列产品报价仍都超过三成，故预估2024年第一季UFS