行业点评报告：行业市场备货需求浮现，中国台厂多月营收同比高增

半导体 半导体 2024年03月10日 罗通（分析师） 刘书珣（联系人） luotong@kysec.cn liushuxun@kysec.cn 证书编号：S0790522070002 证书编号：S0790122030106 行业走势图 本周复盘：现货行情略有分化，行业市场备货需求浮现 半导体 沪深300 指数方面：2024年第10周存储市场延续此前上涨趋势，DRAM/NAND指数单周分别提升1.0%/2.0%，景气度持续修复。价格方面：NAND FlashWafer价格持平不变，DDR4资源价格小幅下调；渠道市场方面，NVMe SSD价格小幅上涨，SATA SSD价格全面持平，低容量产品行情陷入瓶颈期，渠道内存资源溢出库存较重，本周价格持平不变；行业市场方面，部分行业备货需求浮现，good die资源成本滚动上升，高性能需求推升2TB PCIe 4.0 SSD价格（周环比+6.0%），行业SSD价格普遍上扬（周环比+2.3%）；嵌入式Flash方面，由于资源供应有限成本上涨，本周嵌入式LPDDR价格全面上涨（周环比+2.9%），高容量eMMC价格小幅上调（周环比+0.8%），部分集成式产品价格跟涨。 29%14%0%-14%-29%-43% 2023-03 2023-07 2023-11 相关研究报告 供需情况：终端出货量及搭载容量有望增长，原厂聚焦HBM及DDR5 需求方面，闪存市场预测，2024年手机/服务器/PC三大下游市场出货量预计分别增长4%/2%/8%，同比由负转正。搭载容量方面，随着AI在各类领域的应用延伸，手机、服务器、PC中内存平均单机搭载容量均有成长，其中，服务器领域增长幅度最高，Server DRAM和Enterprise SSD单机平均容量预估分别年增17.3%/13.2%。供给方面，随着需求的增长，三大原厂全面调升上半年稼动率。 集微网报道，原厂的稼动率及资本支出的上修，主要反映库存去化完成，而自2023Q4起，手机及PC需求转佳，加上AI崛起带动搭载AI的终端产品陆续上市，下游需求稳步上升。预计未来三大原厂资本支出和产出将聚焦于利润较佳的高端产品如HBM和DDR5。 价格预测：价格全年看涨，中国台厂营收连续多月同比高增 展望2024全年，集邦咨询认为DRAM和NAND价格有望连续四季看涨，预测2024Q1-Q4DRAM季涨幅中值分别为15.5%/5.5%/10.5%/10.5%、NAND季涨幅中值分别为20.5%/5.5%/10.5%/2.5%。大厂表现方面，在价格全面上涨的影响下，韩国2月存储芯片出口额同环比大幅双增（同比+108%/环比+14%），大部分中国存储台厂营收连续多月同比上涨，势头良好。随着板块持续复苏，以及HBM和DDR5等高端产品的需求增长，存储芯片板块上下游公司有望充分受益，受益标的： （1）存储芯片：兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正等； （2）存储模组：江波龙、德明利、协创数据、佰维存储等； （3）存储接口：澜起科技、聚辰股份等； （4）存储封测及HBM产业链：长电科技、通富微电、华天科技、香农芯创等 风险提示：需求复苏不及预期，行业竞争加剧，公司新品研发进度不及预期。 附表1：存储板块本周热点新闻速递 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 2/13 附图1：指数复盘：2024年第10周NAND指数提升2.01% 附图2：指数复盘：2024年第10周DRAM指数提升0.96% 附表2：价格复盘：2024年第10周Wafer价格持平 附表3：价格复盘：2024年第10周DDR平均下跌1.0% 附表4：价格复盘：2024年第10周SSD（渠道市场）平均上涨1.9% 附表5：价格复盘：2024年第10周SSD（行业市场）价格平均上涨2.3% 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 4/13 附表6：价格复盘：2024年第10周内存条（渠道市场）价格持平 附表7：价格复盘：2024年第10周内存条（行业市场）价格持平 附表8：价格复盘：2024年3月内存条（服务器）价格平均上涨5.1% 附表9：价格复盘：2024年第10周部分eMMC价格上涨 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 5/13 附表10：价格复盘：2024年第10周eMCP价格平均上涨5.5% 附表11：价格复盘：2024年第10周LPDDR价格平均上涨2.9% 附表12：价格复盘：2024年第10周UFS价格持平 附表13：价格复盘：2024年第10周uMCP价格平均上涨3.5% 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 6/13 附表14：价格预测：预计2024Q1 DRAM产品合约价上涨13%-18% 附表15：价格预测：预计2024Q1NAND FLASH产品合约价上涨15%-20% 附表16：价格预测：2024年DRAM & NAND FLASH产品合约价格全年看涨 附表17：需求预测：预计2024年三大终端DRAM/NAND单机平均搭载容量将同比增加 附表18：需求预测：2024年智能手机、服务器、PC出货量预计同比增长4%/2%/8% 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 7/13 附图3：供给侧：2023Q4 DRAM市场CR3高达96.6% 附图4：供给侧：2023Q4NAND市场CR5高达94.1% 附表19：供给侧：海外三大原厂集体调升2024Q1-Q2稼动率 附图5：热点赛道：三大原厂HBM预期于2024Q1完成HBM3e产品验证 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 8/13 附表20：热点赛道：2023-2024 HBM市场竞争格局预计将由三星和SK海力士主导 附图6：整体供需：2024年DRAM位元需求有望较快增长 附图7：整体供需：2024年NAND位元需求有望较快增长 附图8：大厂表现：2023Q4行业营收高速增长，三星表现亮眼 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 9/13 附图9：大厂表现：2023Q4多家中国大陆厂商营收实现同环比增长（业绩预告） 附图10：大厂表现：2023Q4多数全球存储大厂季度营收环比增长 附图11：大厂表现：2023Q4全球多数存储大厂毛利率环比上升 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 10/13 附图12：大厂表现：2023Q4全球多数存储大厂净利率环比上升 附图13：大厂表现： 2023M12 以来，多数中国存储台厂营收同比持续上涨 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 11/13